基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法技术

技术编号:17542939 阅读:18 留言:0更新日期:2018-03-24 21:30
本发明专利技术提供了一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法,涉及电子元件制造领域。该基片表面处理工艺方法通过在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,采用单片烧结的方式,在烧结的过程中,无需加入隔粘粉,从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度,有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔以及斑点,并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕,由于外观质量合格率的提升,在生产大量的陶瓷基片时,大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。

Process method of substrate surface treatment and process method for making chip capacitance and film resistance

【技术实现步骤摘要】
基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法
本专利技术涉及电子元件制造领域,具体而言,涉及一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法。
技术介绍
陶瓷基片,又称陶瓷基板,是以电子陶瓷为基底,对膜电路元件及外贴切元件形成一个支撑底座的片状材料。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点,随着微电子技术的进步,微加工工艺的特征线宽已达亚微米级,一块陶瓷基板上可以集成106~109个以上元件,电路工作的速度越来越快、频率越来越高,这对基板材料的性能以及外观提出了更高的要求。随着电子元件的生产线的改造及其销量的增加,电子元件用介质陶瓷基片的需求量也越来越大,同时对其性能尤其是表面外观的质量要求也越来越高。现有技术中,通常采用堆烧的方式对陶瓷基片进行烧结,在烧结的过程中,为了防止陶瓷基片之间粘接,需要加入隔粘粉,隔粘粉会导致基片表面粗糙度高、平整度很差,影响基片外观质量。为此,在满足介质陶瓷基片基本电性能指标的前提下,现亟需解决陶瓷基片的外观质量问题,改善介质陶瓷基片的平整度和表面粗糙度,去除或减少基片表面存在的斑点,满足电子元件的生产的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子元件制造,其旨在改善现有的基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法的问题。第一方面,本专利技术实施例提供了一种基片表面处理工艺方法,所述基片表面处理工艺方法包括:在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理。进一步地,所述基片表面处理工艺方法还包括:采用冲洗液对喷砂处理后的陶瓷基片进行冲洗。进一步地,所述冲洗液为碱性冲洗液。进一步地,所述冲洗液为酸性冲洗液。进一步地,在预设定的第二温度下,对冲洗后的陶瓷基片进行烘干。进一步地,采用单片烧结的方式分别对多个陶瓷生胚同时进行烧结形成多个陶瓷基片。进一步地,利用一喷砂设备将喷料高速喷射到烧结后的陶瓷基片,以对烧结后的陶瓷基片的表面进行冲击及切削。进一步地,所述喷料为铜矿砂或石英砂或金刚砂或铁砂或海南砂。第二方面,本专利技术实施例还提供了一种芯片电容制作工艺方法,包含上述的基片表面处理工艺方法的步骤。第三方面,本专利技术实施例还提供了一种薄膜电阻制作工艺方法,包含上述的基片表面处理工艺方法的步骤。本专利技术提供的基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法的有益效果是:通过在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,采用单片烧结的方式,在烧结的过程中,无需加入隔粘粉,从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度,有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕,并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理,更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕,由于外观质量合格率的提升,在生产大量的陶瓷基片时,大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本专利技术实施例提供的基片表面处理工艺方法流程示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围,而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。实施例一请参阅图1,本专利技术实施例提供了一种基片表面处理工艺方法,所述基片表面处理工艺方法包括:步骤S101:在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片。例如将制作一个陶瓷基片的陶瓷粉末或压坯(即陶瓷生胚)放在单独的烧结空间内,在高温下(不高于熔点),陶瓷生坯固体颗粒的相互键联,晶粒长大,空隙(气孔)和晶界渐趋减少,通过物质的传递,其总体积收缩,密度增加,最后成为具有某种显微结构的致密多晶烧结体,即烧结后的陶瓷基片。本实施例中,可以将陶瓷生胚放在箱式炉对陶瓷生胚进行烧结。其中,本实施例中,陶瓷基片的材料采用但不限于1类瓷Ⅰ-130或2类瓷Ⅱ-3300。本实施例中,为了提升对陶瓷基片烧结的效率,可以采用单片烧结的方式分别对多个陶瓷生胚同时进行烧结形成多个陶瓷基片。例如,同时将多个陶瓷生胚放在多个独立的空间内,然而同时放入箱式炉进行高温烧结,从而再满足烧结形成的多个陶瓷基片不会粘连的同时,提高了对陶瓷基片烧结的效率。步骤S102:对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理。具体地,可以利用一喷砂设备将喷料高速喷射到烧结后的陶瓷基片,以对烧结后的陶瓷基片的表面进行冲击及切削,由于磨料对工件表面的冲击和切削作用,使工件的表面获得一定的清洁度和不同的粗糙度,使陶瓷基片表面的机械性能得到改善,因此提高了陶瓷基片的抗疲劳性,增加了陶瓷基片和涂层之间的附着力,并且更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕。本实施例中,喷料可以采用但不限于铜矿砂或石英砂或金刚砂或铁砂或海南砂。步骤S103:采用冲洗液对喷砂处理后的陶瓷基片进行冲洗。其中,冲洗液可以为碱性冲洗液或酸性冲洗液,在此不做限制,在本实施例中,优选采用碱性冲洗液。步骤S104:在预设定的第二温度下,对冲洗后的陶瓷基片进行烘干。对陶瓷基片进行及时烘干,从而避免冲洗液附着于陶瓷基片,对陶瓷基片锈蚀。经专利技术人试验,利用本专利技术提供的基片表面处理本文档来自技高网...
基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法

【技术保护点】
一种基片表面处理工艺方法,其特征在于,所述基片表面处理工艺方法包括:在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理。

【技术特征摘要】
1.一种基片表面处理工艺方法,其特征在于,所述基片表面处理工艺方法包括:在预设定第一温度下,采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片;对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理。2.根据权利要求1所述的基片表面处理工艺方法,其特征在于,所述基片表面处理工艺方法还包括:采用冲洗液对喷砂处理后的陶瓷基片进行冲洗。3.根据权利要求2所述的基片表面处理工艺方法,其特征在于,所述冲洗液为碱性冲洗液。4.根据权利要求2所述的基片表面处理工艺方法,其特征在于,所述冲洗液为酸性冲洗液。5.根据权利要求2所述的基片表面处理工艺方法,其特征在于,在预设定的第二温度下,对冲洗后的陶瓷基片进行烘干。6.根据权利要求1所述的基片表面处理工艺方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:何创创韩玉成郭海明应建居奎班秀峰
申请(专利权)人:中国振华集团云科电子有限公司
类型:发明
国别省市:贵州,52

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