振膜以及包括该振膜的发声器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种振膜以及包括该振膜的发声器，所述振膜包括与发声器外壳固定的固定部，与固定部一体设置的折环部，位于折环部内的中央部以及与所述中央部表面结合固定的补强部；所述振膜的中央部包括有减薄部，所述减薄部由振膜的中央部的远离所述补强部的表面向内凹陷形成。本实用新型专利技术所提供的振膜结构可使得发声器在能够保证振动系统稳定性的同时，获得更高的灵敏度，便于提高发声器的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
振膜以及包括该振膜的发声器
本技术涉及电声转换
更具体地，涉及一种振膜以及包括该振膜的发声器。
技术介绍
发声器是一种能够将电能转化为声能的器件，属于最基本的发声单元，其广泛应用于手机等终端设备中。一般发声器包括外壳和和收容于所述外壳内的振动系统和磁路系统，其中振动系统包括振膜和结合于振膜下方的音圈。在振膜结构中，所述振膜通常包括有固定部，与固定部一体设置的凹/凸结构的折环部以及位于折环部内的中央部，现有技术中为了增加振膜的刚性，提高振膜的高频振动性能，通常会在振膜的中央部上结合固定有补强部，其易导致振膜自身振动质量增加，灵敏度降低，不利于提高发声器的整体性能。因此，需要提供一种新的振膜结构，以克服上述现有技术所存在的缺陷。
技术实现思路
本技术的一个目的在于提供一种振膜，通过对振膜结构的改进，在保证振膜高频振动性能的同时，减轻了振动质量，使发声器获得了更高的灵敏度。本技术的另一个目的在于提供一种包括上述振膜的发声器。为达到上述目的，本技术采用下述技术方案：根据本技术的一个方面，本技术提供一种振膜，所述振膜包括与发声器外壳固定的固定部，与固定部一体设置的折环部，位于折环部内的中央部以及与所述中央部表面结合固定的补强部；所述振膜的中央部包括有减薄部，所述减薄部由振膜的中央部的远离所述补强部的表面向内凹陷形成。此外，优选地方案是，所述振膜的中央部还包括对应所述补强部的由中央部表面向内凹陷形成的内陷部，所述内陷部为非贯通所述减薄部设置；补强部容置在所述内陷部内并与所述振膜的中央部结合固定。此外，优选地方案是，所述减薄部边缘包括朝向振膜外侧扩张递进的阶梯结构。此外，优选地方案是，在振膜的振动方向上，所述减薄部边沿位于所述补强部边沿内侧。此外，优选地方案是，所述减薄部的中央镂空，镂空边缘位于所述减薄部阶梯结构的内侧，所述阶梯结构为一个阶梯或者多个阶梯。此外，优选地方案是，所述阶梯结构为位于所述减薄部边缘的连续的闭合结构或对称的分段结构。此外，优选地方案是，所述补强部与所述振膜的中央部之间通过胶粘固定或者所述补强部与所述振膜的中央部一体注塑成型。根据本技术的另一个方面，本技术提供一种发声器，所述发声器包括振动系统，所述振动系统包括如上述的振膜和与所述振膜结合的音圈。此外，优选地方案是，所述音圈与所述补强部位于所述振膜的同侧，且所述音圈结合固定在所述补强部的远离振膜的一侧表面上，或者所述音圈结合固定在所述补强部外侧的振膜的中央部的边缘处。此外，优选地方案是，所述音圈结合固定在所述振膜的中央部的远离所述补强部的表面上。本技术的有益效果如下：与现有技术相比较，本技术所提供的振膜结构在补强部上方的振膜的中央部作了减薄或镂空设计，实现了减轻振膜振动质量的目的，同时还利用减薄部边缘的阶梯结构设计保证了补强部与中央部的粘接力，及进一步的减轻振膜振动质量，从而使得发声器在能够保证振动系统稳定性的同时，获得更高的灵敏度，便于提高发声器的整体性能。附图说明下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图1示出本技术一种实施方式的振膜结构示意图。图2示出本技术一种优选实施方式的振膜结构示意图。图3示出本技术另一种优选实施方式的振膜结构示意图。图4示出本技术提供的一种实施方式的发声器结构示意图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术，下面结合优选实施例和附图对本技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。如图1至4所示，根据本技术的一方面，为了实现在保证振膜高频振动性能的同时，减轻振膜振动质量，使发声器获得更高灵敏度的技术目的，本技术提供一种用于发声器的振膜结构，具体的，结合图1和图4所示的一种实施方式，所述振膜包括与发声器外壳固定的固定部1，与固定部1一体设置的折环部2，位于折环部2内的中央部3以及与所述中央部3表面结合固定的补强部4；所述振膜的中央部3包括有减薄部31，所述减薄部31由振膜的中央部3的远离所述补强部4的表面向内凹陷形成。需要说明的是，在本实施方式中，所述补强部4为平面型结构，根据振膜应用的发声器类型的不同，且也可采用球面型等结构，本技术并不加以限制。在图1所示的实施方式中，所述振膜的中央部3还包括对应所述补强部4的由中央部表面向内凹陷形成的内陷部，具体图示结构中，所述内陷部位于所述振膜的中央部3的下侧表面，且由所述中央部3下侧表面向内凹陷形成，所述内陷部为非贯通所述减薄部31上表面设置；所述补强部4容置在所述内陷部内并与所述振膜的中央部3结合固定，且为了保证补强部4与相对的具有减薄部31的振膜之间的固定强度，优选地，在振膜的振动方向上，所述减薄部31边沿位于所述补强部4边沿内侧。其中，所述补强部4与所述振膜的中央部3可通过胶粘固定，为了减轻工艺复杂度，优选地，所述补强部4与所述振膜的中央部3可一体注塑成型。此外为了尽可能增大补强部4与中央部3之间的结合面积，且提升结合效果，所述补强部的下表面优选地不超出所述中央部3的下表面。需要说明的是，所述补强部通过内陷部结合固定在所述振膜的中央部上仅是一种便于保证振膜结构整体性的优选地实施方式，也就是说，所述振膜的中央部的表面上可不设置内陷部，补强部可直接固定在所述振膜的中央部的表面上，上述方式同样能够达到本技术所提供的振膜结构相对于现有技术所具有的优势。另外，图1中仅示出了一种具体的减薄部结构，其中所述减薄部31所对应的由中央部3上表面向内凹陷所形成的凹陷部截面形状呈矩形，其也可为弓形或具有圆角矩形，本技术对此并不加以限制。本技术所提供的振膜结构在具有高频振动性能的同时，通过减薄部的设置，减轻了振膜的振动质量，可使发声器获得更高的灵敏度。结合图1和图4，图4示出一种利用图1所示振膜结构的发声器结构，所述发声器包括外壳6和设于所述外壳6内的振动系统和磁路系统。所述振动系统包括如上述结构的振膜和与所述振膜结合的音圈5。所述磁路系统包括下导磁轭7，位于下导磁轭7中央位置的中心磁铁71，位于中心磁铁71上方的中心导磁板72，环绕所述中心磁铁71的边磁铁73，以及位于所述边磁铁73上方的边导磁板74；中心磁铁71与边磁铁73形成容纳所述音圈5的磁间隙。需要说明的是，在实际应用中，所述磁路系统可采用单磁路系统结构、三磁路系统结构或者五磁路系统结构，本技术并不加以限制，且发声器与本技术所提供的振膜结构相对于现有技术所具有的优势相同，在此不再赘述。另外，在图4示的发声器结构中，优选地，所述音圈5与所述补强部4位于所述振膜的同侧，且所述音圈5结合固定在所述补强部4的远离振膜的一侧表面上。作为该结构的一种变形实施方式，所述音圈也结合固定在所述补强部外侧的振膜的中央部的边缘处，其同样具有本技术所提供的振膜结构相对于现有技术的优势。此外，对于振膜与音圈的结合方式的进一步变形的实施方式，所述音圈还可以结合固定在所述振膜的中央部的远离所述补强部的表面上；并且在保证音圈与振膜的中央部结合固定强度的条件下，音圈与振膜的中央部的结合固定面可以位于减薄部边缘的阶梯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种振膜，其特征在于，所述振膜包括与发声器外壳固定的固定部，与固定部一体设置的折环部，位于折环部内的中央部以及与所述中央部表面结合固定的补强部；所述振膜的中央部包括有减薄部，所述减薄部由振膜的中央部的远离所述补强部的表面向内凹陷形成。

【技术特征摘要】
1.一种振膜，其特征在于，所述振膜包括与发声器外壳固定的固定部，与固定部一体设置的折环部，位于折环部内的中央部以及与所述中央部表面结合固定的补强部；所述振膜的中央部包括有减薄部，所述减薄部由振膜的中央部的远离所述补强部的表面向内凹陷形成。2.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述振膜的中央部还包括对应所述补强部的由中央部表面向内凹陷形成的内陷部，所述内陷部为非贯通所述减薄部设置；补强部容置在所述内陷部内并与所述振膜的中央部结合固定。3.根据权利要求1所述的振膜，其特征在于，所述减薄部边缘包括朝向振膜外侧扩张递进的阶梯结构，所述阶梯结构为一个阶梯或者多个阶梯。4.根据权利要求1所述的一种振膜，其特征在于，在振膜的振动方向上，所述减薄部边沿位于所述补强部边沿内侧。5.根据权利要求3所述的振膜，其特征在于，所述减薄部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永华，常秀丽，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37