The invention discloses a power amplifier temperature detection system, which comprises a power amplifier, a first temperature detector, temperature detector second, third temperature detector, controller and AD conversion circuit; the power amplifier is provided with an input end and the output end and the power amplifier module, the temperature detector is arranged at the input end of the power amplifier, the second the temperature detector is arranged at the output of the power amplifier, the third temperature detector is arranged in the power amplifier power amplifier module; the controller is respectively connected with the first second temperature detector, temperature detector, temperature detector, third AD conversion of the electric circuit; the first temperature detector, temperature detector, temperature detector second third and AD conversion electrical connection circuit. It is easier to understand the heating part of the power amplifier through the measurement of the various points, and the position can be better chosen when the cooling is cooled.
【技术实现步骤摘要】
功率放大器温度检测系统
本专利技术涉及温度检测,具体涉及功率放大器温度检测系统。
技术介绍
自1974年,美国的Plessey公司用GaAsFET作为有源器件,GaAs半绝缘衬底作为载体,研制成功世界上第一块MMIC放大器以来,在军事应用(包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面)的推动下,MMIC的发展十分迅速。80年代,随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术(MOCVD)和深亚微米加工技术的发展和进步,MMIC发展迅速。1980年由Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管(HEMT),在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT(PHEMT),使HEMT向更调频率更低噪声方向发展。继HEMT之后,1984年用GaAlAs/GaAs异质结取代硅双极晶体管中的P-N结,研制成功了频率特性和速度特性更优异的异质结双极晶体管(HBT)和HBTMMIC。由于InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT,其性能比GaAs基更为优越,近年来随着InP单晶的制备取得进展,InP基的HEMT、PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。因为声音是不同振幅和不同频率的波,即交流信号电流,三极管的集电极电流永远是基极电流的β倍,β是三极管的交流放大倍数,应用这一点,若将小信号注入基极,则集电极流过的电流会等于基极电流的β倍,然后将这个信号用隔直电容隔 ...
【技术保护点】
功率放大器温度检测系统,包括功率放大器,其特征在于,还包括第一温度探测器(1)、第二温度探测器(2)、第三温度探测器(3)、控制器(4)、AD转换电路(5);所述功率放大器设置有输入端、输出端和功率放大模块,所述第一温度探测器(1)设置在功率放大器的输入端,所述第二温度探测器(2)设置在功率放大器的输出端,所述第三温度探测器(3)设置在功率放大器的功率放大模块;所述控制器(4)分别与第一温度探测器(1)、第二温度探测器(2)、第三温度探测器(3)、AD转换电路(5)电连接;所述第一温度探测器(1)、第二温度探测器(2)、第三温度探测器(3)均与AD转换电路(5)电连接。
【技术特征摘要】
1.功率放大器温度检测系统,包括功率放大器,其特征在于,还包括第一温度探测器(1)、第二温度探测器(2)、第三温度探测器(3)、控制器(4)、AD转换电路(5);所述功率放大器设置有输入端、输出端和功率放大模块,所述第一温度探测器(1)设置在功率放大器的输入端,所述第二温度探测器(2)设置在功率放大器的输出端,所述第三温度探测器(3)设置在功率放大器的功率放大模块;所述控制器(4)分别与第一温度探测器(1)、第二温度探测器(2)、第三温度探测器(3)、AD转换电路(5)电连接;所述第一温度探测器(1)、第二温度...
【专利技术属性】
技术研发人员:李正军,
申请(专利权)人:成都西井科技有限公司,
类型:发明
国别省市:四川,51
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