A E PHEMT microwave broadband amplifier for electrostatic protection circuit for microelectronic field. The circuit consists of a PIN diode protection circuit, an output protection circuit and an active bias circuit. The circuit has the advantages of compact structure, small volume, stable operation, good adaptability, improve work efficiency, and high accuracy, low power consumption, and has good anti-interference performance and reliability, and ultimately in ensuring the microwave characteristics of the amplifier, the amplifier to enhance the antistatic ability.
【技术实现步骤摘要】
一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路所属
本专利技术涉及一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,适用于微电子领域。
技术介绍
E-PHEMT微波宽带放大器是指以增强型PHEMT场效应管做为核心放大芯片,采用宽带反馈电路构成的宽带放大器.相比传统的基于硅材料三极管放大芯片构成的放大器,E-PHEMT宽带放。大器具有频带更宽、噪声低、动态范围大和效率高等电性能指标上的优势.基于E-PHEMT器件的放大器逐渐取代传统的硅放大器,更多应用于军用地面设备及航空航天领域.E-PHEMT器件采用的是砷化稼半导体材料,抗静电方面的能力要低于硅三极管,一般在500V以下。为了适应军用电子元器件对产品的可靠性更高要求,需要在放大器电路的设计中加入防静电电路设计,增加静电防护电路。现有技术中,宽带放大器完整电路由直流偏置电路和交流匹配电路2部分组成,交流匹配电路部分采用负反馈电路原理实现宽带匹配,负反馈电路是由电阻R和串联电感L构成.电阻决定了电路的反馈系数,串联电感对放大器宽带内增益频率特性的平坦度进行补偿.该电路形式使放大器工作频率达到20MHz-1000MHz之间,增益平坦度控制在0.5dB以内。降低微波宽带放大器静电保护电路的寄生效应对电路的影响,同时还要保证足够的静电防护能力是微波宽带放大器静电保护电路设计的重点和难点。微波宽带放大器的另一个设计难点是对保护电路的体积和复杂度要求。由于该放大器封装外壳体积较小,无法集成过于复杂的保护电路。因此微波宽带放大器的静电保护电路设计要求寄生参量小、钳位电压低和结构简单,既要考虑保护效果还要兼顾其高频特性对放大器的 ...
【技术保护点】
一种E‑PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征是:所述的E‑PHEMT微波宽带放大器静电防护电路PIN二极管保护电路、输出保护电路、有源偏置电路组成。
【技术特征摘要】
1.一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征是:所述的E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路PIN二极管保护电路、输出保护电路、有源偏置电路组成。2.根据权利要求1所述的一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征是:所述PIN二极管保护电路采用“背对背”的组成结构,确保了保护电路对正负2种脉冲都能起到较好的保护效果。3.根据权利要求1所述的一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征是:所述的PIN二极管保护电路中,使用的PIN二极管寄生参量小,输入信号小,该电路结构起到了很好的保护作用并对微波特性影响较小。4.根据权利要求1所述的一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征是:所述的输出保护电路采取了二极管串联和加反向偏压的方法。5.电源端口利用有源偏置电路自身对静电放电的保护效果,实现了电源端日的抗静电能力的提升。6.根据权利要求1所述的一种E-PHEMT微波宽带放大器静电防护电路,其特征...
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