发光装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:17410529 阅读:26 留言:0更新日期:2018-03-07 07:13
实施方式的发光装置1具备第一以及第二透光性绝缘体(4、6)以及配置于它们之间的发光二极管(8)。发光二极管(8)的第一电极以及第二电极(9、10),与设置于第一以及第二透光性绝缘体(4、6)的至少一方的表面的导电电路层(5、7)电连接。在第一透光性绝缘体(4)与第二透光性绝缘体(6)之间,埋入有第三透光性绝缘体(13),该第三透光性绝缘体(13)具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方。

Light emitting device and its manufacturing method

The light emitting device 1 embodiments have a first and second light transmittance insulators (4, 6) and a light-emitting diode (8) disposed between them. The first electrode and the second electrode (9, 10) of the light-emitting diode (8) are electrically connected to the conductive circuit layer (5, 7) on the surface of at least one side of the first and second transmittance insulators (4, 6). In the first transparent insulator (4) and second transparent insulator (6) between the third buried transparent insulator (13), the third transparent insulator (13) is 80 DEG to 160 DEG C softening temperature and drawing more than 0.01GPa VEKA 10GPa following storage modulus of at least one.

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制造方法本申请是申请日为2014年3月27日,申请号为201480017609.8,专利技术名称为“发光装置及其制造方法”的原申请的分案申请。
本专利技术的实施方式涉及发光装置及其制造方法。
技术介绍
使用了发光二极管(LED)的发光装置被广泛用于屋内用、屋外用、固定用、移动用等的显示装置、以及显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等的光学装置。在使用了LED的发光装置中,作为适合于对各种字符串、几何图形、图案等进行显示的显示装置、显示用灯的装置,已知在两个透明基板间配置有多个LED的透明发光装置。作为透明基板而使用透明树脂制的柔性基板,由此作为显示装置、显示用灯的发光装置相对于安装面的限制减少,透明发光装置的方便性、可利用性提高。透明发光装置例如具有如下构造:在具有第一导电电路层的第一透明绝缘基板与具有第二导电电路层的第二透明绝缘基板之间,配置有多个LED芯片。多个LED芯片分别具有一对电极。一个电极与第一导电电路层电连接,另一个电极与第二导电电路层电连接。多个LED芯片隔开某种程度的间隔而配置。在基于多个LED芯片的配置间隔而产生的第一透明绝缘基板与第二透明绝缘基板之间的空间中,填充有具有电绝缘性、弯曲性的由透明树脂等构成的透明绝缘体。换言之,LED芯片配置在设置于透明绝缘体的贯通孔内。透明发光装置中的LED芯片的电极与导电电路层之间的电连接,有时例如通过将第一透明绝缘基板、在贯通孔内配置有LED芯片的透明绝缘树脂片以及第二透明绝缘基板的层叠体进行真空热压接来进行。LED芯片的电极与导电电路层有时通过导电性粘合剂来进行粘合。还研究了如下内容:通过具有导电电路层的上下的绝缘基板来夹持固定了LED芯片的热熔粘合剂片而进行热压接,将LED芯片埋入粘合剂片,由此同时实施上下的绝缘基板间的粘合、以及LED芯片的电极与导电电路层之间的电连接。然而,无论在哪种情况下,都不能够充分地提高LED芯片的电极与导电电路层之间的电连接性、其可靠性。例如,在对第一透明绝缘基板、透明绝缘树脂片以及第二透明绝缘基板的层叠体进行真空热压接的情况下,研究了如下内容:通过使热压接后的透明绝缘树脂片的厚度(透明绝缘体的厚度)比LED芯片的厚度薄,由此将导电电路层按压到LED芯片的电极上而使其接触。但是,根据透明绝缘体的材质、厚度、以及LED芯片的配置间隔的不同,不能够将电极与导电电路层高可靠性地电连接。因此,寻求再现性良好地提高导电电路层与LED芯片的电极之间的电连接性、其可靠性的技术。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平11-177147号公报专利文献2:日本特表2007-531321号公报专利文献3:日本特表2009-512977号公报专利文献4:日本特开2012-084855号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的课题在于,提供发光装置及其制造方法,能够再现性良好地提高设置于透光性绝缘体的表面的导电电路层与LED芯片的电极之间的电连接性、其可靠性。实施方式的发光装置,具备:第一透光性支撑基体,具备第一透光性绝缘体;第二透光性支撑基体,具备第二透光性绝缘体;导电电路层,设置于第一透光性绝缘体的第一表面以及与第一表面对置的第二透光性绝缘体的第二表面的至少一方;发光二极管,具备具有第一面和第二面的发光二极管主体、设置于发光二极管主体的第一面并与导电电路层电连接的第一电极、以及设置于发光二极管主体的第一面或者第二面并与导电电路层电连接的第二电极,该发光二极管配置在第一透光性绝缘体与第二透光性绝缘体之间;以及第三透光性绝缘体,埋入第一透光性绝缘体与第二透光性绝缘体之间,具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方。实施方式的发光装置的制造方法包括:准备具有第一透光性绝缘体的第一透光性支撑基体和具备第二透光性绝缘体的第二透光性支撑基体的工序;在第一透光性绝缘体的第一表面以及第二透光性绝缘体的第二表面的至少一方形成导电电路层的工序;准备发光二极管的工序,该发光二极管具备具有第一面和第二面的发光二极管主体、设置于发光二极管主体的第一面的第一电极、以及设置于发光二极管主体的第一面或者第二面的第二电极;以及在第一透光性绝缘体的第一表面以及第二透光性绝缘体的第二表面中的、设置有导电电路层的表面上,配置具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度以及0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量的至少一方的透光性绝缘树脂片的工序;在第一透光性绝缘体的第一表面与第二透光性绝缘体的第二表面之间,隔着透光性绝缘树脂片配置发光二极管的工序;以及将包含第一透光性绝缘体、透光性绝缘树脂片、发光二极管以及第二透光性绝缘体的层叠体在真空气氛中加热并且加压,将第一电极以及第二电极与导电电路层电连接,并且在第一透光性绝缘体与第二透光性绝缘体之间埋入透光性绝缘树脂片,而形成第三透光性绝缘体的工序。附图说明图1是表示第一实施方式的发光装置的截面图。图2是将图1所示的发光装置的一部分放大表示的截面图。图3是将图1所示的发光装置的变形例的一部分放大表示的截面图。图4是将第一实施方式的发光装置的一部分放大表示的SEM像。图5是表示第一实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图6是表示第二实施方式的发光装置的截面图。图7是将图6所示的发光装置的一部分放大表示的截面图。图8是将图6所示的发光装置的变形例的一部分放大表示的截面图。图9是表示第二实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图10是表示第三实施方式的发光装置的截面图。图11是将图10所示的发光装置的一部分放大表示的截面图。图12是将图10所示的发光装置的变形例的一部分放大表示的截面图。图13是表示发光二极管的高度T1和第三透光性绝缘体的最小厚度T2之差ΔT与多个发光二极管间的最小距离d之间的关系的图。图14是表示第三实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图15是表示第四实施方式的发光装置的截面图。图16是将图15所示的发光装置的一部分放大表示的截面图。图17是将图15所示的发光装置的变形例的一部分放大表示的截面图。图18是表示第四实施方式的发光装置的制造工序的截面图。图19是表示实施方式的发光装置的应用例的图。具体实施方式以下,参照附图对实施方式的发光装置及其制造方法进行说明。(第一实施方式)图1是表示第一实施方式的发光装置的构成的截面图。图1所示的发光装置1具备第一透光性支撑基体2和第二透光性支撑基体3。第一透光性支撑基体2具备第一透光性绝缘体4和形成于其表面的第一导电电路层5。第二透光性支撑基体3具备第二透光性绝缘体6和形成于其表面的第二导电电路层7。第一透光性支撑基体2和第二透光性支撑基体3以使第一导电电路层5与第二导电电路层7相对置的方式,在它们之间设置规定间隙地配置。在第一透光性支撑基体2与第二透光性支撑基体3之间的间隙中配置有多个发光二极管8。透光性绝缘体4、6例如使用具有绝缘性和透光性的树脂材料,并且优选使用具有弯曲性的树脂材料。作为这种绝缘树脂材料,能够列举聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、环状烯烃树脂(例如JSR社制的ARTON(商品名))以及丙烯酸树脂等。透光性绝缘体4、6的本文档来自技高网
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发光装置及其制造方法

【技术保护点】
一种发光装置,具备:第一透光性支撑基体,具备第一透光性绝缘体;第二透光性支撑基体,具备第二透光性绝缘体;导电电路层,设置于上述第一透光性绝缘体的第一表面、以及与上述第一表面对置的上述第二透光性绝缘体的第二表面的至少一方;多个发光二极管,分别具备:发光二极管主体,具有第一面和第二面;第一电极,设置于上述发光二极管主体的上述第一面,与上述导电电路层电连接;以及第二电极,设置于上述发光二极管主体的上述第一面或者上述第二面,与上述导电电路层电连接,该多个发光二极管以最小距离d为500μm以上的方式配置于上述第一透光性绝缘体与上述第二透光性绝缘体之间;以及第三透光性绝缘体,埋入上述第一透光性绝缘体与上述第二透光性绝缘体之间,具有上述多个发光二极管间的最小厚度T2,上述第一透光性绝缘体和上述第二透光性绝缘体中的至少一方以及上述第三透光性绝缘体具有弯曲性,上述发光二极管的高度T1与上述第三透光性绝缘体的上述最小厚度T2之差ΔT即T1‑T2,为5μm以上1/2T1以下,并且在将上述差ΔT作为纵轴、将上述多个发光二极管间的上述最小距离d作为横轴的图表中,处于由ΔT=5所表示的直线1、d=500所表示的直线2、ΔT=0.09d所表示的直线3、ΔT=0.0267d+60所表示的直线4、以及ΔT=1/2T1所表示的直线5包围的范围内,上述差ΔT的单位是μm,上述最小距离d的单位是μm。...

【技术特征摘要】
2013.03.28 JP 2013-068172;2013.03.28 JP 2013-068171.一种发光装置,具备:第一透光性支撑基体,具备第一透光性绝缘体;第二透光性支撑基体,具备第二透光性绝缘体;导电电路层,设置于上述第一透光性绝缘体的第一表面、以及与上述第一表面对置的上述第二透光性绝缘体的第二表面的至少一方;多个发光二极管,分别具备:发光二极管主体,具有第一面和第二面;第一电极,设置于上述发光二极管主体的上述第一面,与上述导电电路层电连接;以及第二电极,设置于上述发光二极管主体的上述第一面或者上述第二面,与上述导电电路层电连接,该多个发光二极管以最小距离d为500μm以上的方式配置于上述第一透光性绝缘体与上述第二透光性绝缘体之间;以及第三透光性绝缘体,埋入上述第一透光性绝缘体与上述第二透光性绝缘体之间,具有上述多个发光二极管间的最小厚度T2,上述第一透光性绝缘体和上述第二透光性绝缘体中的至少一方以及上述第三透光性绝缘体具有弯曲性,上述发光二极管的高度T1与上述第三透光性绝缘体的上述最小厚度T2之差ΔT即T1-T2,为5μm以上1/2T1以下,并且在将上述差ΔT作为纵轴、将上述多个发光二极管间的上述最小距离d作为横轴的图表中,处于由ΔT=5所表示的直线1、d=500所表示的直线2、ΔT=0.09d所表示的直线3、ΔT=0.0267d+60所表示的直线4、以及ΔT=1/2T1所表示的直线5包围的范围内,上述差ΔT的单位是μm,上述最小距离d的单位是μm。2.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述多个发光二极管间的最小距离d为1500μm以下。3.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述第三透光性绝缘体具有80℃以上160℃以下的维卡软化温度。4.如权利要求3所述的发光装置,其中,上述第三透光性绝缘体的熔融温度为180℃以上或比上述维卡软化温度高40℃以上。5.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述第三透光性绝缘体在0℃以上100℃以下的范围具有0.01GPa以上10GPa以下的拉伸储存弹性模量。6.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述第三透光性绝缘体的玻璃转化温度为-20℃以下。7.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述第一透光性支撑基体具备上述第一透光性绝缘体、以及在上述第一透光性绝缘体的上述第一表面上作为上述导电电路层而设置的第一导电电路层,上述第二透光性支撑基体具备上述第二透光性绝缘体、以及在上述第二透光性绝缘体的上述第二表面上作为上述导电电路层而设置的第二导电电路层,上述发光二极管具备设置于上述发光二极管主体的上述第一面并与上述第一导电电路层电连接的上述第一电极、以及设置于上述发光二极管主体的上述第二面并与上述第二导电电路层电连接的上述第二电极。8.如权利要求7所述的发光装置,其中,上述第一电极具有比上述第一面小的面积以及从上述第一面突出的形状,在上述第一面的上述第一电极的非形成面与上述第一导电电路层之间填充有上述第三透光性绝缘体。9.如权利要求1所述的发光装置,其中,上述第一透光性支撑基体具备上述第一透光性绝缘体、以及设置于上述第一透光性绝缘体的上述第一表面的上述导...

【专利技术属性】
技术研发人员:卷圭一
申请(专利权)人:东芝北斗电子株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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