The power amplifier components and components are disclosed. According to some embodiments, a power amplifier module is provided (10), including power amplifier, power amplifier (12) having a gate lead with a gate contact surface (14) and a drain contact electrode surface leakage (13), and has the length and the width of the source electrode contact surface (15). The extended radiator (11) is installed on the source contact surface to remove the heat from the (18) surface and extend the circuit diameter of the source. The extended fin has at least a length greater than the length of the contact surface of the source.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低成本性能优异的无埋块RF功率放大器
本公开涉及功率放大器,并且尤其涉及功率放大器的安装。
技术介绍
RF和其它高频(HF)功率放大器(PA)是用于将低功率RF信号转变成大功率的较大RF信号的半导体放大器的类型,典型地用于驱动传送器的天线。PA由安装在半导体封装内以形成PA模块的一个或多个功率晶体管构成。在本说明书中,PA模块将简单地称为PA。PA晶体管通过从电源(源极)取得能量且控制输出来匹配输入信号形状(栅极)但具有较大振幅,以增大输出信号(漏极)的功率。PA输出功率范围从低于一瓦到几百瓦。方法用于集成局部热移除系统,诸如将冷却元件结合到HF电路板上。发现此类局部热移除系统是通常由铜制成的金属埋块(coin)的形式。金属埋块可从构件快速地移除热,但导致更复杂的PCB制造工艺。PA效率是它将供应的功率转化成输送至天线的输出信号功率的能力的量度。未转化成有用输出信号的功率作为热被耗散。典型的PA性能因素包括:输出功率、增益、线性度、稳定性、电压偏压、功率效率和耐受性。PA解决方案的性能主要由以下确定:(1)与源极的电连接的质量,(2)漏极侧电阻抗的可重复性,以及(3)有效耗散由PA产生的大量热的能力。图1和2分别示出了功率放大器模块4的透视图和顶视图。典型的PA模块具有漏极1、栅极2和源极连接。源极具有穿过散热片的底侧的电连接,且热路径3在PA模块4的底座与散热片5的底侧之间。散热片5是包层或复合金属材料以匹配热膨胀且改善至PA半导体管芯的热/电传导性。图3示出了安装在PCB上且使用底侧热冷却9a和电连接9b的已知功率放大器4的截面视图。目前的PA解决方案 ...
【技术保护点】
一种功率放大器组件,包括:功率放大器,其具有带有栅极接触表面的栅极引线、带有漏极接触表面的漏极引线和源极接触表面,所述源极接触表面具有长度和宽度;以及相靠所述源极接触表面安装的延伸散热片,用于将热传导离开所述表面且延伸所述源极的电路径,所述延伸散热片至少具有大于所述源极接触表面的长度的长度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.22 US 62/1829191.一种功率放大器组件,包括:功率放大器,其具有带有栅极接触表面的栅极引线、带有漏极接触表面的漏极引线和源极接触表面,所述源极接触表面具有长度和宽度;以及相靠所述源极接触表面安装的延伸散热片,用于将热传导离开所述表面且延伸所述源极的电路径,所述延伸散热片至少具有大于所述源极接触表面的长度的长度。2.根据权利要求1所述的功率放大器组件,其特征在于,所述延伸散热片具有显著大于所述源极接触表面的宽度的宽度。3.根据权利要求2所述的功率放大器组件,其特征在于,所述延伸散热片具有显著大于所述源极接触表面的长度的长度。4.根据权利要求3所述的功率放大器组件,其特征在于,延伸超过所述源极接触表面的宽度和长度的所述散热片的一部分与所述栅极和漏极引线接触表面形成用于接收射频(RF)印刷电路板(PCB)的空间。5.根据权利要求4所述的功率放大器组件,其特征在于,所述空间具有等同于所述RFPCB的厚度的宽度。6.根据权利要求4所述的功率放大器组件,其特征在于,所述延伸散热片附连到铸件上而没有介入的埋块。7.根据权利要求5所述的功率放大器组件,其特征在于,当所述栅极接触表面、漏极接触表面和所述延伸散热片与所述RF印刷电路板的预定接触区域匹配时,在所述功率放大器组件与所述RFPCB之间产生电路径。8.根据权利要求7所述的功率放大器组件,其特征在于,所述栅极接触表面和所述漏极接触表面在所述栅极引线和所述漏极引线下方,且所述源极接触表面由于所述散热片延伸超过所述源极接触表面的宽度和长度而延伸。9.根据权利要求7所述的功率放大器组件,其特征在于,所述接触区域包括所述RFPCB的上接触表面和下接触表面。10.根据权利要求8所述的功率放大器组件,其特征在于,在所述功率放大器组件与所述RF印刷电路板之间的所述电接触当所述RFPCB夹在所述漏极和栅极接触表面与所述延伸散热片之间时产生。11.根据权利要求1所述的功率放大器组件,其特征在于,所述散热片包括槽口。12.根据权利要求11所述的功率放大器组件,其特征在于,所述槽口是U形的。13.根据权利要求1所述的功率放大器组件,其特征在于,所述散热片具有多层,其中至少一层是...
【专利技术属性】
技术研发人员:R斯姆普森,R内林格,M劳亚布希,
申请(专利权)人:瑞典爱立信有限公司,
类型:发明
国别省市:瑞典,SE
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