一种多晶硅炉体结构制造技术

本实用新型专利技术涉及晶体硅太阳能电池技术领域，公开了一种多晶硅炉体结构，包括坩埚，坩埚的护板开设至少一个第一溢流孔，坩埚下方的溢流线上位于第一溢流孔的正下方的位置处设置锯齿溢流线，坩埚内的多晶硅液由第一溢流孔溢出后落到锯齿溢流线上能够将锯齿溢流线熔断。本实用新型专利技术提出的多晶硅炉体结构，铸锭过程中熔化阶段，在将溢流线上位于第一溢流孔正下方的位置处设置锯齿溢流线，能有效防止线状溢流线位置偏置造成多晶硅液溢流时无法掉落在溢流线上，而无法触发报警带来的风险；当溢流发生在长晶阶段，护板上的第一溢流孔可以降低因坩埚底部温度低多晶硅液流至底部凝固无法流出护板的风险。

A polysilicon furnace body structure

The utility model relates to the technical field of crystal silicon solar battery, discloses a furnace body structure, including polysilicon crucible, crucible plate provided with at least one first overflow hole, serrated overflow line is position just below the line below the first crucible overflow overflow hole, the polysilicon crucible of liquid into the first overflow after the overflow hole overflow line can be serrated serrated overflow line fuse. Polysilicon furnace structure provided by the utility model, the melting stage in the casting process, will be set in the position below the overflow line saw Kong Zheng the first overflow overflow line, can effectively prevent the overflow line offset caused by linear overflow cannot fall in the polysilicon overflow line, and can not bring the risk of triggering alarm; when overflow occurs in the growth stage, the first overflow hole on the protective plate can be reduced because of the low temperature polysilicon crucible bottom liquid flow to the bottom of the solidification can not outflow risk guard board.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅炉体结构
本技术涉及晶体硅太阳能电池
，尤其涉及一种多晶硅炉体结构。
技术介绍
晶体硅太阳能电池在光伏行业中仍旧占据着90％的市场份额，而多晶硅电池以较低的铸锭成本占据着晶体硅电池的50％以上的市场份额。目前多晶硅铸锭采用的是定向凝固方法，使用的是石英坩埚作为容器盛装硅料。多晶硅铸锭过程要经历加热阶段、高温熔化阶段、长晶阶段、退火阶段和冷却阶段，在高温熔化阶段石英坩埚会发生软化现象，还会发生相变，造成坩埚自身强度下降，而此时坩埚受到来自于硅料的压力，在高温阶段坩埚很容易撕裂产生裂纹而漏硅。如图1所示，多晶硅炉体由上向下依次为坩埚1＇、DS块2＇、下保温板3＇、溢流线4＇，坩埚1＇由护板11＇围成用于盛装硅料，在下保温板3＇的边缘处设置第二溢流孔31＇，在铸锭过程的高温融化阶段，多晶硅液溢出后会经上述第二溢流孔31＇流出并落到溢流线4＇上并将其熔断以触发报警，从而可以及时进入急冷，降低损失和危险。但现有溢流线4＇为线状结构，当溢流线4＇偏置时，多晶硅液无法落到溢流线4＇上而导致多晶硅液无法将溢流线4＇熔断以触发报警，造成重大的经济损失，以及较大的安全隐患。同时，在长晶阶段过程中如果发生漏硅现象，由于DS块2＇温度较低，漏出的多晶硅液处于凝固状态无法流到下保温板3＇上的第二溢流孔31＇，进而难以触发漏硅报警。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种多晶硅炉体结构，解决了多晶硅溢流后无法落到溢流线上而导致多晶硅液无法将溢流线熔断的问题。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种多晶硅炉体结构，包括坩埚，所述坩埚的护板开设至少一个第一溢流孔，所述坩埚下方的溢流线上位于所述第一溢流孔的正下方的位置处设置锯齿溢流线，所述坩埚内的多晶硅液由所述第一溢流孔溢出后落到所述锯齿溢流线上能够将所述锯齿溢流线熔断，以触发警报。本技术提出的多晶硅炉体结构，铸锭过程中熔化阶段，溢流线上位于第一溢流孔正下方的位置处设置锯齿溢流线，能有效防止线状溢流线位置偏置造成多晶硅液溢流时无法掉落在溢流线上，而无法触发报警带来的风险；当溢流发生在长晶阶段，护板上的第一溢流孔可以降低因坩埚底部温度低多晶硅液流至底部凝固无法流出护板的风险；多晶硅炉体结构装置简单，改造成本不高，能够有效增加漏硅报警率，降低经济损失及安全隐患。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，所述第一溢流孔的直径范围为2cm-3cm。防止第一溢流孔被氧化物堵塞，多晶硅液无法从第一溢流孔流出的情况发生。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，所述第一溢流孔的中心轴线与所述护板下方的DS块之间的垂直距离为18cm-20cm。多晶硅在长晶阶段DS块温度较低，上述距离的设置能够保证多晶硅液能够从第一溢流孔顺利流出，不会于因为凝固而无法流出。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，所述坩埚的每个所述护板上均开设有多个所述第一溢流孔。多晶硅液可以从每个护板的第一溢流孔中流出，增加了多晶硅液熔断溢流线的概率。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，每个所述护板上开设两个所述第一溢流孔。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，所述锯齿溢流线的锯齿的幅度a为2cm-3cm，齿宽b为0.5cm-1cm。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，每个所述锯齿溢流线的锯齿个数为1-10个。作为上述多晶硅炉体结构的一种优选方案，所述坩埚下方由上到下依次设置下保温板和所述溢流线，所述下保温板位于所述溢流线的正上方位置处设置第二溢流孔，所述第二溢流孔的直径范围为2cm-3cm，所述多晶硅液从所述第二溢流孔流出后落到所述溢流线上能够将所述溢流线熔断，以触发报警。降低多晶硅炉体在运行中被氧化物堵塞的概率，防止多晶硅液无法流至溢流线而不能熔断溢流线触发报警，造成重大的经济损失，以及较大的安全隐患的现象发生。本技术的有益效果：本技术提出的多晶硅炉体结构，铸锭过程中熔化阶段，在将溢流线位于第一溢流孔正下方的位置处设置锯齿溢流线，能有效防止线状溢流线位置偏置造成多晶硅液溢流时无法掉落在溢流线上，而无法触发报警带来的风险；当溢流发生在长晶阶段，护板上的第一溢流孔可以降低因坩埚底部温度低多晶硅液流至底部凝固无法流出护板的风险；多晶硅炉体结构装置简单，改造成本不高，能够有效增加漏硅报警率，降低经济损失及安全隐患。附图说明图1现有技术中多晶硅炉体结构的示意图；图2是本技术具体实施方式提供的多晶硅炉体结构的示意图；图3是本技术具体实施方式提供的锯齿溢流线的结构示意图。其中：1＇、坩埚；2＇、DS块；3＇、下保温板；4＇、溢流线；11＇、护板；31＇、第二溢流孔；1、坩埚；2、DS块；3、下保温板；4、溢流线；11、护板；31、第二溢流孔；41、锯齿溢流线；111、第一溢流孔。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。本实施方式提供一种多晶硅炉体结构，如图2和图3所示，该多晶硅炉体结构由上向下依次包括坩埚1、DS块2、下保温板3和溢流线4，坩埚1用于盛装硅料的容器，坩埚1的护板11开设至少一个第一溢流孔111，坩埚1下方的溢流线4上位于第一溢流孔111的正下方的位置处设置锯齿溢流线41，坩埚1内的多晶硅液由第一溢流孔111溢出后落到锯齿溢流线41上能够将锯齿溢流线41熔断，以触发警报。锯齿溢流线41的设置增大了线状溢流线4的面积，使得多晶硅液与锯齿溢流线41的接触面积较大，增加了多晶硅液熔断锯齿溢流线41的概率。具体的，坩埚1的每个护板11上均开设有多个第一溢流孔111。多晶硅液可以从每个护板11的第一溢流孔111中流出，增加了多晶硅液熔断溢流线4的概率。优选的，每个护板11上开设两个第一溢流孔111，相应的，溢流线4上位于每个护板11上的两个第一溢流孔111的正下方分别对应设置有锯齿溢流线41。第一溢流孔111的直径范围为2cm-3cm，例如，第一溢流孔111的直径为2cm、2.5cm、3cm等，能够有效防止第一溢流孔111被氧化物堵塞，导致多晶硅液无法从第一溢流孔111流出的情况发生。第一溢流孔111的中心轴线与护板11下方的DS块2的垂直距离为18cm-20cm，例如，第一溢流孔111的中心轴线与护板11下方的DS块2的垂直距离为18cm、19cm、20cm等。多晶硅在长晶阶段DS块2温度较低，上述距离的设置能够保证多晶硅液能够从第一溢流孔111顺利流出，不会于因为凝固而无法流出。如图2所示，每个锯齿溢流线41的锯齿个数为1-10个，例如，锯齿个数为1个、3个、5个、7个、9个、10个等，优选的，每个锯齿溢流线41的锯齿个数为5个，如图3所示，锯齿溢流线41的锯齿的幅度a为2cm-3cm，例如,幅度a为2cm、2.5cm、3cm等，齿宽b为0.5cm-1cm，例如,齿宽b为0.5cm、0.7cm、1cm等，能够有效保证当多晶硅液从第一溢流孔111溢出后落到该锯齿溢流线41时，能够有效将锯齿溢流线41熔断。坩埚1下方由上到下依次设置下保温板3和溢流线4，下保温板3位于溢流线4的正上方的位置处设置第二溢流孔31，第二溢流孔31的直径范围为2cm-3cm，例如，第二溢流孔31的直径为2cm、2.5cm、3cm等。多晶硅液可从第二溢流孔31流出并落到溢流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅炉体结构，其特征在于，包括坩埚(1)，所述坩埚(1)的护板(11)开设至少一个第一溢流孔(111)，所述坩埚(1)下方的溢流线(4)上位于所述第一溢流孔(111)的正下方的位置处设置锯齿溢流线(41)，所述坩埚(1)内的多晶硅液由所述第一溢流孔(111)溢出后落到所述锯齿溢流线(41)上能够将所述锯齿溢流线(41)熔断，以触发报警。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅炉体结构，其特征在于，包括坩埚(1)，所述坩埚(1)的护板(11)开设至少一个第一溢流孔(111)，所述坩埚(1)下方的溢流线(4)上位于所述第一溢流孔(111)的正下方的位置处设置锯齿溢流线(41)，所述坩埚(1)内的多晶硅液由所述第一溢流孔(111)溢出后落到所述锯齿溢流线(41)上能够将所述锯齿溢流线(41)熔断，以触发报警。2.根据权利要求1所述的多晶硅炉体结构，其特征在于，所述第一溢流孔(111)的直径范围为2cm-3cm。3.根据权利要求1所述的多晶硅炉体结构，其特征在于，所述第一溢流孔(111)的中心轴线与所述护板(11)下方的DS块(2)之间的垂直距离为18cm-20cm。4.根据权利要求1-3任一所述的多晶硅炉体结构，其特征在于，所述坩埚(1)的每个所述护板(11)上均开设有多个所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小元，宋江，郭宽新，
申请(专利权)人：奥特斯维能源太仓有限公司，泗阳瑞泰光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32