The invention provides a method for preparing crystalline silicon crystal silicon diamond wire cutting waste system, belonging to the two resource utilization technology, the specific steps are as follows: first, the crystal silicon diamond wire cutting waste pickling impurity removal, slurry obtained purified waste powder by filtration, washing, cutting after drying. Then, mix the appropriate amount of water and binder into the powder and mix evenly in the mixing machine. The mixed material is pressed into the briquetting press to form the dried block after drying. Finally, the block of ingot, silicon ingot to be cooled, trim both ends, the middle part is in line with the remaining crystalline silicon ingot purity requirements. The method has the advantages of short flow, low energy consumption and easy operation, and it is easy to realize industrial production. This method is not only economic, but also of great significance in environmental protection.
【技术实现步骤摘要】
一种用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅的方法
本专利技术涉及二次资源利用的
,特别涉及一种用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅的方法。
技术介绍
目前,世界上使用的能源中,化石能源仍然占主导。但是,其大量使用带来诸多问题,一方面,化石能源如煤、石油及天然气的储量有限,难以满足人类对于能源日益增加的需求;另一方面,化石能源的使用会导致严重的环境问题,如雾霾、酸雨、温室效应等,危害人类健康。因此,寻找可再生能源代替化石能源成为当务之急。太阳能因其无污染、永不枯竭等优点而被认为是具有发展价值的能源之一。太阳能发电的核心材料为晶体硅片,是通过对晶体硅进行多线切割得到,多线切割工艺包括砂浆碳化硅切割工艺和金刚线切割工艺,但由于切割丝的直径与所需晶体硅片的厚度相近,采用其中任意一种切割工艺均会造成35~40%的晶体硅被浪费形成废料。逐年增加的晶体硅片产量导致越来越多的废料产生,大量的固体废弃物堆积对环境造成极大压力。目前,大部分公开的专利都是关于砂浆碳化硅切割废料的回收利用方面,而对于金刚线切割废料利用的研究较少。采用金刚线切割工艺得到的废料主要成分为优质的高纯硅粉,仅含少量有机溶剂、少量金属杂质,因此若是能将该种废料有效利用,再次制成晶体硅,实现变废为宝,不仅具有极大的经济效益,而且,在环保层面上也有重要意义。关于利用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅方面,课题组做了大量的研究,并已经申请了相关专利:(1)邢鹏飞,孔剑,金星,李欣,高波,都兴红.一种从晶体硅的切割废料浆中回收高纯硅粉的方法.申请号201610948472.9.(2)邢鹏飞,刘洋,孔剑,王敬强,金星 ...
【技术保护点】
一种用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将切割废料进行酸洗除杂,酸洗所得的料浆经过滤、水洗、烘干,得到净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体;(2)将净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体于压块机中压块成型,经烘干后得到干燥的块体;或者,在净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体中配入水与粘结剂,在混料机中混合均匀,将混合后的物料于压块机中压块成型,经烘干后得到干燥的块体,所述混合物料中水的配入量不超过40%,粘结剂的配入量不超过10%;(3)将步骤(2)所得块体进行铸锭,所述的铸锭工艺路线分为以下两种:路线一:将步骤(2)中得到的块体进行一次铸锭,如若所得的晶体硅达到目标纯度要求,则直接进入步骤(4),如若所得的晶体硅不能达到纯度要求,则进行二次铸锭,得到硅锭;或者,将步骤(2)中得到的块体与晶体硅掺杂后,进行一次铸锭,如若所得的晶体硅达到目标纯度要求,则直接进入步骤(4),如若所得的晶体硅不能达到纯度要求,则进行二次铸锭,得到硅锭;所述晶体硅的掺杂量不超过95%;路线二:将步骤(2)中得到的块体直接进行一次铸锭,得到的产物经破碎后,再与晶体硅掺杂,进行二次铸 ...
【技术特征摘要】
1.一种用晶体硅的金刚线切割废料制备晶体硅的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将切割废料进行酸洗除杂,酸洗所得的料浆经过滤、水洗、烘干,得到净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体;(2)将净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体于压块机中压块成型,经烘干后得到干燥的块体;或者,在净化后的晶体硅的金刚线切割废料粉体中配入水与粘结剂,在混料机中混合均匀,将混合后的物料于压块机中压块成型,经烘干后得到干燥的块体,所述混合物料中水的配入量不超过40%,粘结剂的配入量不超过10%;(3)将步骤(2)所得块体进行铸锭,所述的铸锭工艺路线分为以下两种:路线一:将步骤(2)中得到的块体进行一次铸锭,如若所得的晶体硅达到目标纯度要求,则直接进入步骤(4),如若所得的晶体硅不能达到纯度要求,则进行二次铸锭,得到硅锭;或者,将步骤(2)中得到的块体与晶体硅掺杂后,进行一次铸锭,如若所得的晶体硅达到目标纯度要求,则直接进入步骤(4),如若所得的晶体硅不能达到纯度要求,则进行二次铸锭,得到硅锭;所述晶体硅的掺杂量不超过95%;路线二:将步骤(2)中得到的块体直接进行一次铸锭,得到的产物经破碎后,再与晶体硅掺杂,进行二次...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢鹏飞,魏冬卉,孔剑,金星,都兴红,冯忠宝,
申请(专利权)人:东北大学,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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