电磁炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种电磁炉，包括IGBT(1)和用于控制IGBT(1)开闭的驱动电路(2)，该驱动电路(2)包括控制组件(21)和与该控制组件(21)连接的电流放大电路(22)，其中，该控制组件(21)包括相互连接的脉冲产生单元(211)和电平转换单元(212)，该电平转换单元(212)与电流放大电路(22)连接，脉冲产生单元(211)用于产生脉冲信号，电平转换单元(212)用于根据该脉冲信号的电平值输出IGBT(1)的控制信号，电流放大电路(22)用于根据IGBT(1)的控制信号控制IGBT(1)的开闭。该技术方案中，电路简单，零散的元器件较少，简化了成本，解决电磁炉可靠度低的问题。

Electromagnetic furnace

The utility model provides an electromagnetic oven, including IGBT (1) and IGBT (1) is used to control the drive circuit closed (2), the drive circuit (2) comprises a control module (21) and the control unit (21) connected to the current amplifying circuit (22), wherein, the control module (21) including connected pulse generation unit (211) and a level conversion unit (212), the level conversion unit (212) and a current amplifying circuit (22) connected to the pulse generation unit (211) for generating a pulse signal level conversion unit (212) according to the level of the pulse signal output value IGBT (1) of the control signal, a current amplifying circuit (22) according to IGBT (1) of the control signal to control the opening and closing of the IGBT (1). In this scheme, the circuit is simple and the scattered components are less, the cost is simplified and the reliability of the electromagnetic furnace is low.

【技术实现步骤摘要】
电磁炉
本技术涉及电路结构
，尤其涉及一种电磁炉。
技术介绍
电磁炉由于具有热效率高、无油烟、可移动、方便简洁等特点，应用的越来越广泛。电磁炉的加热原理可简单理解为：驱动电路向开关器件发送一定频率的脉冲信号，使得开关器件在导通与关断间切换。开关器件通常选用绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)。当IGBT导通，谐振电路充电；当IGBT关断，谐振电路放电，产生交变磁场，交变磁场切割放置在电磁炉上的锅具对其进行加热。目前，最接近的现有技术是申请号为200710030279.8的一种电磁炉的可编程IGBT驱动电路装置，该装置包括可编程IGBT驱动电路控制芯片装置、脉宽调控电路。图1为现有技术中脉宽调控电路的原理图。如图1所示，该脉宽调控电路主要由低功耗双电压比较器LM393、8050型三极管Q2及8550型三极管Q1构成，并搭配电阻R34、R5、R6、R7和电容C4实现，关于各器件的具体连接方式参见图1所示。现有技术的该装置能够对IGBT驱动电路进行全方位监测和精确控制，有利于延长IGBT的使用寿命和简化脉宽调控电路的结构，提高了电磁炉的可靠性。然而，上述装置中的元器件较多，电路复杂，成本高，因而可能出现电磁炉可靠度低的问题。
技术实现思路
为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本技术提供一种电磁炉，用于解决现有驱动电路复杂，成本高，电磁炉可靠度低的问题。本技术实施例提供一种电磁炉，包括：IGBT和用于控制所述IGBT开闭的驱动电路，所述驱动电路包括：控制组件和与所述控制组件连接的电流放大电路，其中，所述控制组件包括相互连接的脉冲产生单元和电平转换单元，所述电平转换单元与所述电流放大电路连接；所述脉冲产生单元用于产生脉冲信号，所述电平转换单元用于根据所述脉冲信号的电平值输出所述IGBT的控制信号，所述电流放大电路用于根据所述IGBT的控制信号控制所述IGBT的开闭。在本实施例中，IGBT的驱动电路包括控制组件和电流放大电路，相对于现有技术，电路简单，零散的元器件较少，简化了成本，解决电磁炉可靠度低的问题。在本技术的一实施例中，所述控制组件还包括：连接在所述脉冲产生单元和所述电平转换单元之间的反相延时单元；所述反相延时单元用于控制所述脉冲产生单元输出的脉冲信号的宽度和所述脉冲信号作用于所述电平转换单元的时间，以控制所述电平转换单元输出所述IGBT的控制信号。在该实施例中，可以利用反相延时单元的反相特性控制脉冲信号的高电平宽度，利用反相延时单元的延时特性控制脉冲信号作用于电平转换单元的时间，即利用反相延时单元的反相特性和延时特性可以自由调整控制组件输出的电平极性，为合理有效控制IGBT的导通或关闭奠定了基础，进而可以保证电磁炉的正常工作。在本技术的上述实施例中，所述控制组件还包括：与所述反相延时单元连接的用户操作区；所述用户操作区用于接收用户的输入指令以控制所述反相延时单元的工作状态。在本实施例中，通过该用户操作区可以精确控制经过反相延时单元的脉冲信号的脉冲宽度和脉冲信号作用于电平转换单元的时间，提高了该驱动电路的可靠度。在本技术的上述实施例中，所述控制组件为控制芯片，所述脉冲产生单元、所述电平转换单元、所述反相延时单元和所述用户操作区均集成在所述控制芯片上。在本实施例中，当控制组件采用控制芯片实现时，可以首先确定脉冲产生单元、电平转换单元、反相延时单元和用户操作区在控制芯片上的布局，并分别将其集成在该控制芯片上，这样能够简化上述驱动电路，减少控制芯片的外围电路，方便电路板设计，可靠度高。在本技术的上述任一实施例中，所述电平转换单元包括：第一三极管，所述第一三极管用于在所述脉冲信号处于高电平时输出所述电流放大电路的基准电压。本实施例中，由于电平转换单元包括第一三极管，利用第一三极管的放大特性可以在脉冲信号处于高电平时得到电流放大电路的基准电压，也即，IGBT的驱动电压，为驱动IGBT奠定了基础。在本实施例的上述实施例中，在所述脉冲信号处于高电平时，所述第一三极管处于饱和状态，所述第一三极管的输出电压为0V，在所述脉冲信号处于低电平时，所述第一三极管处于截止状态，所述第一三极管的输出电压等于所述电流放大电路的基准电压。本实施例利用第一三极管的截止状态和饱和状态，使得第一三极管在脉冲信号处于低电平时，其输出电压等于电流放大电路的基准电压，因而可以得到IGBT的驱动电压。在本技术的上述实施例中，所述电流放大电路包括：互为配对管的第二三极管和第三三极管；所述第二三极管的基极和第三三极管的基极均与所述第一三极管的集电极连接，所述第二三极管的集电极接基准电压，所述第三三极管发射极接地，所述第二三极管的发射极通过第一电阻与所述第三三极管的集电极连接，所述第一电阻与所述第三三极管的集电极之间形成IGBT驱动输出端，所述IGBT驱动输出端与所述IGBT连接。利用互为配对管的第二三极管和第三三极管组成电流放大电路，其能够输出控制IGBT的驱动电压，并且能够控制IGBT的导通或关断，为电磁炉产生交变磁场提供了条件。在本技术的上述实施例中，在所述第一三极管的输出电压为0V时，所述第二三极管处于截止状态，所述第三三极管处于导通状态，所述IGBT关断，在所述第一三极管的输出电压等于所述电流放大电路的基准电压时，所述第二三极管处于导通状态，所述第三三极管处于截止状态，所述IGBT导通。本实施例利用第二三极管和第三三极管的截止状态和饱和状态能够准确控制IGBT的关断或导通，其为电磁炉正常工作奠定了条件。在本技术的上述实施例中，所述第一三极管为NPN型三极管，所述第二三极管为NPN型三极管，所述第三三极管为PNP型三极管。在本技术的上述实施例中，所述第一三极管和所述第二三极管均为8050型三极管，所述第三三极管为8550型三极管。由于8050型三极管和8550型三极管的性能比较稳定，因此，本实施例中利用8050型三极管作为第一三极管和第二三极管，其能够精确控制IGBT的导通或关断。本技术的构造以及它的其他技术目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。附图说明图1为现有技术中脉宽调控电路的原理图；图2为本技术提供的电磁炉实施例一的电路结构示意图；图3为图2所示电磁炉实施例中驱动电路的原理图；图4为本技术提供的电磁炉实施例二的电路结构示意图。附图标记：1：IGBT；2：驱动电路；21：控制组件；22：电流放大电路；211：脉冲产生单元；212：电平转换单元；213：反相延时单元；214：用户操作区；Q1：第一三极管；Q2：第二三极管；Q3：第三三极管；R1：第一电阻。具体实施方式图2为本技术提供的电磁炉实施例一的电路结构示意图。图3为图2所示电磁炉实施例中驱动电路的原理图。如图2和图3所示，本实施例提供的电磁炉，包括：IGBT1和用于控制该IGBT1开闭的驱动电路2，该驱动电路2包括：控制组件21和与该控制组件21连接的电流放大电路22，其中，该控制组件21包括相互连接的脉冲产生单元211和电平转换单元212，该电平转换单元212与上述电流放大电路22连接。在本技术的实施例中，该脉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁炉，包括：IGBT(1)和用于控制所述IGBT(1)开闭的驱动电路(2)，所述驱动电路(2)包括：控制组件(21)和与所述控制组件(21)连接的电流放大电路(22)，其特征在于，所述控制组件(21)包括相互连接的脉冲产生单元(211)和电平转换单元(212)，所述电平转换单元(212)与所述电流放大电路(22)连接；所述脉冲产生单元(211)用于产生脉冲信号，所述电平转换单元(212)用于根据所述脉冲信号的电平值输出所述IGBT(1)的控制信号，所述电流放大电路(22)用于根据所述IGBT(1)的控制信号控制所述IGBT(1)的开闭。

【技术特征摘要】
1.一种电磁炉，包括：IGBT(1)和用于控制所述IGBT(1)开闭的驱动电路(2)，所述驱动电路(2)包括：控制组件(21)和与所述控制组件(21)连接的电流放大电路(22)，其特征在于，所述控制组件(21)包括相互连接的脉冲产生单元(211)和电平转换单元(212)，所述电平转换单元(212)与所述电流放大电路(22)连接；所述脉冲产生单元(211)用于产生脉冲信号，所述电平转换单元(212)用于根据所述脉冲信号的电平值输出所述IGBT(1)的控制信号，所述电流放大电路(22)用于根据所述IGBT(1)的控制信号控制所述IGBT(1)的开闭。2.根据权利要求1所述的电磁炉，其特征在于，所述控制组件(21)还包括：连接在所述脉冲产生单元(211)和所述电平转换单元(212)之间的反相延时单元(213)；所述反相延时单元(213)用于控制所述脉冲产生单元(211)输出的脉冲信号的宽度和所述脉冲信号作用于所述电平转换单元(212)的时间，以控制所述电平转换单元(212)输出所述IGBT(1)的控制信号。3.根据权利要求2所述的电磁炉，其特征在于，所述控制组件(21)还包括：与所述反相延时单元(213)连接的用户操作区(214)；所述用户操作区(214)用于接收用户的输入指令以控制所述反相延时单元(213)的工作状态。4.根据权利要求3所述的电磁炉，其特征在于，所述控制组件(21)为控制芯片，所述脉冲产生单元(211)、所述电平转换单元(212)、所述反相延时单元(213)和所述用户操作区(214)均集成在所述控制芯片上。5.根据权利要求1-4任一项所述的电磁炉，其特征在于，所述电平转换单元(212)包括：第一三极管(Q1)，所述第一三极管(Q1)用于在所述脉冲信号处于高电平时输出所...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵礼荣，孙鹏刚，
申请(专利权)人：浙江绍兴苏泊尔生活电器有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33