The invention belongs to the technical field of inorganic nanomaterials, in particular to a method for the synthesis of five oxidation two niobium microspheres and micron flowers by a template free solvent heat controllable synthesis. \u5177\u4f53\u6b65\u9aa4\u662f\uff1a\u9996\u5148\u5c06\u4e00\u5b9a\u91cf\u7684\u94cc\u7684\u65e0\u673a\u7269\u79bb\u5b50\u76d0\u548c\u6c89\u6dc0\u5242\u6309\u4e00\u5b9a\u6bd4\u4f8b\u6df7\u5408\uff0c\u5206\u522b\u6eb6\u89e3\u4e8e\u4e24\u79cd\u4e0d\u540c\u6709\u673a\u6eb6\u5242\u4e2d\uff1b\u7136\u540e\u8d85\u58f015\u201130\u5206\u949f\uff0c\u4f7f\u56fa\u4f53\u7c89\u672b\u5b8c\u5168\u6eb6\u89e3\u5e76\u6df7\u5408\u5747\u5300\uff0c\u6700\u540e\uff0c\u5c06\u4e0a\u8ff0\u4e24\u4efd\u6eb6\u6db2\u5206\u522b\u8f6c\u79fb\u5230\u805a\u56db\u6c1f\u4e59\u70ef\u886c\u5e95\u7684\u53cd\u5e94\u91dc\u4e2d\uff0c\u5bc6\u5c01\uff0c\u7f6e\u4e8e\u70d8\u7bb1\u4e2d\uff0c\u63a7\u5236\u70d8\u7bb1\u7684\u6e29\u5ea6\u4e3a180\u2011200\u2103\uff0c\u53cd\u5e948\u201112\u5c0f\u65f6\uff0c\u53cd\u5e94\u7ed3\u675f\u540e\uff0c\u5c06\u4ea7\u7269\u51b7\u5374\u81f3\u5ba4\u6e29\uff1b\u5bf9\u6c89\u6dc0\u4ea7\u7269\u79bb\u5fc3\u5206\u79bb\uff0c\u6536\u96c6\u56fa\u4f53\uff0c\u7528\u53bb\u79bb\u5b50\u6c34\u548c\u65e0\u6c34\u4e59\u9187\u6d17\u6da4\u6570\u6b21\u3001\u771f\u7a7a\u5e72\u71e5\uff0c\u5373\u5f97\u4e94\u6c27\u5316\u4e8c\u94cc\u5fae\u7c73\u7403\u548c\u5fae\u7c73\u82b1\u6750\u6599\u3002
【技术实现步骤摘要】
一种无模板溶剂热可控合成五氧化二铌微米球和微米花的方法
本专利技术属于无机纳米材料
,具体涉及一种无模板溶剂热可控合成五氧化二铌微米球和微米花的方法。
技术介绍
五氧化二铌是重要的n-型宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.4eV,因其特殊的层状结构被广泛研究用于储能材料领域。五氧化二铌作为储能材料是体相发生离子的插层反应,离子半径大小与五氧化二铌层间距相匹配,可以有效的削弱离子插层引起的应力,这样,离子的嵌入/脱出不会引起五氧化二铌纳米材料本身的结构改变,用做储能材料时可以大大增加材料的使用寿命。同时,体相离子插层型储能的五氧化二铌纳米材料有别于表面发生氧化还原反应的铁、钴、镍、锰基氧化物/氢氧化物型储能方式,体相储能活性材料利用率高,性价比高;表面发生氧化还原反应型储能只在表面进行,造成活性材料极大的浪费,并且,表面发生氧化还原反应会导致材料本身结构的坍塌,从而使电极材料的使用寿命大大降低。五氧化二铌作为储能材料可以广泛的应用于交通、航天、军工、电网、家用电器等储能设备;五氧化二铌带隙较宽,用于光催化领域,目前研究中将五氧化二铌与氮化碳复合用于光催化产氢/氧。金属氧化物的合成方法有好多,包括水热/溶剂热合成法、液相自组装、阳极氧化法、化学沉积法等。其中,水热/溶剂热合成法因其简单易操作,不需要特殊实验设备倍受科研工作者的青睐。本研究对象五氧化二铌的合成在文献报道中多采用水热/溶剂热合成方法,制备出的五氧化二铌纳米棒和微米球居多,也有采用氧化法等其他方法来制备不同形貌的五氧化二铌,此类合成方法需要特殊实验设备,合成路线复杂,实验药品往往较昂贵。专利 ...
【技术保护点】
一种无模板溶剂热可控合成五氧化二铌微米球和微米花的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)五氧化二铌前驱体溶液的制备:将铌的无机物离子盐和沉淀剂按一定比例混合,然后将混合物分别溶解于两种不同的有机溶剂中,制得五氧化二铌前驱体溶液,备用;(2)五氧化二铌微米球和微米花的制备:将步骤(1)中制备的五氧化二铌前驱体溶液倒入烧杯中,超声15‑30min,然后转移到聚四氟乙烯衬底的反应釜中,置于烘箱中反应,反应结束后冷却至室温,得到五氧化二铌微米球和微米花,待处理;(3)五氧化二铌微米球和微米花的后处理:将步骤(2)所得的五氧化二铌微米球和微米花离心分离,收集,分别用去离子水和无水乙醇清洗数次,在真空干燥器中60‑80℃下干燥2‑5小时,即得五氧化二铌纳米材料。
【技术特征摘要】
1.一种无模板溶剂热可控合成五氧化二铌微米球和微米花的方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)五氧化二铌前驱体溶液的制备:将铌的无机物离子盐和沉淀剂按一定比例混合,然后将混合物分别溶解于两种不同的有机溶剂中,制得五氧化二铌前驱体溶液,备用;(2)五氧化二铌微米球和微米花的制备:将步骤(1)中制备的五氧化二铌前驱体溶液倒入烧杯中,超声15-30min,然后转移到聚四氟乙烯衬底的反应釜中,置于烘箱中反应,反应结束后冷却至室温,得到五氧化二铌微米球和微米花,待处理;(3)五氧化二铌微米球和微米花的后处理:将步骤(2)所得的五氧化二铌微米球和微米花离心分离,收集,分别用去离子水和无水乙醇清洗数次,在真空干燥器中60-80℃下干燥2-5小时,即得五氧化二铌纳米材料。2.根据权利要求1所述的一种无模板溶剂热可控合成五氧化二铌微米球和微米花的方法,其特征在于,步骤(...
【专利技术属性】
技术研发人员:连加彪,李圣远,汪婷,李华明,
申请(专利权)人:江苏大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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