带双IH加热功能的电路制造技术

一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。本发明专利技术通过上述结构的改良，经过软件处理，大大地减少元器件，对于批量生产时，能有效地节约生产成本，同时电路给IH加热原理更多的产品设计空间，极大地满足了生产加工需求，用户在使用时只需要一台设备即可实现两个IH加热，使用户烹饪食物时更加快捷、方便。其具有结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠等特点，实用性强。

Circuit with double IH heating function

A circuit with dual IH heating function is characterized by including one MCU and two IGBT, two IGBT back pressure detection, one IO shared by MCU, one IO shared by MCU and two IGBT sharing one synchronous circuit. The present invention by improving the structure, through software processing, greatly reduce the components for mass production, can effectively save the cost of production, at the same time the circuit for IH heating principle more product design space, greatly satisfy the production demand, users in the use of only one set of the equipment can achieve two IH heating, cooking food users faster and more convenient. The utility model has the characteristics of simple and reasonable structure, excellent performance, quick assembly, small volume, low manufacturing cost, easy production, easy implementation, and safety and reliability, and has strong practicability.

【技术实现步骤摘要】
带双IH加热功能的电路
本专利技术涉及一种带双IH加热功能的电路，具体是一种应用于变频微波炉的带双IH加热功能的电路。
技术介绍
IH加热是通过电磁线圈接通交变电流，产生磁场并在金属表面产生很多的小漩涡，从而对金属表面进行加热，省略了加热盘的热量传导过程，其热效率高、升温迅速、功率大、使用安全，已经广泛应用在食物加热设备上，其中很多高端食物加热设备还引入了多级线圈，实现了对整个烹饪内胆环绕加热，使加热更加均匀；同时IH加热还能实现精准的程序控制，设定不同加热阶段的加热方案，提高了用户体验性。随着技术的创新发展，IH加热应用于各类行业，特别在食物加热设备上，如果一台设备需要两个IH加热，如两个灶一起的电磁炉，则需要两台IH加热设备，两台IH加热设备即需要两个主控芯片、两个电流检测、两路IGBT反压检测电路，导致器件多、PCB面积过大、生成成本高等问题，不能满足生产加工需求。因此，有必要进一步改进。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在提供一种结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠的带双IH加热功能的电路，以克服现有技术中的不足之处。按此目的设计的一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。还包括：电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；二极管D1、D2；电流采样电阻KT1；整流桥DB1；接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；电感L1；所述的两个IGBT为Q7、Q8。所述IGBTQ7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBTQ8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。所述IGBTQ7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBTQ8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。所述IGBTQ7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBTQ8栅极与R29另一端、MCU连接。所述降压电阻R8另一端与二极管D1正极连接,降压电阻R17另一端与二极管D2正极连接，二极管D1负极与二极管D2负极、电阻R16一端连接，电阻R16另一端与电容C8一端、电阻R19一端、电阻R21一端连接，电容C8另一端接地，电阻R19另一端与电容C11一端、MCU连接，电阻R21另一端与电容C9一端、电阻R24一端、电阻R25一端连接，电阻R24另一端与MCU连接，电阻R25另一端接地、且与电容C9另一端连接。所述整流桥DB1正极与电感L1一端连接，电感L1另一端与电阻R1一端、电容C2另一端、接线盘端子OUT3一端、接线盘端子OUT1、电容C1另一端连接，接线盘端子OUT3另一端与电容C6一端连接，电容C6另一端与接线盘端子OUT4另一端连接。所述电阻R1另一端与电阻R2、电阻R3、电阻R9串联后与分压电阻R15一端连接，电阻R15另一端接地、且与电容C5一端连接，电容C5另一端与电容C11另一端、MCU连接。所述电阻R10另一端与电阻R12一端、电容C4一端、MCU连接，电阻R11另一端与MCU连接，电阻R12另一端接+5V，电容C4另一端接地。所述电容C12一端接地、且与MCU连接，电容C12另一端接+5V、且与MCU连接。本专利技术通过上述结构的改良，提供两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路；经过软件处理，大大地减少元器件，对于批量生产时，能有效地节约生产成本，同时电路给IH加热原理更多的产品设计空间，极大地满足了生产加工需求，用户在使用时只需要一台设备即可实现两个IH加热，使用户烹饪食物时更加快捷、方便。其具有结构简单合理、性能优异、装配快捷、体积少、制造成本低、易生产、易实现且安全可靠等特点，实用性强。附图说明图1为本专利技术第一实施例电路原理图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术作进一步描述。参见图1，本带双IH加热功能的电路，包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。本电路还包括：电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；二极管D1、D2；电流采样电阻KT1；整流桥DB1；接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；电感L1；所述的两个IGBT为Q7、Q8。进一步地讲，IGBTQ7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBTQ8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。进一步地讲，IGBTQ7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBTQ8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。进一步地讲，IGBTQ7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBTQ8栅极与R29另一端、MCU连接。进一步地讲，降压电阻R8另一端与二极管D1正极连接,降压电阻R17另一端与二极管D2正极连接，二极管D1负极与二极管D2负极、电阻R16一端连接，电阻R16另一端与电容C8一端、电阻R19一端、电阻R21一端连接，电容C8另一端接地，电阻R19另一端与电容C11一端、MCU连接，电阻R21另一端与电容C9一端、电阻R24一端、电阻R25一端连接，电阻R24另一端与MCU连接，电阻R25另一端接地、且与电容C9另一端连接。进一步地讲，整流桥DB1正极与电感L1一端连接，电感L1另一端与电阻R1一端、电容C2另一端、接线盘端子OUT3一端、接线盘端子OUT1、电容C1另一端连接，接线盘端子OUT3另一端与电容C6一端连接，电容C6另一端与接线盘端子OUT4另一端连接。进一步地讲，电阻R1另一端与电阻R2、电阻R3、电阻R9串联后与分压电阻R15一端连接，电阻R15另一端接地、且与电容C5一端连接，电容C5另一端与电容C11另一端、MCU连接。进一步地讲，电阻R10另一端与电阻R12一端、电容C4一端、MCU连接，电阻R11另一端与MCU连接，电阻R12另一端接+5V，电容C4另一端接地。进一步地讲，电容C12一端接地、且与MCU连接，电容C12另一端接+5V、且与MCU连接。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本领域的技术人员应该了解本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。

【技术特征摘要】
1.一种带双IH加热功能的电路，其特征在于：包括一个MCU和两个IGBT，两个IGBT反压检测共用一个MCU的IO口、电流检测共用一个MCU的IO口，两个IGBT共用一个同步电路。2.根据权利要求1所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：还包括：电阻R1、R2、R3、R8、R9、R10、R11、R12、R15、R16、R17、R19、R21、R24、R25、R28，其中R8和R17为降压电阻、且分别串若个电阻进行降压，R15为分压电阻；二极管D1、D2；电流采样电阻KT1；整流桥DB1；接线盘端子OUT1、OUT2、OUT3、OUT4；电容C1、C2、C3、C4、C5、C6、C8、C9、C11、C12；电感L1；所述的两个IGBT为Q7、Q8。3.根据权利要求2所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBTQ7源极与电容C2一端、电容C3一端、采样电阻KT1一端连接，IGBTQ8源极与采样电阻KT1、电容C3一端连接，采样电阻KT1另一端与整流桥DB1负极、电容C3另一端、电阻R10一端、电阻R11一端连接。4.根据权利要求3所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBTQ7漏极与电容C1一端、接线盘端子OUT2、降压电阻R8一端连接，IGBTQ8漏极与降压电阻R17一端、接线盘端子OUT4一端连接。5.根据权利要求4所述带双IH加热功能的电路，其特征在于：所述IGBTQ7栅极与R28一端、MCU连接，R28另一端与R29一端、MCU连接，IGBTQ8栅极与R29另一端、MCU连接。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国生，邓清华，
申请(专利权)人：广东格兰仕集团有限公司，广东格兰仕微波生活电器制造有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44