一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法技术

本发明专利技术提供了一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚和第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚单独接地，所述的GND引脚单独接地；所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚和第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚单独接地，所述的GND_A引脚单独接地。所述的方法包括：S1：在主板上设置第一AGND2引脚，并分别接ESS音频芯片和接地；S2：在A小板上设置第二AGND2引脚，并分别接耳机和接地。通过为ESS音频芯片和听筒单独配置独立引脚AGND2，可以有效避免线路之间的干扰，降低噪声。

A noise reduction structure and noise reduction method for ESS audio circuit

The invention provides a ESS audio circuit structure for noise reduction and noise reduction methods, the structure comprises a motherboard and A card, is arranged on the main board, ESS audio chip GND pin and AGND2 pin 1, ESS audio chip the first AGND2 pin grounded separately, the GND pin is grounded separately; the A card is arranged on the handset, the GND_A pin and second pin AGND2, the receiver through the AGND2 pin second separate grounding, the grounding pin of GND_A alone. The method comprises the following steps: S1: set the first AGND2 pin on the motherboard, and are respectively connected with the ESS audio chip and grounding; S2: set second AGND2 pins in the A plate, and are respectively connected with the headset and the ground. By configuring independent pin AGND2 for ESS audio chip and receiver, the interference between lines can be avoided and noise can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法
本专利技术涉及噪声消除
，具体的说是一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法。
技术介绍
ESS公司的耳机系统，主要包含了DAC与Amplifier，因为具有良好的兼容性和较高的性价比，目前在许多服务器中作为声卡来使用。目前，在现有技术中，如图1所示，整个ESS的耳机系统在音频电路的线路上分成主板跟A小卡,主板上主要安置ESS音频芯片(ESSCHIP)，A小卡上设置听筒(Headphone)，主板跟A小卡中间透过线缆来连接相对的位置,会分成两个板子的原因是主要芯片ESSCHIP离声音接口太远，因此使用CABLE与A小卡来实现。然而，采用单线缆的方式连接主板和A小卡，将主板和A小卡全部连为一体，特别是将主板上的GND引脚和A小卡的GND_A引脚也和ESS音频芯片、听筒连在一起，导致主板和A小卡之间产生相互干扰，产生了一定的噪声。
技术实现思路
为了解决上述问题，提供了一种ESS音频电路降噪结构及降噪方法，通过为ESS音频芯片和听筒单独配置独立引脚AGND2，可以有效避免线路之间的干扰，降低噪声。本专利技术实施例提供了一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚和第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚单独接地，所述的GND引脚单独接地；所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚和第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚单独接地，所述的GND_A引脚单独接地。进一步的，所述ESS音频芯片的INL引脚连接DACL，所述的INBL引脚连接DACLB，且DACL和DACLB采用差分走线。进一步的，所述ESS音频芯片的INR引脚连接DACR，所述的INBR引脚连接DACRB，且DACR和DACRB采用差分走线。进一步的，所述的ESS音频芯片分别通过一个0欧姆电阻连接服务器CPU的SCL引脚和SDA引脚。本专利技术实施例还提供了一种ESS音频电路降噪方法，所述的方法包括：S1：在主板上设置第一AGND2引脚，并分别接ESS音频芯片和接地；S2：在A小板上设置第二AGND2引脚，并分别接耳机和接地。进一步的，所述的方法还包括：S3：将ESS音频芯片的INL引脚和INBL引脚分别连接DACL和DACLB，并将DACL和DACLB设置为差分走线。进一步的，所述的方法还包括：S4：将ESS音频芯片的INR引脚和INBR引脚分别连接DACR和DACRB，并将DACR和DACRB设置为差分走线。进一步的，所述的方法还包括：S5：在ESS音频芯片和服务器CPU的SCL引脚之间，以及ESS音频芯片和服务器CPU的SDA引脚之间分别设置一个0欧姆电阻。
技术实现思路
中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是专利技术所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：1、本方案通过通过为ESS音频芯片和听筒单独配置独立引脚AGND2，可以有效避免线路之间的干扰，降低噪声，经过实际测试，改进后的THD+N改善了38dB。2、DACL/DACLB、ACR/DACRB设为差分走线，2条走线的误差在10mal以内，可以有效防止线路之间的干扰，提升音频质量。3、通过在ESS音频芯片和服务器CPU的SCL引脚之间，以及ESS音频芯片和服务器CPU的SDA引脚之间分别设置一个0欧姆电阻，可以保证在测试时，进行跳线，让ESS音频芯片不受ESSFilter干扰。附图说明图1是现有技术中ESS耳机系统结构示意图；图2是实施例1的结构示意图；图3是实施例1的方法流程图；图4是实施例2的中DACL、DACLB、DACR、DACRB连接示意图；图5是实施例2的方法流程图；图6是实施例3中ESS音频芯片与服务器CPU的SCL引脚和SDA引脚的连接结构示意图；图7是实施例4的方法流程图。具体实施方式为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过具体实施方式，并结合其附图，对本专利技术进行详细阐述。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本专利技术的不同结构。为了简化本专利技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本专利技术省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本专利技术。实施例1如图2所示的一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚和第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚单独接地，所述的GND引脚单独接地；所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚和第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚单独接地，所述的GND_A引脚单独接地。如图3所示，本专利技术实施例还提供了一种ESS音频电路降噪方法，所述的方法包括：S1：在主板上设置第一AGND2引脚，并分别接ESS音频芯片和接地。S2：在A小板上设置第二AGND2引脚，并分别接耳机和接地。实施例2如图2所示的一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚和第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚单独接地，所述的GND引脚单独接地；所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚和第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚单独接地，所述的GND_A引脚单独接地。如图4所示，U12是ESSchip主芯片，所述ESS音频芯片的INL引脚连接DACL，所述的INBL引脚连接DACLB，且DACL和DACLB采用差分走线。所述ESS音频芯片的INR引脚连接DACR，所述的INBR引脚连接DACRB，且DACR和DACRB采用差分走线。如图5所示，本专利技术实施例还提供了一种ESS音频电路降噪方法，所述的方法包括：S1：在主板上设置第一AGND2引脚，并分别接ESS音频芯片和接地。S2：在A小板上设置第二AGND2引脚，并分别接耳机和接地。S3：将ESS音频芯片的INL引脚和INBL引脚分别连接DACL和DACLB，并将DACL和DACLB设置为差分走线。S4：将ESS音频芯片的INR引脚和INBR引脚分别连接DACR和DACRB，并将DACR和DACRB设置为差分走线。实施例3如图2所示的一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚和第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚单独接地，所述的GND引脚单独接地；所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚和第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚单独接地，所述的GND_A引脚单独接地。如图4所示，所述ESS音频芯片的INL引脚连接DACL，所述的INBL引脚连接DACLB，且DACL和DACLB采用差分走线。所述ESS音频芯片的INR引脚连接DACR，所述的INBR引脚连接DACRB，且DACR和DACRB采用差分走线。如图6所示，R527/R528是串接SUS_SMBCLK与SUS_SMB_DAT,主要是让主板上的CPU可以透过这组讯号与ESSCHIP沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚，所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚，其特征是：所述主板上还设有第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚接地，所述的GND引脚接地；所述的A小卡上设有第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚接地，所述的GND_A引脚接地。

【技术特征摘要】
1.一种ESS音频电路降噪结构，所述的结构包括主板和A小卡，所述主板上设有ESS音频芯片、GND引脚，所述的A小卡上设有听筒、GND_A引脚，其特征是：所述主板上还设有第一AGND2引脚，所述的ESS音频芯片通过第一AGND2引脚接地，所述的GND引脚接地；所述的A小卡上设有第二AGND2引脚，所述的听筒通过第二AGND2引脚接地，所述的GND_A引脚接地。2.根据权利要求1所述的一种ESS音频电路降噪结构，其特征是：所述ESS音频芯片的INL引脚连接DACL，所述的INBL引脚连接DACLB，且DACL和DACLB采用差分走线。3.根据权利要求1所述的一种ESS音频电路降噪结构，其特征是：所述ESS音频芯片的INR引脚连接DACR，所述的INBR引脚连接DACRB，且DACR和DACRB采用差分走线。4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种ESS音频电路降噪结构，其特征是：所述的ESS音频芯片分别通过一个0欧姆电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王榆锋，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41