晶圆电阻装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:17348452 阅读:53 留言:0更新日期:2018-02-25 15:28
本发明专利技术提供一种晶圆电阻装置及其制造方法。前述的晶圆电阻装置制造方法包含下列步骤:第一次切割步骤,磁性吸附晶圆电阻装置的磁性金属接点,以对晶圆电阻装置的电阻层进行第一次切割;第二次切割步骤,磁性吸附晶圆电阻装置的磁性金属接点,以对晶圆电阻装置的电阻层进行第二次切割。通过上述处理,可使各个晶圆电阻装置在切割时朝向同一方向,以让切割痕位于各个晶圆电阻装置的同一位置上,以降低各个晶圆电阻的阻值因切割所产生的变异量。

Wafer resistance device and its manufacturing method

The invention provides a wafer resistance device and a manufacturing method. The wafer resistance device manufacturing method comprises the following steps: the first step of cutting, magnetic metal contact magnetic adsorption device wafer resistance, the resistance of the wafer resistor layer is first cut second times; the cutting process, magnetic metal contact magnetic adsorption device wafer resistance, the resistance layer on the wafer resistance device second cutting. Through the above treatment, each wafer resistance device can be directed towards the same direction when cutting, so that the cutting marks are located at the same position of each wafer resistance device, so as to reduce the resistance variation due to cutting.

【技术实现步骤摘要】
晶圆电阻装置及其制造方法
本专利技术是一种晶圆电阻技术方案,尤指一种可一致化晶圆电阻在进行二次刻痕作业的刻痕位置的技术方案。
技术介绍
请参阅图1,其为现有晶圆电阻制造的流程图。现有晶圆电阻多在电阻层上进行切割(M100)形成多道切割痕(虚线处),并通过切割痕处所形成的非电阻区域面积大小来配置该晶圆电阻的电阻值。在完成切割后,晶圆电阻生产线会再将电阻送至热处理机器进行热处理程序,而各个晶圆电阻在生产在线的摆放位置可能因热处理程序后而错置,使得部分电阻与其他电阻方向不同(M102)。由于晶圆电阻的电阻值经由热处理程序后会受到影响,因此制造商多会对热处理后的晶圆电阻进行第二次切割,以微调其电阻值。此时方向错置的电阻经由第二次切割后,其切割痕的位置会与其他的晶圆电阻不同,使得方向错置电阻的阻值会与其他的晶圆电阻有所不同。综上所述,如何提供一种可解决晶圆电阻装置因刻痕不一致而影响其电阻值的技术手段是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为解决前述的问题,本专利技术的目的是提供一种改良的晶圆电阻装置及其制造方法。为达上述目的,本专利技术提出一种晶圆电阻装置。前述的晶圆电阻装置进一步包含电阻本体、磁性金属接点以及非磁性金属接点。前述电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕。前述的磁性金属接点,设于该电阻本体的一端。而非磁性金属接点则是设于电阻本体的另一端。为达上述目的,本专利技术提出一种晶圆电阻制造方法。该方法用于制造前述的晶圆电阻装置,并包含下列的步骤:第一次切割步骤,磁性吸附晶圆电阻装置的磁性金属接点,以对晶圆电阻装置的电阻层进行第一次切割;第二次切割步骤,磁性吸附晶圆电阻装置的磁性金属接点,以对晶圆电阻装置的电阻层进行第二次切割。综上所述,本专利技术的晶圆电阻装置及其制造方法通过磁性物质吸附磁性金属接点,得以让各个晶圆电阻装置朝向同一方向,便能让晶圆电阻装置在进行第二次切割程序时,让切割痕位于各个晶圆电阻装置的一致或趋近于一致的位置。附图说明图1为先前技术的制造流程图。图2为本专利技术第一实施例晶圆电阻制造方法流程图。图3为本专利技术第二实施例晶圆电阻装置立体示意图及其剖面图。图4为本专利技术晶圆电阻装置的制造生产线流程示意图。图中:2:晶圆电阻装置;20:电阻本体;201:切割痕;202:电阻层;21:磁性金属接点;22:非磁性金属接点;23:保护层具体实施方式以下将描述具体的实施例以说明本专利技术的实施方式,惟其并非用以限制本专利技术所欲保护的范畴。请参阅图2,其为本专利技术一实施例晶圆电阻制造方法流程图。该方法用于制造如图3所述的晶圆电阻装置2。图3分别为前述晶圆电阻装置2的立体示意图以及剖面图。前述的晶圆电阻装置2进一步包含电阻本体20、磁性金属接点21以及非磁性金属接点22。前述的电阻本体20的电阻层202具有用于设定电阻值的切割痕201,前述的切割痕201是形成的无电阻层202。前述的磁性金属接点21设于电阻本体20的一端;而非磁性金属接点22则是设于电阻本体20的另一端。于另一实施例中,前述的电阻本体20为具有电阻层的圆柱状瓷棒,前述圆柱状瓷棒可选择氧化铝作为材料。于另一实施例中,前述的电阻本体20上更设有保护层23。于另一实施例中,前述的切割痕201为非连续型螺旋切割痕201。于另一实施例中,前述的磁性金属接点21以及非磁性金属接点22为金属帽结构。前述的晶圆电阻制造方法,包含下列的步骤:S100:金属帽盖合步骤,于电阻本体20的二端分别盖合具磁性以及非磁性的金属帽。S101:第一次切割步骤,通过磁性吸附组件来吸附晶圆电阻装置2的磁性金属接点21,以对晶圆电阻装置2的电阻层202进行第一次切割。S102:加热步骤,是于第一次切割步骤后,以对晶圆电阻装置2进行再加热。于此步骤中可选择只对电阻本体20加热以微调电阻值;或者是通过PVD(物理气相沉积)、CVD(化学气相沉积)、或PECVD(电浆辅助化学气相沈积)方式在电阻层202上形成保护层23的过程中加热,于一较佳实施例中,于此步骤的保护层23可为有机(如环氧树酯等材料)或无机保护层(如金属氧化物、金属氮化物…等),并在形成保护层23之后,将电阻加热至100度~600度,使保护层23附着于电阻层202外围。S103:第二次切割步骤,通过磁性吸附组件来吸附晶圆电阻装置2的磁性金属接点21,以对晶圆电阻装置2的电阻本体20其表面进行第二次切割,此步骤用于微调晶圆电阻装置2的电阻值,因此在进行第二次切割时,会一边切割一边测量晶圆电阻装置2的电阻值,以决定是否继续切割。前述磁性吸附组件可选用磁铁或电磁铁。当选用电磁铁时,可通过致能/除能电磁铁的动作来执行吸附晶圆电阻装置2的作业。通过此步骤即可固定晶圆电阻装置2的方向,以让各个晶圆电阻装置2在完成第二次切割后,在电阻层202具有一致或趋近于一致的切割痕201,进而确保各个晶圆电阻装置2具有相同或趋近于相同的电阻值。S104:保护层覆盖步骤,于电阻本体20上覆盖保护层23材料。完成之后,再镀上最外层的保护层23,于一较佳实施中,该步骤的保护层23为有机保护层(如环氧树酯等材料)。为了晶圆电阻装置2可于电路板上进行焊接,需在步骤S104完成后,在磁性和非磁金属帽上先电镀上具有磁性的镍的金属层,再电镀上金或锡的金属层,且该金属层设置于未与该保护层23和该电阻本体20接触的表面上。请参阅图4,其为前述晶圆电阻装置2的制造生产线示意图。当电阻本体20的二端完成第一次切割以及热处理后,各个晶圆电阻装置2的方向并不一致(M200),此时通过磁性吸附组件来吸附晶圆电阻装置2,来让各个晶圆电阻装置2都朝向相同的方向(M201),因此在对电阻层202进行二次切割时,即可确保各个晶圆电阻装置2具有一致性的切割痕201,进而降低生产的晶圆电阻装置2的阻值变异程度。上列详细说明是针对本专利技术的一可行实施例的具体说明,惟该实施例并非用以限制本专利技术的权利要求保护范围,凡未脱离本专利技术技艺精神所为的等效实施或变更,均应包含于本案的权利要求保护范围中。本文档来自技高网...
晶圆电阻装置及其制造方法

【技术保护点】
一种晶圆电阻装置,其特征在于,包含:电阻本体,该电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕;磁性金属接点,设于该电阻本体的一端;以及非磁性金属接点,设于该电阻本体的另一端。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆电阻装置,其特征在于,包含:电阻本体,该电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕;磁性金属接点,设于该电阻本体的一端;以及非磁性金属接点,设于该电阻本体的另一端。2.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该电阻本体为具有该电阻层的圆柱状瓷棒。3.如权利要求2所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该电阻本体上更设有保护层。4.如权利要求2所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该切割痕为非连续型螺旋切割痕。5.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该磁性金属接点以及该非磁性金属接点为金属帽结构。6.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,还在该磁性金属接点及该非磁性金属接点,配置多层不同的金属层。7.如权利要求6所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该金属层设置于未与该保护层和该电阻本体接触的表面上。8.一种晶圆电阻制造方法,用于制造如权利要求1至5任一项所述的晶圆电阻装置,包含:第一次切割步骤,磁性吸附该晶圆电阻装置的磁性金属接点,以...

【专利技术属性】
技术研发人员:王高源庄乃川魏石龙
申请(专利权)人:华新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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