The invention provides a wafer resistance device and a manufacturing method. The wafer resistance device manufacturing method comprises the following steps: the first step of cutting, magnetic metal contact magnetic adsorption device wafer resistance, the resistance of the wafer resistor layer is first cut second times; the cutting process, magnetic metal contact magnetic adsorption device wafer resistance, the resistance layer on the wafer resistance device second cutting. Through the above treatment, each wafer resistance device can be directed towards the same direction when cutting, so that the cutting marks are located at the same position of each wafer resistance device, so as to reduce the resistance variation due to cutting.
【技术实现步骤摘要】
晶圆电阻装置及其制造方法
本专利技术是一种晶圆电阻技术方案,尤指一种可一致化晶圆电阻在进行二次刻痕作业的刻痕位置的技术方案。
技术介绍
请参阅图1,其为现有晶圆电阻制造的流程图。现有晶圆电阻多在电阻层上进行切割(M100)形成多道切割痕(虚线处),并通过切割痕处所形成的非电阻区域面积大小来配置该晶圆电阻的电阻值。在完成切割后,晶圆电阻生产线会再将电阻送至热处理机器进行热处理程序,而各个晶圆电阻在生产在线的摆放位置可能因热处理程序后而错置,使得部分电阻与其他电阻方向不同(M102)。由于晶圆电阻的电阻值经由热处理程序后会受到影响,因此制造商多会对热处理后的晶圆电阻进行第二次切割,以微调其电阻值。此时方向错置的电阻经由第二次切割后,其切割痕的位置会与其他的晶圆电阻不同,使得方向错置电阻的阻值会与其他的晶圆电阻有所不同。综上所述,如何提供一种可解决晶圆电阻装置因刻痕不一致而影响其电阻值的技术手段是本领域亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为解决前述的问题,本专利技术的目的是提供一种改良的晶圆电阻装置及其制造方法。为达上述目的,本专利技术提出一种晶圆电阻装置。前述的晶圆电阻装置进一步包含电阻本体、磁性金属接点以及非磁性金属接点。前述电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕。前述的磁性金属接点,设于该电阻本体的一端。而非磁性金属接点则是设于电阻本体的另一端。为达上述目的,本专利技术提出一种晶圆电阻制造方法。该方法用于制造前述的晶圆电阻装置,并包含下列的步骤:第一次切割步骤,磁性吸附晶圆电阻装置的磁性金属接点,以对晶圆电阻装置的电阻层进行第一次切割;第二次切割步骤,磁性 ...
【技术保护点】
一种晶圆电阻装置,其特征在于,包含:电阻本体,该电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕;磁性金属接点,设于该电阻本体的一端;以及非磁性金属接点,设于该电阻本体的另一端。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆电阻装置,其特征在于,包含:电阻本体,该电阻本体的电阻层具有用于设定电阻值的切割痕;磁性金属接点,设于该电阻本体的一端;以及非磁性金属接点,设于该电阻本体的另一端。2.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该电阻本体为具有该电阻层的圆柱状瓷棒。3.如权利要求2所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该电阻本体上更设有保护层。4.如权利要求2所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该切割痕为非连续型螺旋切割痕。5.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该磁性金属接点以及该非磁性金属接点为金属帽结构。6.如权利要求1所述的晶圆电阻装置,其特征在于,还在该磁性金属接点及该非磁性金属接点,配置多层不同的金属层。7.如权利要求6所述的晶圆电阻装置,其特征在于,该金属层设置于未与该保护层和该电阻本体接触的表面上。8.一种晶圆电阻制造方法,用于制造如权利要求1至5任一项所述的晶圆电阻装置,包含:第一次切割步骤,磁性吸附该晶圆电阻装置的磁性金属接点,以...
【专利技术属性】
技术研发人员:王高源,庄乃川,魏石龙,
申请(专利权)人:华新科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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