导体结构及电容器阵列制造技术

本实用新型专利技术实施例提供的导体结构及电容器阵列包括第一主体和多个第一延伸部，第二主体和多个第二延伸部。第一延伸部均与第一主体连接，第一延伸部向第二主体延伸；第二延伸部均与第二主体连接，第二延伸部向第一主体延伸。以第一主体以及第二主体的中线为界，第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，第二延伸部靠近第一主体的一端的面积大于第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。对于该导体结构一侧的干扰导体而言，远离干扰导体的导体的重心更靠近干扰导体，靠近干扰导体的导体的重心更远离干扰导体，从而使得结构上不能对称的导体结构同样可以产生共模信号，从而容易被差分信号检测端口过滤。

【技术实现步骤摘要】
导体结构及电容器阵列
本技术涉及电气元件领域，具体而言，涉及一种导体结构及电容器阵列。
技术介绍
差分信号的传输具有抗干扰能力强、传输速率高、功耗低的技术优势，在工业数据总线、数据接口、数字隔离器等领域有着广泛的应用。差分信号的产生、传输和接收通常使用具有对称性的电路和布线进行，从而保证整个信号路径的抗干扰能力。在隔离信号传输中，常采用一对电容器传输一组差分信号的正负分量，所以，可以通过电容器的极板本身具有对称性来提高抗干扰能力和共模信号抑制能力。但随着系统复杂度的增加，元件的数量和密度不断增加，因此很多差分信号的金属布线不容易做到本身的对称以及两组金属布线对称分布，在这种情况下，邻近导体上的信号会耦合到该金属布线结构从而产生干扰信号。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种导体结构及电容器阵列，以改善现有的导体结构由于集成系统复杂使导体结构不能对称设置，导致的邻近导体上的信号耦合到该导体结构从而产生干扰信号的不足。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种导体结构，包括：第一导体和第二导体，所述第一导体与第二导体位于同一平面内，所述第一导体包括第一主体和多个第一延伸部，所述第二导体包括第二主体和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部均与所述第一主体连接，所述多个第二延伸部均与所述第二主体连接；所述第一延伸部向所述第二主体延伸，所述第二延伸部向所述第一主体延伸，以所述第一主体以及第二主体的中线为界，所述第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于所述第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，所述第二延伸部靠近所述第一主体的一端的面积大于所述第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。一种电容器阵列，包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器包括第一上极板和第一下极板，所述第一上极板以及第一下极板均与上述的导体结构中的第一导体的结构相同，所述第二电容器包括第二上极板和第二下极板，所述第二上极板以及第二下极板均与上述的导体结构中的第二导体的结构相同。本技术实施例提供的导体结构及电容器阵列的有益效果为：本技术实施例提供的导体结构及电容器阵列包括第一导体和第二导体，第一导体和第二导体位于同一平面内，第一导体包括第一主体和多个第一延伸部，第二导体包括第二主体和多个第二延伸部。多个第一延伸部均与第一主体连接，第一延伸部向第二主体延伸；多个第二延伸部均与第二主体连接，第二延伸部向第一主体延伸。以第一主体以及第二主体的中线为界，第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，第二延伸部靠近第一主体的一端的面积大于第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。对于该导体结构一侧的干扰导体而言，第一导体和第二导体通过各自的延伸部使得远离干扰导体的导体的重心更靠近干扰导体，靠近干扰导体的导体的重心更远离干扰导体，从而起到即使第一导体和第二导体在物理上不关于干扰导体对称，但干扰导体分别在第一导体和第二导体产生的耦合信号与关于干扰导体对称的导体上的耦合信号相似的效果，从而使得结构上不能对称的导体结构同样可以产生共模信号，从而容易被差分信号检测端口过滤。附图说明为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术第一实施例提供的导体结构的结构示意图；图2a是本技术第一实施例提供的导体结构的一种具体使用场景的示意图；图2b是本技术第一实施例提供的导体结构的性能曲线图；图3a是本技术第一实施例提供的导体结构的一种具体实施方式的结构示意图；图3b是本技术第一实施例提供的导体结构的另一种具体实施方式的结构示意图；图3c是本技术第一实施例提供的导体结构的又一种具体实施方式的结构示意图；图3d是本技术第一实施例提供的导体结构的再一种具体实施方式的结构示意图；图4a是本技术第一实施例提供的导体结构的还一种具体实施方式的结构示意图；图4b是本技术第一实施例提供的导体结构的次一种具体实施方式的结构示意图；图5是本技术第二实施例提供的电容器阵列的结构示意图。图标：10-导体结构；110-第一导体；111-第一主体；112-第一延伸部；113-第一子导体；120-第二导体；121-第二主体；122-第二延伸部；123-第二子导体；130-干扰导体；141-第一端；142-第二端；20-电容器阵列；210-第一电容器；211-第一上极板；212-第一下极板；213-第一焊盘；220-第二电容器；221-第二上极板；222-第二下极板；223-第二焊盘；230-第三电容器；233-第三焊盘；240-第四电容器；243-第四焊盘；30-中线。具体实施方式下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。第一实施例详情请参见图1，图1示出了本技术第一实施例提供的导体结构10，该导体结构10包括：第一导体110和第二导体120，第一导体110和第二导体120位于同一平面内，第一导体110包括第一主体111和多个第一延伸部112，第二导体120包括第二主体121和多个第二延伸部122。多个第一延伸部112均与第一主体111连接，且第一延伸部112向第二主体121延伸；多个第二延伸部122均与第二主体121连接，且第二延伸部122向第一主体111延伸。第一主体111和第二主体121均为长条状，第一主体111包括至少一个延伸方向，第一主体111可以沿图1示出的水平方向延伸，第一主体111也可以是具有弧度的长条状，如图4a所示；第一主体111也可以为折线状，如图4b所示。第二主体121的延伸方向与第一主体111的延伸方向相对应，详情请参见图1、图4a以及图4b。优选地，第一主体111与第二主体121平行或分段平行。第一导体110可以包括多个第一子导体113，且每个第一子导体113均与多个第一延伸部112中相邻的两个第一延伸部112连接，详情参见图3c，第一子导体113的一端与一个第一延伸部112的第一端141连接，第一子导体113的另一端与另一个第一延伸部112的第二端142连接。在图3c示出的导体结构10中，第一延伸部112的第一端141与一个第一子导体113的一端连接，第一延伸部112的第二端142与另一个第一子导体113的一端连接。同理，第二导体120可以包括多个第二子导体123，多个第二子导体123的每个第二子导体123均与多个第二延伸部122相邻两个第二延伸部122连接。第二延伸部122的第一端141与一个第二子导体123的一端连接，第二延伸部122的第二端142与另一个第二子导体123的一端连接。多个第一延伸部112与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导体结构，其特征在于，所述导体结构包括：第一导体和第二导体，所述第一导体与第二导体位于同一平面内，所述第一导体包括第一主体和多个第一延伸部，所述第二导体包括第二主体和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部均与所述第一主体连接，所述多个第二延伸部均与所述第二主体连接；所述第一延伸部向所述第二主体延伸，所述第二延伸部向所述第一主体延伸，以所述第一主体以及第二主体的中线为界，所述第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于所述第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，所述第二延伸部靠近所述第一主体的一端的面积大于所述第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。

【技术特征摘要】
1.一种导体结构，其特征在于，所述导体结构包括：第一导体和第二导体，所述第一导体与第二导体位于同一平面内，所述第一导体包括第一主体和多个第一延伸部，所述第二导体包括第二主体和多个第二延伸部，所述多个第一延伸部均与所述第一主体连接，所述多个第二延伸部均与所述第二主体连接；所述第一延伸部向所述第二主体延伸，所述第二延伸部向所述第一主体延伸，以所述第一主体以及第二主体的中线为界，所述第一延伸部靠近第二主体的一端的面积大于所述第一延伸部靠近第一主体的一端的面积，所述第二延伸部靠近所述第一主体的一端的面积大于所述第二延伸部靠近第二主体的一端的面积。2.根据权利要求1所述的导体结构，其特征在于：所述第一主体和第二主体均为长条状，所述第一主体包括至少一个延伸方向，所述第二主体的延伸方向与所述第一主体的延伸方向相对应。3.根据权利要求2所述的导体结构，其特征在于：所述第一主体与所述第二主体平行。4.根据权利要求1所述的导体结构，其特征在于：所述第一导体包括多个第一子导体，所述多个第一子导体中的每个第一子导体均与多个第一延伸部中相邻的两个第一延伸部连接，第一子导体的一端与一个第一延伸部的第一端连接，第一子导体的另一端与另一个第一延伸部的第二端连接。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍荣翔，方向明，
申请(专利权)人：成都线易科技有限责任公司，电子科技大学，
类型：新型
国别省市：四川,51