一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法，它涉及LED光源技术领域。基材的上方通过基材填充胶材与LED支架固定连接，LED支架上方中部设置有避空装置，所述的避空装置的上方安装有芯片,芯片上焊接有金线,芯片和金线的上方封装有荧光胶。基材主体选取铝材，通过真空溅射技术，在特定基材上部沉积铜或银或锡或镍或锌等材料，形成容易焊接界面，做成LED封装支架铝材，该工艺保护材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度。通过控制表面氧化钛，氧化钛及银层厚度，可实现在特制LED支架基板表面打线，正反面焊接功能，且特制LED支架成型加工工艺多样。

A manufacturing method of LED light source by vacuum sputtering

The invention discloses a manufacturing method of a LED light source produced by a vacuum sputtering technology, which relates to the field of LED light source technology. The upper part of the substrate is fixed by the substrate and filled with the LED bracket, and the middle part of the LED bracket is provided with an air avoidance device. The chip above the device is welded with gold wire, and the fluorescent chip is coated on the chip and the gold wire. The main selection of aluminum substrate, by vacuum sputtering technology, in particular the substrate upper sedimentary copper or silver or tin or nickel or zinc material, easy to form a welding interface, a LED package support aluminum, the process to protect the surface of the material is not easy to be vulcanized, bromination, oxidation, improve the substrate reflectivity and gloss. By controlling the thickness of titanium oxide, titanium oxide and silver layer on the surface, we can achieve the function of wire laying and reverse welding on the surface of the special LED support, and the special LED stent has various molding and processing technology.

【技术实现步骤摘要】
一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法
本专利技术涉及一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法，属于LED光源

技术介绍
LED自从问世以上，受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。LED的发展前景极为广阔，目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用LED产品的过程中，经常会遭遇“产品硫化(包含硫化、卤化、氧化等污染现象)导致产品失效”等问题，这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失，出现硫化反应后，产品功能区会黑化，光通量会逐渐下降，色温出现明显漂移。其原理是：因为贴片LED的支架是在金属基材上镀银（银层会起到发亮，反射光的作用），LED在高温焊接时，碰到了硫或硫蒸气，则会造成支架上的银层与硫发生化学反应Ag+S＝AgS↓，形成AgS,视反应量的多少，其颜色为黄色或黑色不等。最严重的银层都反应完，金丝断裂，造成LED开路。众所周知，LED支架气密性不佳，尤其是在高温的时候，更容易造成器件污染失效，支架底部镀银层发黑，降低了器件的可靠性。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术要解决的技术问题是提供一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法。本专利技术的通过真空溅射技术制造的LED光源。它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5和避空装置6,基材1的上方通过基材填充胶材a与LED支架2固定连接，LED支架2上方中部设置有避空装置6，所述的避空装置6的上方安装有芯片4,芯片4上焊接有金线5,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。作为优选，所述的LED支架2的底部为倒T型设计。作为优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料。进一步优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝层、二氧化钛和银混合层、三氧化二铝层、二氧化钛层。本专利技术的有益效果：基材主体选取铝材，通过真空溅射技术，在特定基材上部沉积铜或银或锡或镍或锌等材料，形成容易焊接界面，做成LED封装支架铝材，该工艺保护材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度。通过控制表面氧化钛，氧化钛及银层厚度，可实现在特制LED支架基板表面打线，正反面焊接功能，且特制LED支架成型加工工艺多样。附图说明：为了易于说明，本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本专利技术结构示意图；图2为本专利技术中基材的结构示意图；图3为本专利技术中LED支架的结构示意图；图4为图3的左视结构示意图；图5为本专利技术中LED半成品的结构示意图；图6为本专利技术具体实施方式一中基材的具体结构示意图；图7为本专利技术具体实施方式二中基材的具体结构示意图；图8为本专利技术具体实施方式三中基材的具体结构示意图；图9为本专利技术具体实施方式四中基材的具体结构示意图。具体实施方式：具体实施方式一：如图1-6所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含基材1、支架填充胶材a、LED支架2、荧光胶3、芯片4、金线5和避空装置6,基材1的上方通过基材填充胶材a与LED支架2固定连接，LED支架2上方中部设置有避空装置6，所述的避空装置6的上方安装有芯片4,芯片4上焊接有金线5,芯片4和金线5的上方封装有荧光胶3。作为优选，所述的LED支架2的底部为倒T型设计。作为优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料。进一步优选，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝层、二氧化钛和银混合层、三氧化二铝层、二氧化钛层。本具体实施方式的制备过程为：基材1工艺处理：所述的基材1上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料；步骤二：LED支架制作：用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架2，且LED支架2中部设置有避空装置6，步骤三：led封装工艺：在LED支架2上通过进行点胶，安装芯片4，焊金线5等工艺制成成型的LED半成品；步骤四：通过调配荧光胶比例，将荧光胶层3灌封在LED半成品上，并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。具体实施方式二：参照图7，本具体实施方式与具体实施方式一的不同之处在于：所述的基材1的上表面处理方式不同，其中，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝层、二氧化钛和银混合层、二氧化钛和二氧化硅混合层、二氧化钛层；其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。具体实施方式三：参照图8，本具体实施方式与具体实施方式一的不同之处在于：所述的基材1的上表面处理方式不同，其中，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝薄膜层、二氧化钛和银混合层、三氧化二铝层、二氧化钛层；其它组成和连接关系与具体实施方式一相同。具体实施方式四：参照图9，本具体实施方式与具体实施方式一的不同之处在于：所述的基材1的上表面处理方式不同，其中，所述的基材1上表面通过真空溅射技术从下至上依次沉积三氧化二铝层薄膜层、二氧化钛和银混合层、二氧化钛和二氧化硅混合层、二氧化钛层。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法，其特征在于：所述的真空溅射技术制造的LED光源：包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5)和避空装置(6), 基材(1)的上方通过基材填充胶材(a)与LED支架(2)固定连接，LED支架(2)上方中部设置有避空装置(6)，所述的避空装置(6)的上方安装有芯片(4), 芯片(4)上焊接有金线(5), 芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3)，所述的LED支架(2)的底部为倒T型设计；所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为：步骤一：基材(1)工艺处理：所述的基材(1)上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料；步骤二：LED支架制作：用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2)，且LED支架(2)中部设置有避空装置(6)，步骤三：led封装工艺：在LED支架(2)上通过进行点胶，安装芯片(4)，焊金线(5)等工艺制成成型的LED半成品；步骤四：通过调配荧光胶比例，将荧光胶层(3)灌封在LED半成品上，并且进行烘烤固化成型做成所需的LED光源灯珠。

【技术特征摘要】
1.一种通过真空溅射技术制造的LED光源的制造方法，其特征在于：所述的真空溅射技术制造的LED光源：包含基材(1)、支架填充胶材(a)、LED支架(2)、荧光胶(3)、芯片(4)、金线(5)和避空装置(6),基材(1)的上方通过基材填充胶材(a)与LED支架(2)固定连接，LED支架(2)上方中部设置有避空装置(6)，所述的避空装置(6)的上方安装有芯片(4),芯片(4)上焊接有金线(5),芯片(4)和金线(5)的上方封装有荧光胶(3)，所述的LED支架(2)的底部为倒T型设计；所述的真空溅射技术制造的LED光源的制造方法为：步骤一：基材(1)工艺处理：所述的基材(1)上表面通过真空溅射技术沉积铜或银或锡或镍或锌等材料；步骤二：LED支架制作：用热固或热塑成型方式填充相应结构LED支架(2)，且LED支架(2)中部设置有避空装置(6)，步骤三：led封装工艺：在LED支架(2)上通过进行点胶，安装芯片(4)，焊金线(5)等工艺制成成型的LED半成品；步骤四：通过调配荧光胶比例，将荧光胶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊东，柳欢，陈健平，刘云，
申请(专利权)人：深圳市斯迈得半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44