According to the method of the present invention includes various embodiments: wafer of semiconductor light emitting devices coupled to the wafer support substrate, each semiconductor light emitting device includes a light emitting layer sandwiched between the N and P regions, each supporting substrate includes a body; and after the wafer of semiconductor light emitting device coupled to the wafer support substrate the thickness of formation extending through the pathway, each supporting a substrate body; wherein the engagement includes engagement at a temperature below 300 DEG c..
【技术实现步骤摘要】
半导体发光器件将发光器件附着到支撑衬底的方法相关申请本申请是于2012年5月21日提交的申请号为201280026933.7、专利技术名称为“将发光器件附着到支撑衬底的方法”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种用于将半导体发光器件附着到支撑衬底的晶片级工艺。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可获得的最高效的光源。在能够跨过可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料体系包括III-V族半导体,尤其是也称为III族氮化物材料的镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金。典型地,通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其它适当衬底上外延生长不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制造III族氮化物发光器件。所述堆叠常常包括形成在衬底上的掺杂了例如Si的一个或多个n型层、形成在所述(一个或多个)n型层上的有源区域中的一个或多个发光层、以及形成在所述有源区域上的掺杂了例如Mg的一个或多个p型层。电接触形成在所述n型区域和p型区域上。图10示出了在US6,876,008中更详细描述的附着到载具(submount)114的发光二极管管芯110。在所述载具的顶面和底面上的可焊接表面之间的电连接形成于所述载具内。载具顶部上的可焊接区域(焊球122-1和122-2布置在其上)通过载具内的导电路径而电连接到载具底部上的可焊接区域(其附着到焊接接头138)。焊接接头138将载具底部上的可焊接区域 ...
【技术保护点】
一种器件,包括:半导体发光器件,包括:夹在n型区域和p型区域之间的发光层;设置在n型区域上的n接触,其中所述n接触从所述n型区域的边缘缩回;和设置在所述n型区域的所述边缘上的反射电介质层;支撑衬底,其包括本体,其中所述支撑衬底的宽度与所述半导体发光器件的宽度相同;和在所述本体中形成的多个通路。
【技术特征摘要】
2011.06.01 US 61/4919181.一种器件,包括:半导体发光器件,包括:夹在n型区域和p型区域之间的发光层;设置在n型区域上的n接触,其中所述n接触从所述n型区域的边缘缩回;和设置在所述n型区域的所述边缘上的反射电介质层;支撑衬底,其包括本体,其中所述支撑衬底的宽度与所述半导体发光器件的宽度相同;和在所述本体中形成的多个通路。2.根据权利要求1所述的器件,还包括设置在所述反射电介质层上的聚合物层。3.根据权利要求2所述的器件,其中所述聚合物层掺杂有光吸收和光散射材料中的一种。4.根据权利要求1所述的器件,其中所述反射电介质层在所述n型区域的边缘上延伸并覆盖所述n型区域的侧壁。5.根据权利要求1所述的器件,其中所述反射电介质层是反射电介质堆叠。6.根据权利要求1所述的器件,其中所述通路完全延伸穿过所述本体并且在所述通路的顶部露出金属层。7.根据权利要求1所述的器件,还包括形成在所述通路的侧壁上的钝化层。8.根据权利要求1所述的器件,还包括设置在所述通路的侧壁上的电介质层,其中所述电介质层被图案化以在所述通路的顶部露出金属层。9.根据权利要求8所述的器件,还包括设置在所述电介质层上的通路中的金属。10.根据权利要求9所述的器件,其中所述金属设置在所述本体的通路外部...
【专利技术属性】
技术研发人员:DA斯特格瓦德,JC布哈特,S阿克拉姆,
申请(专利权)人:皇家飞利浦有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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