用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片制造技术

本发明专利技术涉及一种用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片，其包括能键合于RC‑IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC‑IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC‑IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC‑IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC‑IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。本发明专利技术结构紧凑，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。

RC IGBT substrate for wafer backside processing

【技术实现步骤摘要】
用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片
本专利技术涉及一种基片，尤其是一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，属于微电子的

技术介绍
RC-IGBT晶圆背面表面需要形成图形化分布的P型掺杂和N型掺杂交错的区域。为了在RC-IGBT晶圆背面形成图形化的P型掺杂和N型掺杂交错的区域，目前主流的加工方法是对P型杂质进行整体注入，N型杂质进行图形化注入，其中，N型杂质的掺杂浓度远大于P型杂质的掺杂浓度，然后通过激活杂质形成P型掺杂和N型掺杂交错的图形。现有技术中，RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入需要进行光刻加工工序，过程如下：通过晶圆背面进行涂光刻胶，使用背面N型图形光刻版进行曝光，然后显影后形成N型掺杂的注入阻挡层，对晶圆背面进行整体注入，去除剩余光刻胶图形。因此，现有技术中需要对RC-IGBT晶圆背面进行光刻加工工序，导致晶圆背面光刻加工工序成本高、生产周期长，不利于RC-IGBT进一步发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其结构紧凑，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。所述基片体呈圆形，基片体上设置缺角或缺口。所述基片体的材料包括玻璃。所述基片体的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。所述基片体的厚度为50μm～300μm。注入图形包括若干贯通基片体的圆孔，圆孔在基片体上呈矩形或品字形均匀排列。本专利技术的优点：基片体能键合在RC-IGBT晶圆的背面，利用基片体上的注入图形对RC-IGBT晶圆进行N型离子注入，能在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域，基片体与RC-IGBT晶圆分离后，能重复使用；基片体直接与RC-IGBT晶圆键合后即能进行N型杂质离子的注入，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。。附图说明图1为本专利技术基片体的一种结构示意图。图2为本专利技术基片体的另一种结构示意图。附图标记说明：1-基片体、2-缺角以及3-缺口与4-圆孔。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。为了能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，本专利技术包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体1，所述基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体1上设有注入图形，基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体1的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。具体地，所述基片体1的材料包括玻璃，当然，基片体1也可以采用其他能与RC-IGBT晶圆键合的材料，具体材料的类型可以根据需要进行选择，此处不再赘述。基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆相一致，从而当基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，能与RC-IGBT晶圆的背面有效对应，提高对RC-IGBT晶圆进行N型杂质离子注入的可靠性。在具体实施是，在N型杂质离子注入前的工艺等均可以采用现有常用的工艺步骤，而在进行N型杂质离子注入时，所需的工艺条件等均与现有相同，不会增加N型杂质离子注入的复杂度。在基片体1上预先设置注入图形，注入图形的形状可以根据RC-IGBT晶圆背面需要形成的N型杂质区域相关，从而当基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，能利用注入图形将N型杂质离子注入到RC-IGBT晶圆的背面，基片体1中注入图形外的区域作为阻挡层，从而在激活后，能利用注入的N型杂质离子形成所需的N型掺杂区域。本专利技术实施例中，当注入N型杂质离子后，将基片体1与RC-IGBT晶圆的背面分离，且基片体1可以重复利用，只要基片体1的注入图形满足待形成N型掺杂区域的需求即可；而基片体1的可重复利用特性，在省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序后，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本。进一步地，所述基片体1呈圆形，基片体1上设置缺角2或缺口3。图1中，基片体1为设置缺角2的示意图，图2中，基片体1为设置缺口3的示意图，具体实施时，基片体1上设置缺角2或缺口3的情况，主要与待键合RC-IGBT晶圆的形状相关，基片体1上设置缺角2或缺口3能与待键合RC-IGBT晶圆的形状相一致。基片体1的形状与RC-IGBT晶圆的形状相一致后，在进行N型杂质离子注入时，N型杂质离子只会通过注入图形注入到RC-IGBT晶圆的背面，不会影响RC-IGBT晶圆背面其他区域位置的设定。具体实施时，所述基片体1的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。本专利技术实施例中，所述基片体1的厚度为50μm～300μm。此外，注入图形包括若干贯通基片体1的圆孔4，圆孔在基片体1上呈矩形或品字形均匀排列。圆孔4贯通基片体1，使得注入的N型杂质离子能注入到RC-IGBT晶圆的背面；圆孔4在基片体1规则排列后，能形成相应的注入图形。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：包括能键合于RC‑IGBT晶圆背面的基片体(1)，所述基片体(1)的形状与待键合的RC‑IGBT晶圆的形状相一致，在基片体(1)上设有注入图形，基片体(1)键合于RC‑IGBT晶圆的背面后，利用基片体(1)的注入图形能向RC‑IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC‑IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。

【技术特征摘要】
1.一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体(1)，所述基片体(1)的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体(1)上设有注入图形，基片体(1)键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体(1)的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。2.根据权利要求1所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)呈圆形，基片体(1)上设置缺角(2)或缺口(3)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：许生根，张金平，杨晓鸾，姜梅，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32