具有不对称端子的电容器结构制造技术

无源分立器件(400)包括第一不对称端子(410A)和第二不对称端子(410B)。该无源分立器件(400)进一步包括被扩展以电耦合至第一不对称端子(410A)的第一侧和第二侧的第一内部电极(420A)。该无源分立器件(400)还可包括被扩展以电耦合至第二不对称端子(420B)的第一侧和第二侧的第二内部电极(420B)。

Capacitor structure with asymmetrical terminals

The passive discrete device (400) includes the first asymmetric terminal (410A) and the second asymmetric terminal (410B). The passive discrete device (400) further includes a first internal electrode (420A) that is extended to be electrically coupled to the first and second sides of the first asymmetric terminal (410A). The passive discrete device (400) can also include an second internal electrode (420B) that is extended to be electrically coupled to the first side and the second side of the second asymmetric terminal (420B).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有不对称端子的电容器结构背景领域本公开的诸方面涉及半导体器件，并且尤其涉及用于功率递送应用的电容器结构。
技术介绍
用于集成电路(IC)的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)、中部制程(MOL)和后端制程(BEOL)工艺。前端制程工艺可包括晶片制备、隔离、阱形成、栅极图案化、分隔件、扩展和源极/漏极注入、硅化物形成、以及双应力内衬形成。中部制程工艺可包括栅极触点形成。中部制程层可包括但不限于：中部制程触点、通孔或者非常靠近半导体器件晶体管或其他类似有源器件的其他层。后端制程工艺可包括用于互连在前端制程和中部制程工艺期间创建的半导体器件的一系列晶片处理步骤。现代半导体芯片产品的成功制造涉及所采用的材料和工艺之间的相互作用。对于无线通信设备或其他高速数字电子设备中的集成电路，功率递送网络向整个系统的各种组件供电。功率递送网络可包括调节组件的电压的电压调节器模块。功率递送网络中的谐振是不期望的。可使用电容器来执行抑制功率递送网络中的谐振。表面安装技术(SMT)电容器可减小高功率片上系统设备(诸如应用处理器和图形处理器)中的功率递送网络谐振/噪声。概述一种无源分立器件可包括第一不对称端子和第二不对称端子。该无源分立器件可进一步包括被扩展以电耦合至第一不对称端子的第一侧和第二侧的第一内部电极。该无源分立器件还可包括被扩展以电耦合至第二不对称端子的第一侧和第二侧的第二内部电极。一种制造无源分立器件的方法可包括在多层陶瓷体内镀敷第一内部电极和第二内部电极。该方法还可包括以非正交角度来浸渍该多层陶瓷体以限定第一不对称端子和第二不对称端子。该方法可进一步包括镀敷第一不对称端子，以在该第一不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合第一内部电极。该方法可进一步包括镀敷第二不对称端子，以在该第二不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合第二内部电极。一种无源分立器件可包括第一不对称端子和第二不对称端子。该无源分立器件可进一步包括用于电耦合至该第一不对称端子的第一侧和第二侧的第一装置。该无源分立器件还可包括用于电耦合至该第二不对称端子的第一侧和第二侧的第二装置。这已较宽泛地勾勒出本公开的特征和技术优势以便下面的详细描述可以被更好地理解。本公开的附加特征和优点将在下文描述。本领域技术人员应当领会，本公开可容易地被用作修改或设计用于实施与本公开相同的目的的其他结构的基础。本领域技术人员还应认识到，这样的等效构造并不脱离所附权利要求中所阐述的本公开的教导。被认为是本公开的特性的新颖特征在其组织和操作方法两方面连同进一步的目的和优点在结合附图来考虑以下描述时将被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附图均仅用于解说和描述目的，且无意作为对本公开的限定的定义。附图简述为了更全面地理解本公开，现在结合附图参阅以下描述。图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。图2解说了根据本公开的一方面的管芯的横截面视图。图3A和3B解说了多层陶瓷无源分立器件的各种视图。图4A到4E解说了根据本公开的诸方面的具有经修改的内部/外部电极结构的无源分立器件的各种视图。图5进一步解说了根据本公开的诸方面的处于各种制造阶段的图4A到4E的无源分立器件。图6是解说根据本公开的一方面的用于制造无源分立器件的方法的过程流程图。图7是示出其中可有利地采用本公开的配置的示例性无线通信系统的框图。图8是解说根据一种配置的用于半导体组件的电路、布局、以及逻辑设计的设计工作站的框图。详细描述以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有的配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。如本文中所描述的，术语“和/或”的使用旨在表示“包含性或”，而术语“或”的使用旨在表示“排他性或”。对于无线通信设备或其他高速数字电子设备中的集成电路，功率递送网络向整个系统的各种组件供电。功率递送网络可包括调节组件的电压的电压调节器模块。可使用电容器来执行抑制功率递送网络中的谐振。例如，表面安装技术(SMT)电容器可减小高功率片上系统设备(诸如应用处理器和图形处理器)中的功率递送网络谐振/噪声。电容器是用于根据电容值来在紧密间隔开的电容器极板之间的电场中存储能量(例如，电荷)的电器件的示例。这一电容值提供了对由电容器在特定电压下存储的电荷量的度量。除了它们的电荷存储能力之外，电容器作为电子滤波器也是有用的，因为它们实现高频与低频信号之间的区分。用于抑制功率递送网络中的谐振的示例性电容器是多层陶瓷芯片电容器(MLCC)。这种类型的电容器包括交替的陶瓷和导电材料(例如，金属)层，这些层被堆叠以形成多层芯片。当在自谐振频率之上操作时，MLCC可呈现增大的电感。然而，这一增大的电感在功率递送网络中是不期望的。具体而言，具有较少电感性(例如，较低的等效串联电感(ESL))特性和较多电容性(较高的电容)特性的MLCC对于改善功率递送网络中的解耦效果是合乎需要的。本公开的一个方面涉及具有经修改的内部/外部电极结构的无源分立器件，该经修改的内部/外部电极结构减小等效串联电感并且增大电容。在一个配置中，由扩展的内部电极来提供减小的等效串联电感和增大的电容，这些扩展的内部电极能够更好地限制电极之间的电场。在这种配置中，多层陶瓷电容器器件的端子被修改以容纳扩展的内部电极。即，器件的端子各自在一个侧面上扩展以用于增大整体电接触。增大的接触与内部电极的扩展区域有关。本公开的各个方面提供用于制造具有经修改的内部/外部电极结构的无源分立器件的技术。用于无源分立器件的半导体制造的工艺流程可包括前端制程(FEOL)工艺、中部制程(MOL)工艺和后端制程(BEOL)工艺。将理解，术语“层”包括膜且不应被解读为指示纵向或横向厚度，除非另外声明。如本文中所描述的，术语“基板”可指代已切割晶片的基板或可指代尚未切割的晶片的基板。类似地，术语芯片和管芯可被可互换地使用，除非这种互换将难以置信。根据本公开的一方面的无源分立器件包括第一不对称端子和第二不对称端子。在这种配置中，无源分立器件还包括第一内部电极，这些第一内部电极被扩展以电耦合至第一不对称端子的第一侧和第二侧。无源分立器件进一步包括第二内部电极，这些第二内部电极被扩展以电耦合至第二不对称端子的第一侧和第二侧。与常规的端子相反，第一端子和第二端子呈现不对称的形状，因为它们被修改以容纳扩展的第一和第二内部电极。作为结果，第一不对称端子和第二不对称端子可以在一侧上扩展以实现至第一和第二内部电极的扩展区域的电耦合。图1解说了本公开的一方面中的半导体晶片的立体视图。晶片100可以是半导体晶片，或者可以是在晶片100的表面上具有一层或多层半导体材料的基板材料。当晶片100是半导体材料时，其可使用切克劳斯基(Czochralski)工艺从籽晶生长，其中籽晶被浸入半导体材料的熔池中，并且缓慢旋转并从池中被移除。熔融材料随后在晶体的取向上结晶到籽晶上。晶片100可以是复合材料，诸如砷化镓(GaAs)或氮化镓(GaN)、诸如砷化铟镓(InGaAs)之类的三元材料、四元材料、或者可以是用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无源分立器件，包括：第一不对称端子以及第二不对称端子；被扩展以电耦合至所述第一不对称端子的第一侧和第二侧的多个第一内部电极；以及被扩展以电耦合至所述第二不对称端子的第一侧和第二侧的多个第二内部电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.10 US 14/736,2191.一种无源分立器件，包括：第一不对称端子以及第二不对称端子；被扩展以电耦合至所述第一不对称端子的第一侧和第二侧的多个第一内部电极；以及被扩展以电耦合至所述第二不对称端子的第一侧和第二侧的多个第二内部电极。2.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述多个第一内部电极和所述多个第二内部电极包括多层陶瓷电容器的电容器极板。3.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述第一不对称端子和所述第二不对称端子包括多层陶瓷电容器的端子。4.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述多个第一内部电极在一端耦合至所述第一不对称端子的所述第一侧，并且所述多个第一内部电极包括电耦合至所述第一不对称端子的所述第一侧和所述第二侧的扩展区域。5.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述多个第二内部电极在一端耦合至所述第二不对称端子的所述第一侧，并且所述多个第二内部电极包括电耦合至所述第二不对称端子的所述第一侧和所述第二侧的扩展区域。6.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述第一不对称端子和所述第二不对称端子具有与所述第二侧远离的第三侧，所述第三侧比所述第二侧更短。7.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述第一不对称端子的所述第一侧的长度等于所述第二不对称端子的所述第一侧的长度，并且所述第一不对称端子的所述第二侧的长度等于所述第二不对称端子的所述第二侧的长度。8.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述无源分立器件进一步包括围绕所述多个第一内部电极和所述多个第二内部电极的矩形多层陶瓷体，其中所述第一不对称端子的所述第一侧耦合至所述矩形多层陶瓷体的纵向端，并且所述第二不对称端子的所述第一侧耦合至所述矩形多层陶瓷体的相对的纵向端。9.如权利要求1所述的无源分立器件，其特征在于，所述无源分立器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、固定位置数据单元、以及计算机中的至少一者中。10.一种制造无源分立器件的方法，包括：在多层陶瓷体内镀敷多个第一内部电极和多个第二内部电极；以非正交角度来浸渍所述多层陶瓷体以限定第一不对称端子和第二不对称端子；镀敷所述第一不对称端子，以在所述第一不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合所述多个第一内部电极；以及镀敷所述第二不对称端子，以在所述第二不对称端子的第一侧和第二侧处电耦合所述多个第二内部电极。11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，镀敷所述多个第一内部电极和所述多个第二内部电极包括：在第一陶瓷层上印刷所述多个第一内部电极中的一者，以及将所述多个第一内部电极中的所述一者扩展至所述第一陶瓷层的第一边缘和第二边缘；在第二陶瓷层上印刷所述多个第二内部电极中的一者，以及将所述多个第二内部电极中的所述一者扩展至所述第二陶瓷层的与所述第一陶瓷层的所述第一边缘和所述第二边缘远离的毗邻边缘；以及在所述第二陶瓷层上堆叠所述第一陶瓷层。12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述无源分立器件纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信...

【专利技术属性】
技术研发人员：Y·K·宋，H·B·蔚，KP·黄，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US