The embodiment of the utility model provides a NOR type floating gate memory includes: a substrate; forming on the substrate surface of the source electrode and the drain electrode and the channel region, the source electrode and the drain electrode are located on both sides of the channel region; forming a floating gate oxide layer and above the the channel region of the tunnel; formed in a sidewall of the floating gate sidewall insulating layer; formed in the source electrode and the drain isolation above the insulation layer; forming an isolation insulating layer, the upper side wall of the insulating layer and the floating gate of the interlayer insulating layer is formed; insulated control gate layer on top of the interlayer; formed in the word line above the control gate; the source drain line for reuse. The embodiment of the utility model provides a NOR floating gate memory, which removes the contact holes in the active area of the traditional structure, simplifies the structure of the device, and reduces the size of each storage cell.
【技术实现步骤摘要】
一种NOR型浮栅存储器
本技术涉及半导体制造
,尤其设计一种NOR型浮栅存储器。
技术介绍
NOR型浮栅存储器由于高集成度、低功耗、高可靠性和高性价比等优点,在非易失性存储器市场中占据了主要的份额。但随着微电子技术的发展,NOR型浮栅存储器也面临了一系列的挑战,如更低的功耗,更快的速度,更高的集成度等。现有NOR型浮栅结构的最先进工艺节点为45nm工艺节点,该节点下的每一个存储器件单元面积大于0.02um2,且每个器件至少需要包含一个从有源区到位线金属连接层的金属接触孔。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供了一种NOR浮栅存储器,去除了传统结构中有源区到位线的接触孔,简化了器件结构,减小了每一个存储单元的尺寸。本技术实施例提供了一种NOR型浮栅存储器,包括:衬底;形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅;形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层;形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层;形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层;形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅;形成在所述控制栅的上方的字线;所述源极和所述漏极复用为位线。可选地,所述层间绝缘层的介电常数大于或等于9。可选地,所述层间绝缘层的材料为钽基氧化物薄膜、铝基氧化物薄膜、铪基氧化物薄膜以及锆基氧化物薄膜中的任意一种。可选地,所述层间绝缘层的厚度范围为小于或等于现有技术中位线通过导电过孔与源极和漏极连接,存在的问题有两个,第一方面,由于导电过孔的存在,器件的结构复杂,第二方面,在器件中需要预留出导电过孔的位置 ...
【技术保护点】
一种NOR型浮栅存储器,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅;形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层;形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层;形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层;形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅;形成在所述控制栅的上方的字线;所述源极和所述漏极复用为位线。
【技术特征摘要】
1.一种NOR型浮栅存储器,其特征在于,包括:衬底;形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区,所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧;形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅;形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层;形成在所述源极和所述漏极上方的隔离绝缘层;形成在所述隔离绝缘层、所述侧壁绝缘层和所述浮栅上方的层间绝缘层;形成在所述层间绝缘层的上方的控制栅;形成在所述控制栅的上方的字线...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯骏,
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。