The invention relates to a power electronic switch device, a layout structure and a method for making a switch device. The switch device comprises a base and a power semiconductor module comprises a connecting device and a pressure device, the base has mutually insulated conductor rail, and power semiconductor components are arranged in a conductor rail on the connecting device is configured to film composite comprising a conductive film and electrical insulating film, and thus formed the first and the second main surface, a switching device connected to the device in the internal coincidence circuit connected through the contact area, and the first principal surface of the semiconductor power device to force the lock and the conductive way and the substrate, referred to in the first contact area with the conductor rail connection, pressure device with pressure and pressure components, the first section of the second main the surface pressure element of pressure in the membrane complex, and the first section is disposed within the semiconductor power device area, It is protruding in the normal direction of the power semiconductor assembly.
【技术实现步骤摘要】
功率电子开关装置、其布置结构及制造开关装置的方法
本专利技术描述了一种功率电子开关装置,该功率电子开关装置通过下述事实可形成功率半导体模块或功率电子系统的基本单元:通过其自身或与优选地相同的其他基本单元的组合而形成功率半导体模块或功率电子系统的功率电子基本构建块。此外,本专利技术描述了一种包括这种功率电子开关装置的布置结构,以及用于制造这种功率电子开关装置的特别优选实施例的方法。
技术介绍
例如在DE102013104949B3中所公开的现有技术公开了一种开关装置,该开关装置包括基底、功率半导体组件、连接装置、负载端子装置、以及压力装置。在这种情况下,基底具有电绝缘的导体轨道,其中功率半导体组件被布置在导体轨道上。连接装置构造为包括导电膜和电绝缘膜的膜复合物,并且具有第一和第二主表面。开关装置由此以符合电路的方式内部连接。压力装置具有拥有第一切口的压力体,压力元件被布置成从所述压力体突出,其中压力元件压在膜复合物的第二主表面的区段上,并且在这种情况下,所述区段被布置在功率半导体组件的区域之内以在沿着功率半导体组件的法线方向上突出。通过了解所提到的条件,本专利技术基于提出一种功率电子开关装置及其布置结构以及制造开关装置的方法的目的,其中就其复杂性及其制造成本而言该开关装置被优化。
技术实现思路
根据本专利技术,通过根据本专利技术实施例的的功率电子开关装置、具有功率电子开关装置的布置结构、以及两种特定制造方法来实现所述目的。在从属权利要求中描述了优选实施例。根据本专利技术的开关装置构造为包括基底、布置在其上的功率半导体组件,包括连接装置并且包括压力装置,其中基底具 ...
【技术保护点】
一种功率电子开关装置(1),所述功率电子开关装置包括基底(2)、被布置在所述基底(2)上的功率半导体组件(7),所述功率电子开关装置包括连接装置(3)并且包括压力装置(5),其中,所述基底(2)具有彼此电绝缘的导体轨道(22),并且所述功率半导体组件(7)被布置在导体轨道(22)中的一个上,其中,所述连接装置(3)被构造为包括导电膜(30,34)和电绝缘膜(32)在内的膜复合物,并且因此形成第一主表面和第二主表面(300,340),其中,所述开关装置借助于所述连接装置(3)以符合电路的方式来被连接在内部,并且,其中,所述功率半导体组件(7)的所述第一主表面(70)的接触区域以强制锁定且导电的方式来被连接到所述基底(2)的所指配的导体轨道(22)的第一接触区域(220),为此,所述压力装置(5)具有压力体(50)以及在所述功率半导体组件(7)的方向上从所述压力体(50)突出的压力元件(52),其中,所述压力元件(52)压在所述膜复合物(3)的所述第二主表面(340)的第一区段(344)上,并且在这种情况下,所述第一区段被布置成在所述功率半导体组件(7)的区域(74)之内沿着所述功率半导体 ...
【技术特征摘要】
2016.07.22 DE 102016113538.01.一种功率电子开关装置(1),所述功率电子开关装置包括基底(2)、被布置在所述基底(2)上的功率半导体组件(7),所述功率电子开关装置包括连接装置(3)并且包括压力装置(5),其中,所述基底(2)具有彼此电绝缘的导体轨道(22),并且所述功率半导体组件(7)被布置在导体轨道(22)中的一个上,其中,所述连接装置(3)被构造为包括导电膜(30,34)和电绝缘膜(32)在内的膜复合物,并且因此形成第一主表面和第二主表面(300,340),其中,所述开关装置借助于所述连接装置(3)以符合电路的方式来被连接在内部,并且,其中,所述功率半导体组件(7)的所述第一主表面(70)的接触区域以强制锁定且导电的方式来被连接到所述基底(2)的所指配的导体轨道(22)的第一接触区域(220),为此,所述压力装置(5)具有压力体(50)以及在所述功率半导体组件(7)的方向上从所述压力体(50)突出的压力元件(52),其中,所述压力元件(52)压在所述膜复合物(3)的所述第二主表面(340)的第一区段(344)上,并且在这种情况下,所述第一区段被布置成在所述功率半导体组件(7)的区域(74)之内沿着所述功率半导体组件(7)的法线的方向(N)突出。2.根据权利要求1所述的开关装置,其中,所述连接装置的第二接触区域(308)以强制锁定或实质性键合的方式并且以导电的方式来被连接到所述基底(2)的所指配的导体轨道(22)的接触区域(228)。3.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,所述功率半导体组件(7)通过其第二主表面(72)以强制锁定或实质性键合的方式来被导电地连接到所述连接装置(3)的所述第一主表面(300)的所指配的接触区域。4.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,所述压力体(50)具有第一切口(500),所述压力元件(52)从所述第一切口(500)突出。5.根据权利要求4所述的开关装置,其中,所述压力体(50)的所述第一切口(500)被构造为从第一主表面(502)起始的凹陷部,所述压力元件(52)完全或近似完全地填充所述压力体(50)的所述切口(500),并且所述压力元件(52)在其所述第一主表面(502)处从所述压力体的所述切口(500)突出。6.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,所述压力体(50)是由耐高温的热塑性塑料构成的,特别是由聚苯硫醚构成的,并且所述压力元件(52)是由弹性体构成的,优选地是由硅酮弹性体构成的,特别是由交联的液态硅酮构成的。7.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,所述压力体(52)的横向广度(544)与垂直广度(520)的比率具有大于2比1的比率,特别是具有大于4比1的比率。8.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,所述第一区段(344)的表面面积至少具有所指配的功率半导体组件(7)的区域(74)的20%,特别是至少50%。9.根据权利要求1或2所述的开关装置,其中,各个导电的且实质性键合的连接被构造为焊接的、粘接的、或者压力烧结的连接。10.一种布置结构,该布置结构包括根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:约尔格·阿蒙,哈拉尔德·科波拉,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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