一种扩散硅高静压微差压传感器制造技术

本发明专利技术一种扩散硅高静压微差压传感器，其中，包括：正盒固定座以及设于正盒固定座下侧的负盒固定座，正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，盘型填充主体与负盒固定座之间设有空腔，空腔内的两端分别设有静压座、差压座，静压座与差压座内均设有导线柱；负盒固定座内设有反应区，导线通孔位于高压区正上方，差压座位于低压区上方，负盒固定座的上侧设有静压座；静压座背离于差压座的一侧根部设有静压芯片，差压座背离于静压芯片的一侧根部设有差压芯片，静压芯片大于两个，差压芯片大于两个。通过使用本发明专利技术一种扩散硅高静压微差压传感器，有效地实现外置电路对传感器进行校准，同时对传感器的温度系数、灵敏度系数进行补偿。

A diffused silicon high static pressure differential pressure sensor

The invention relates to a high pressure silicon micro differential pressure sensor, which comprises a negative box fixing seat is arranged on the box holder and the fixing seat is the side of the box, box is embedded with a fixed seat disc type filling body, disc type packing box body and the negative cavity is provided with a fixed seat, both ends of the cavity are respectively provided with a static pressure seat, seat and seat pressure, static pressure differential pressure seat are arranged in the wire box column; negative fixed seat is provided with a wire through hole in the reaction zone, high pressure area is located in the area of low pressure differential pressure above the box fixing seat is provided with a negative pressure side seat; seat away from the root of the static pressure seat is provided with a static chip. One side of the root block away from the static chip differential with differential pressure is greater than the two chip, chip chip, differential pressure is greater than two. By using the present invention, a diffused silicon high static pressure micro differential pressure sensor is applied to effectively realize the calibration of the external circuit to the sensor, and at the same time, the temperature coefficient and sensitivity coefficient of the sensor are compensated.

【技术实现步骤摘要】
一种扩散硅高静压微差压传感器
本专利技术涉及压力传感器
，具体涉及一种扩散硅高静压微差压传感器。
技术介绍
众所周知，随着传感器技术突飞猛进的发展，结构型力敏传感器以其高精度、高稳定、高可靠、低温度系数、高抗过载能力、优良的动态响应特性以及对高温、辐射和强烈振动等恶劣条件适应性强等一系列优势被公认为是新一代具有广阔发展前途的新型高性能传感器。随着检测仪表智能化趋势越来越强，硅传感器在高速发展的微机械加工技术和微电子技术的带动下迅速催生出“硅电容传感器”、“硅谐振传感器”、“硅加速度传感器”等不同与以往硅压阻式传感器的新型结构型传感器，其中电容型压力传感器是结构型压力传感器一种典型代表，它利用电容原理测量压力，是压力测量仪表的关键部件。与扩散硅压力传感器相比，硅电容压力传感器有其独特的优点，特别是采用电容原理制作微差压传感器，远比采用扩散硅原理制造工艺实现难度小，易于批量重复制作。此外，由于这种电容结构型传感器不存在PN结的电隔离问题，因此，无论从精度和长期稳定性方面都较比扩散硅传感器有了很大提高，如：精度优于0.075%FS,传感器在几年使用时间里免维护，这些特点都是前一代传感器无法比拟的。这种采用电容原理的结构型微差压传感器是现代微机电压力传感器的一个重要分支和组成部分，也是对硅压阻式传感器的重要扩充。硅微微压传感器是硅微压力传感器发展的一个重要分支，在工业自动化控制、汽车工业、航天工业、医疗卫生、半导体加工、军事等许多领域有着广泛的应用。目前国内市场上硅微压力传感器的量程普遍都在lkPa以上，更低量程的产品主要依靠国外进口，一直没有成熟的产品问世，尤其是采用电容原理的结构型微差压传感器的研究一直都是空白，一直被国外产品所垄断，严重制约了我国传感器
的产业发展，进而制约了我国流程控制和自动化技术水平的提高，因此，研究一种结构型微差压传感器，对低微量程的硅微微压传感器的研究，实现相关技术攻关，促进硅微压力传感器技术提高和相关产业发展有着实际意义。
技术实现思路
本申请提供一种扩散硅高静压微差压传感器，用以解决现有技术中喷码器结构不佳，到时，并且导致实际操作过程中掉落、运输过程中也容易造成破损，以及行程误差会累积并发生微变化，导致检测数据产生误差问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种扩散硅高静压微差压传感器，其中，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所述静压芯片大于两个，所述差压芯片大于两个。上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述盘型填充主体远离所述静压座的一端向下设有过载膜片，所述过载膜片的背离于所述静压座的一侧设有过载压环。上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述差压座与所述过载膜片之间设有保护罩密封阻挡。上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述正盒固定座的外侧设有膜片板体，所述膜片板体与所述正盒固定座的连接方式为焊接。上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述正盒固定座与所述盘型填充主体之间的连接方式为焊接。上述的扩散硅高静压微差压传感器，其中，所述静压座、所述差压座分别与所述盘型填充主体的贴合面设有嵌台。依据上述实施例的一种扩散硅高静压微差压传感器方法/装置，该方案具有以下的效果：1、有效地实现外置电路对传感器进行校准，同时对传感器的温度系数、灵敏度系数进行补偿；2、采用两静压芯片、两差压芯片的结构，可以在较高工作压力下检测微小的差压变化。并可同时检测高压压力值与微差压值，输出两路数据。3、其结构简单，易于制造、安装。附图说明图1为一种扩散硅高静压微差压传感器的结构示意图；如图参考：正盒固定座1、负盒固定座2、盘型填充主体3、空腔4、静压座5、差压座6、导线柱7、反应区8、连接件9、接线板10、导线通孔11、导线12、低压区13、高压区14、静压芯片15、差压芯片16、过载膜片17、过载压环18、保护罩19、膜片板体20、嵌台21。具体实施方式为了使专利技术实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本专利技术。如图1所示，一种扩散硅高静压微差压传感器，其中，包括：正盒固定座1以及设于正盒固定座1下侧的负盒固定座2，正盒固定座1内嵌设有盘型填充主体3，盘型填充主体3与负盒固定座2之间设有空腔4，空腔4内的两端分别设有静压座5、差压座6，静压座5与差压座6内均设有导线柱7；负盒固定座2内设有反应区8，正盒固定座1背离于负盒固定座2的一侧设有连接件9，连接件9内设有接线板10，盘型填充主体3内设有导线通孔11，接线板10与两导线柱7之间设有导线12，导线12固定在导线通孔11内；反应区8包括低压区13、高压区14，导线通孔11位于高压区14正上方，差压座6位于低压区13上方，负盒固定座2的上侧设有静压座5；静压座5背离于差压座6的一侧根部设有静压芯片15，差压座6背离于静压芯片15的一侧根部设有差压芯片16，静压芯片15大于两个，差压芯片16大于两个，进一步的通过静压芯片15与差压芯片16四个芯片的配合可以在较高工作压力下检测微小的差压变化。并可同时检测高压压力值与微差压值，输出两路数据。本专利技术的具体实施例中，盘型填充主体3远离静压座5的一端向下设有过载膜片17，过载膜片17的背离于静压座5的一侧设有过载压环18，进一步的用过过载压环18扣在过载膜片17上进行固定，在此通过过载膜片17阻挡部分压力。本专利技术的具体实施例中，差压座6与过载膜片17之间设有保护罩19密封阻挡，进一步的方式差压座6与过载膜片17之间相互产生影响。本专利技术的具体实施例中，正盒固定座1的外侧设有膜片板体20，膜片板体20与正盒固定座1的连接方式为焊接，进一步的焊接不但稳固而且具有密封的效果。本专利技术的具体实施例中，正盒固定座1与盘型填充主体3之间的连接方式为焊接，进一步的焊接不但增强了稳固性能，而且具有密封效果。本专利技术的具体实施例中，静压座5、差压座6分别与盘型填充主体3的贴合面设有嵌台21，进一步的通过嵌台21的设计使得静压座5、差压座6能够与盘型填充主体3稳固相接。分别在正、负压盒腔体内装配保护油路。该油路通过检测膜片的过载压力实现自动平衡功能，当传感器单边过载压力超过额定量程3倍，差压传感器另外一面油压会自动平衡，从而形成与过压面均衡的平衡压力。以避免单边压力过大对传感器造成损害。分别在传感器的正压盒及负压盒墙体内充油，焊接不锈钢波纹保护薄片。将整个油路及传感器密封在充满油的腔体内。焊接受压膜片，在不锈钢保护膜片及受压膜片之间充油，焊接充油孔。通过外置电路对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所述静压芯片大于两个，所述差压芯片大于两个。

【技术特征摘要】
1.一种扩散硅高静压微差压传感器，其特征在于，包括：正盒固定座以及设于所述正盒固定座下侧的负盒固定座，所述正盒固定座内嵌设有盘型填充主体，所述盘型填充主体与所述负盒固定座之间设有空腔，所述空腔内的两端分别设有静压座、差压座，所述静压座与所述差压座内均设有导线柱；所述负盒固定座内设有反应区，所述正盒固定座背离于所述负盒固定座的一侧设有连接件，所述连接件内设有接线板，所述盘型填充主体内设有导线通孔，所述接线板与两所述导线柱之间设有导线，所述导线固定在所述导线通孔内；所述反应区包括低压区、高压区，所述导线通孔位于所述高压区正上方，所述差压座位于所述低压区上方，所述负盒固定座的上侧设有所述静压座；所述静压座背离于所述差压座的一侧根部设有静压芯片，所述差压座背离于所述静压芯片的一侧根部设有差压芯片，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余德丰，
申请(专利权)人：上海域丰传感仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31