一种电子元器件制造技术

技术编号:17142520 阅读:55 留言:0更新日期:2018-01-27 16:02
本发明专利技术公开了一种电子元器件,主要包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片;所述的熔断器与主电容电性串联,再与整流桥堆电性并联;所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈;所述的第一感应线圈上并联有第一电阻。本发明专利技术结构紧凑适合多种环境使用,而且维护性能好,整体体积小,适用范围广。

An electronic component

The present invention discloses a kind of electronic components, mainly including fuses, capacitors, diodes, and a plurality of resistors, capacitors, a plurality of auxiliary transformer, a plurality of diodes, a plurality of induction coils and chip; the fuse and the main capacitor electrically connected in series, and the rectifier is electrically connected in parallel; rectifier the first second are respectively connected with the induction coil and induction coil; the first induction coil is connected in parallel with a first resistor. The invention has compact structure and suitable for various environment use, and has good maintenance performance, small overall volume and wide application range.

【技术实现步骤摘要】
一种电子元器件
本专利技术涉及一种电子元器件。
技术介绍
1947年,点接触型锗晶体管的诞生,在电子器件的发展史上翻开了新的一页。此后,人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展,各种性能优良的电子器件相继出现,电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。由于社会发展的需要,电子装置变的越来越复杂,这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自20世纪50年代提出集成电路的设想后,由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步,在20世纪60年代研制成功了第一代集成电路。在半导体发展史上。集成电路的出现诞生和发展推动了铜芯技术和计算机的进步,使科学研究的各个领域以及工业社会的结构发生了历史性变革。凭借卓越的科学技术所专利技术的集成电路使研究者有了更先进的工具,进而产生了许多更为先进的技术。这些先进的技术有进一步促使更高性能、更廉价的集成电路的出现。对电子器件来说,体积越小,集成度越高;响应时间越短,计算处理的速度就越快;传送频率就越高,传送的信息量就越大。半导体工业和半导体技术被称为现代工业的基础,同时也已经发展称为一个相对独立的高科技产业。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电子元器件。本专利技术采用以下技术方案:一种电子元器件,包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片;所述的熔断器与主电容电性串联,再与整流桥堆电性并联;所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈;所述的第一感应线圈上并联有第一电阻;所述的第二感应线圈上并联有第二电阻;所述的整流桥堆还与第一副电容连接;所述的第一副电容的另一端与芯片连接;所述的芯片与第二副电容电性连接;所述的第一副电容、第三电阻、第四电阻、第二副电容依次构成串联;所述的第四电阻和第二副电容之间还与第五电阻和芯片连接;所述的第四五阻与第一二极管串联;所述的第一二极管与变压器连接;所述的变压器的一端与第六电阻连接后,与芯片连接,所述的第六电阻还与第七电阻并联;所述的芯片与第六电阻之间还连接有第三副电容、第八电阻和第二二极管,其中第三小型电容与第八电阻串联,第二二极管与串联后的第三小型电容与第八电阻并联。所述的变压器的另一端还连接有第四副电容和第九电阻,其中第四副电容与第九电阻构成并联,并与第八电阻或第二二极管形成回路。所述的芯片还与第五副电容、第十电阻分别连接。作为本专利技术的进一步说明,所述的第四副电容为卧式设置。作为本专利技术的进一步说明,所述的芯片为IC芯片。与现有技术相比,本专利技术具备的有益效果:1、本专利技术结构紧凑适合多种环境使用,而且维护性能好。2、本专利技术设计合理,整体体积小,适用范围广。附图说明图1是本专利技术的电路连接结构示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步详细说明,但是本专利技术的保护范围不仅仅局限于以下优选的具体实施方式。实施例1:一种电子元器件,主要包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片;所述的熔断器与主电容电性串联,再与整流桥堆电性并联;所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈;所述的第一感应线圈上并联有第一电阻;所述的第二感应线圈上并联有第二电阻;所述的整流桥堆还与第一副电容连接;所述的第一副电容的另一端与芯片连接;所述的芯片与第二副电容电性连接;所述的第一副电容、第三电阻、第四电阻、第二副电容依次构成串联;所述的第四电阻和第二副电容之间还与第五电阻和芯片连接;所述的第四五阻与第一二极管串联;所述的第一二极管与变压器连接;所述的变压器的一端与第六电阻连接后,与芯片连接,所述的第六电阻还与第七电阻并联;所述的芯片与第六电阻之间还连接有第三副电容、第八电阻和第二二极管,其中第三小型电容与第八电阻串联,第二二极管与串联后的第三小型电容与第八电阻并联。所述的变压器的另一端还连接有第四副电容和第九电阻,其中第四副电容与第九电阻构成并联,并与第八电阻或第二二极管形成回路。作为本专利技术的进一步说明,所述的芯片还与第五副电容、第十电阻分别连接。作为本专利技术的进一步说明,所述的第四副电容为卧式设置。作为本专利技术的进一步说明,所述的芯片为IC芯片。本文档来自技高网...
一种电子元器件

【技术保护点】
一种电子元器件,其特征在于:主要包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片;所述的熔断器与主电容电性串联,再与整流桥堆电性并联;所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈;所述的第一感应线圈上并联有第一电阻;所述的第二感应线圈上并联有第二电阻;所述的整流桥堆还与第一副电容连接;所述的第一副电容的另一端与芯片连接;所述的芯片与第二副电容电性连接;所述的第一副电容、第三电阻、第四电阻、第二副电容依次构成串联;所述的第四电阻和第二副电容之间还与第五电阻和芯片连接;所述的第四五阻与第一二极管串联;所述的第一二极管与变压器连接;所述的变压器的一端与第六电阻连接后,与芯片连接,所述的第六电阻还与第七电阻并联;所述的芯片与第六电阻之间还连接有第三副电容、第八电阻和第二二极管,其中第三小型电容与第八电阻串联,第二二极管与串联后的第三小型电容与第八电阻并联。

【技术特征摘要】
1.一种电子元器件,其特征在于:主要包括熔断器、主电容、整流桥堆、若干个电阻、若干个副电容、变压器、若干个二极管、若干个感应线圈和芯片;所述的熔断器与主电容电性串联,再与整流桥堆电性并联;所述的整流桥堆分别连接第一感应线圈和第二感应线圈;所述的第一感应线圈上并联有第一电阻;所述的第二感应线圈上并联有第二电阻;所述的整流桥堆还与第一副电容连接;所述的第一副电容的另一端与芯片连接;所述的芯片与第二副电容电性连接;所述的第一副电容、第三电阻、第四电阻、第二副电容依次构成串联;所述的第四电阻和第二副电容之间还与第五电阻和芯片连接;所述的第四五...

【专利技术属性】
技术研发人员:周露黄智文黄兴团
申请(专利权)人:广西新全通电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:广西,45

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1