The utility model discloses a quartz wafer cleaning Gao Jie clarity carrier, which comprises a substrate (1) and a cover plate (2), a substrate (1) is arranged on the surface of the top sheet (3), a substrate (1) on the top surface is provided with connecting the upper and lower surfaces of the through groove (4),. Groove (4) are in array distribution on the substrate (1), groove (4) and is located in the groove (4) of the four sides are fixedly provided with a stylus (5), the cover (2) placed on the substrate (1) and the top surface of the disk (3) adsorbed on the substrate (1), cover (2) is located in the groove (4). The utility model has the beneficial effects of compact structure, thorough cleaning of particle impurities and adhesion on the surface of the quartz wafer, improving the quality of the coating and simple operation.
【技术实现步骤摘要】
一种高洁净度石英晶片清洗载具
本技术涉及石英晶片清洗的
,特别是一种高洁净度石英晶片清洗载具。
技术介绍
现有的石英晶体谐振器生产过程中,石英晶片镀膜前的清洗方法如下:采用除静电设备吹掩膜板上的石英晶片,再用吸尘器吸走浮尘,然后镀膜;或者,石英晶片在排片前集中清洗,清洗后再排片镀膜。上述传统的石英晶片清洗方法中,若采用排片前将石英晶片集中清洗,清洗过程石英晶片不可避免会出现重叠,导致石英晶片清洗不干净;若采用镀膜前使用除静电设备吹洗,则会导致石英晶片上粘附较紧的污渍难以去除。而传统的石英晶片清洗方法及清洗载具,都存在清洗不净的问题,导致石英晶片镀膜后通常出现以下缺陷:(1)粘附在石英晶片表面的颗粒杂质在镀膜后形成金属粒子粘附在晶片表面,调频后出现电阻及频率异常;(2)由于石英晶片表面尘埃粘附或污染致镀膜后镀层与晶片脱落,造成起振困难或不起振,谐振器不工作;(3)镀膜后镀层起泡造成起振频率异常或老化后频率偏移;以上三种缺陷可导致原材料的报废及设备产能浪费、人工成本增加,更有可能导致石英晶体谐振器在使用过程中金属粒子从晶片表面脱落,对晶片起振造成障碍,严重影响产品质量及公司信誉。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种结构紧凑、彻底清洗石英晶片表面上颗粒杂质及粘附尘埃、提高镀膜质量、操作简单的高洁净度石英晶片清洗载具。本技术的目的通过以下技术方案来实现:一种高洁净度石英晶片清洗载具,它包括基板和盖板,所述的基板的顶表面设置有磁片,基板顶表面上还开设有连通其上下表面的通槽,通槽呈阵列分布于基板上,通槽内且位于通槽的四个边上均固设有触针,所述的盖 ...
【技术保护点】
一种高洁净度石英晶片清洗载具,其特征在于:它包括基板(1)和盖板(2),所述的基板(1)的顶表面设置有磁片(3),基板(1)顶表面上还开设有连通其上下表面的通槽(4),通槽(4)呈阵列分布于基板(1)上,通槽(4)内且位于通槽(4)的四个边上均固设有触针(5),所述的盖板(2)放置于基板(1)顶表面且经磁片(3)吸附于基板(1)上,盖板(2)位于通槽(4)上方。
【技术特征摘要】
1.一种高洁净度石英晶片清洗载具,其特征在于:它包括基板(1)和盖板(2),所述的基板(1)的顶表面设置有磁片(3),基板(1)顶表面上还开设有连通其上下表面的通槽(4),通槽(4)呈阵列分布于基板(1)上,通槽(4)内且位于通槽(4)的四个边上均固设有触针(5),所述的盖板(2)放置于基板(1)顶表面且经磁片(3)吸附于基板(1)上,盖板(2)位于通槽(4)上方。2.根据权利要求1所述的一种高洁净度石英晶片清洗载具,其特征在于:所述的触针(5)为条形结构。3.根据权利要求1所述的一种高洁净度石英晶片清洗载具,其特征在于:所述的基板(1...
【专利技术属性】
技术研发人员:王富春,
申请(专利权)人:东晶锐康晶体成都有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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