过流保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种过流保护电路，其中，该过流保护电路包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，其中：采样电路，输入端与被保护电路部件相连，输出端与比较电路的第一输入端相连；比较电路，第一输入端与采样电路的输出端相连，第二输入端与预设比较值相连，输出端与信号处理电路相连；信号处理电路，第一输入端与比较电路的输出端相连，第二输入端与驱动信号相连，输出端与驱动电路的输入端相连；驱动电路，输入端与信号处理电路的输出端相连，输出端与被保护电路部件相连。通过上述方案实现在保证保护电路快速性的同时提高电路的抗干扰能力的目的。

Overcurrent protection circuit

The utility model provides an overcurrent protection circuit, wherein the overcurrent protection circuit comprises a sampling circuit, a comparison circuit, signal processing circuit, drive circuit and protection circuit components, including sampling circuit, the input end and the protected circuit unit is connected, the first input and output and the comparison circuit is connected; a comparison circuit, a first input and output sampling circuit is connected with the second input and the preset value is connected to the output terminal is connected with a signal processing circuit; the signal processing circuit, a first input end and the output end of the comparison circuit, the second input end is connected with the drive signal, the output and input of the drive circuit is connected with the end; the drive circuit, the input and output signal processing circuit is connected with the output end and the protected circuit components. The aim of this scheme is to ensure the speediness of the protection circuit and improve the anti-interference ability of the circuit.

【技术实现步骤摘要】
过流保护电路
本技术涉及电路
，具体而言，涉及一种过流保护电路。
技术介绍
SiC器件具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、临界电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性，因此，基于SiC的电力电子器件阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小的优势。进一步的，采用SiC电力电子器件可以进一步提升电力电子装置的功率密度及效率，尤其是在高频、高温和大功率电力电子应用领域，SiC电力电子器件具有Si半导体器件难以比拟的巨大应用优势和潜力。但是，在中大功率的应用场合，对器件的可靠性要求较高，目前，硅IGBT的过流保护电路技术较为成熟，IGBT过流保护电路主要通过检测集电极的电流大小来检测过流故障，从而避免其因过流故障而受到损坏。IGBT在固定的门极电压下，其集电极电流随着UCE电压的增加，集电极电流存在一个明显的拐点。当IGBT电流上升到一定数值时，IGBT会发生退饱和现象，退饱和现象的标志是UCE电压会快速上升至输入电压，而IGBT电流则没有明显变化。UCE电压在数值随着集电极电流的增大而增大，根据这一特性，可以通过检测UCE电压判断IGBT是否发生退饱和现象，进而判断IGBT是否过流。然而，碳化硅MOSFET的输出特性与IGBT不同，碳化硅MOSFET没有退饱和现象，也没有明确的过流标志，针对如何在保证保护电路快速性的同时提高其抗干扰能力目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种过流保护电路，以在保证保护电路快速性的同时提高电路的抗干扰能力。一方面，提供了一种过流保护电路，包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，其中：所述采样电路，输入端与所述被保护电路部件相连，输出端与所述比较电路的第一输入端相连；所述比较电路，第一输入端与所述采样电路的输出端相连，第二输入端与预设比较值相连，输出端与所述信号处理电路相连；所述信号处理电路，第一输入端与所述比较电路的输出端相连，第二输入端与驱动信号相连，输出端与所述驱动电路的输入端相连；所述驱动电路，输入端与所述信号处理电路的输出端相连，输出端与所述被保护电路部件相连。在一个实施方式中，所述采样电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管和第一电容，其中：所述第一二极管的第一端与所述被保护电路部件相连，第二端与第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一电阻的第一端、第一电容的第一端、第四电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二二极管的第一端相连，第二二极管的第二端和所述第一电阻的第二端与所述信号处理电路的输出端相连，第一电容的第二端接地，第四电阻的第二端与第五电阻的第一端和所述比较电路的第一输入端相连，第五电阻的第二端接地。在一个实施方式中，所述比较电路包括：比较器。在一个实施方式中，所述信号处理电路包括：与门。在一个实施方式中，所述驱动电路包括：第六电阻、第七电阻、第三二极管和第二电容，其中，所述第六电阻第一端与所述信号处理电路的输出端相连，所述第六电阻的第二端与第二电容的第一端和所述被保护电路部件相连，所述第二电容的第二端接地，所述第七电阻的第一端与所述信号处理电路的输出端相连，所述第七电阻的第二端与第三二极管的第一端相连，所述第三二极管的第二端与所述第二电容的第一端相连。在一个实施方式中，所述被保护电路部件包括以下至少之一：碳化硅MOSFET、硅功率器件和氮化镓功率器件。在上述实施例中，提供了一种过流保护电路，包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，在确定被保护电路部件存在过流现象的情况下，封锁驱动信号，以实现对被保护电路部件的保护，实现了在保证保护电路快速性的同时提高电路的抗干扰能力。附图说明构成本申请的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1是根据本技术实施例的过流保护电路的结构示意图；图2是根据本技术实施例的基于过流保护电路的过流保护方法的方法流程图；图3是根据本技术实施例的过流保护电路的另一结构示意图；图4是根据本技术实施例的过流保护电路的电路图；图5是根据本技术实施例的过流保护电路的另一电路图；图6是根据本技术实施例的过流保护电路的又一电路图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本技术做进一步详细说明。在此，本技术的示意性实施方式及其说明用于解释本技术，但并不作为对本技术的限定。在本技术实施例中，提供了一种过流保护电路，如图1所示，可以包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，其中，采样电路，输入端与被保护电路部件相连，输出端与所述比较电路的第一输入端相连；比较电路，第一输入端与所述采样电路的输出端相连，第二输入端与预设比较值相连，输出端与所述信号处理电路相连；所述信号处理电路，第一输入端与所述比较电路的输出端相连，第二输入端与驱动信号相连，输出端与所述驱动电路的输入端相连；所述驱动电路，输入端与所述信号处理电路的输出端相连，输出端与所述被保护电路部件相连。为了实现采样电路，可以通过第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管和第一电容形成采样电路，其中：所述第一二极管的第一端与所述被保护电路部件相连，第二端与第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一电阻的第一端、第一电容的第一端、第四电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二二极管的第一端相连，第二二极管的第二端和所述第一电阻的第二端与所述信号处理电路的输出端相连，第一电容的第二端接地，第四电阻的第二端与第五电阻的第一端和所述比较电路的第一输入端相连，第五电阻的第二端接地。采样电路的功能是在信号为高电平时，检测被保护电路部件的电压(例如碳化硅MOSFDT的漏极和源极的电压值)，然后，将检测到的电压值输入到比较电路作为比较电路的输入。其中，比较电路可以是比较器，比较电路将给定信号与采样电路的输出信号进行比较，用于判断电路是否出现过流现象。上述的信号处理电路可以是与门，该信号处理电路用于将比较电路的比较结果与脉冲信号进行比较，以确定是否发生过流现象，在确定出现过流现象的情况下，信号处理电路先于中央处理器封闭脉冲信号，关断被保护电路部件。中央处理器用于处理故障信号，停止发送脉冲信号。为了实现对被保护电路部件的驱动，还设置有驱动电路，其中，该驱动电路可以包括：第六电阻、第七电阻、第三二极管和第二电容，其中，所述第六电阻第一端与所述信号处理电路的输出端相连，所述第六电阻的第二端与第二电容的第一端和所述被保护电路部件相连，所述第二电容的第二端接地，所述第七电阻的第一端与所述信号处理电路的输出端相连，所述第七电阻的第二端与第三二极管的第一端相连，所述第三二极管的第二端与所述第二电容的第一端相连。上述被保护电路部件可以包括但不限于以下之一：碳化硅MOSFET、硅功率器件和氮化镓功率器件。基于上述的过流保护电路，可以按照如图2所示的方法步骤进行过流保护：步骤2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过流保护电路，其特征在于，包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，其中：所述采样电路，输入端与所述被保护电路部件相连，输出端与所述比较电路的第一输入端相连；所述比较电路，第一输入端与所述采样电路的输出端相连，第二输入端与预设比较值相连，输出端与所述信号处理电路相连；所述信号处理电路，第一输入端与所述比较电路的输出端相连，第二输入端与驱动信号相连，输出端与所述驱动电路的输入端相连；所述驱动电路，输入端与所述信号处理电路的输出端相连，输出端与所述被保护电路部件相连。

【技术特征摘要】
1.一种过流保护电路，其特征在于，包括：采样电路、比较电路、信号处理电路、驱动电路和被保护电路部件，其中：所述采样电路，输入端与所述被保护电路部件相连，输出端与所述比较电路的第一输入端相连；所述比较电路，第一输入端与所述采样电路的输出端相连，第二输入端与预设比较值相连，输出端与所述信号处理电路相连；所述信号处理电路，第一输入端与所述比较电路的输出端相连，第二输入端与驱动信号相连，输出端与所述驱动电路的输入端相连；所述驱动电路，输入端与所述信号处理电路的输出端相连，输出端与所述被保护电路部件相连。2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述采样电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管和第一电容，其中：所述第一二极管的第一端与所述被保护电路部件相连，第二端与第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一电阻的第一端、第一电容的第一端、第四电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二二极管的第一端相连，第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，宋江喜，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44