半导体封装装置和半导体引线框架制造方法及图纸

本实用新型专利技术揭示了一种半导体封装装置和半导体引线框架,该半导体封装装置包括：封装外壳；半导体器件，包覆在所述封装外壳内；管脚，用于与所述半导体器件电气连接，且裸露在所述封装外壳外；所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。本实用新型专利技术的半导体引线框架用于形成该半导体封装装置。本实用新型专利技术的半导体封装装置和半导体引线框架能够提高管脚与PCB印制电路板的焊接性能和可靠性。

Semiconductor packaging and semiconductor lead frame

The utility model discloses a semiconductor device and the semiconductor lead frame, the semiconductor package device includes: a semiconductor device package; coated in the package; pin is connected to the semiconductor device electrical, and exposed in the package casing; the pin is close to the package the shell on both sides with Fang Bo like structure formed by the two bulge and a groove, the projections and the groove are sequentially along the length direction of the pin are arranged alternately, the pin and PCB printed circuit board welding, solder will gather in the groove. The semiconductor lead frame of the utility model is used to form the semiconductor packaging device. The semiconductor packaging device of the utility model and the semiconductor lead frame can improve the welding performance and reliability of the tube foot and the PCB printed circuit board.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置和半导体引线框架
本技术涉及半导体的封装领域，特别涉及一种半导体封装装置和半导体引线框架。
技术介绍
半导体封装装置是由晶圆按照产品型号及功能需求加工得到的具有独立芯片的装置。目前，半导体封装装置，例如，三极管封装装置，其管脚的尺寸一般为1.35mm宽，0.5mm厚。该半导体封装装置安装在PCB印制电路板上时，占用的PCB印制电路板的面积一般为1.35mm*0.5mm*3(其中3为管脚数量)，对于直插式封装而言，PCB印制电路板要为半导体封装装置的每一只管脚开一开孔，并且管脚越大，开孔尺寸也就越大，占用PCB印制电路板的尺寸也越大，导致PCB印制电路板上焊接的半导体器件的数量减少。另一方面，因PCB印制电路板上的开孔略大于管脚，在将管脚焊接至PCB印制电路板时，容易造成管脚上的焊锡通过开孔向下流动，造成管脚与PCB印制电路板的焊接性能差、焊接不可靠的问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的半导体封装装置的管脚与PCB印制电路板焊接性能差、焊接不可靠的问题，本技术提供一种半导体封装装置。本技术另提供一种半导体引线框架，该引线框架切筋后能够形成上述半导体封装装置的管脚结构。本技术另提供一种半导体引线框架，所述引线框架为切筋过后的引线框架，该引线框架具有上述半导体封装装置的管脚结构。本技术提供一种半导体封装装置，包括：封装外壳；半导体器件，包覆在所述封装外壳内；管脚，用于与所述半导体器件电气连接，所述管脚裸露在所述封装外壳外；所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。可选的，在所述管脚插入PCB印制电路板后，所述PCB印制电路板卡在所述两凸起之间，使得其中一个凸起位于所述PCB印制电路板上表面，另一个凸起位于所述PCB印制电路板的下表面。可选的，所述管脚的宽度尺寸为0.7mm-0.9mm，所述凸起的高度为0.075mm-0.1mm。可选的，所述管脚的外表面涂覆有锡层。可选的，所述锡层的覆盖范围为从所述管脚的凹槽开始延伸到靠近所述封装外壳的管脚部分。本技术另提供一种半导体引线框架，包括：至少一散热区；至少一载片区，用于安装半导体器件，所述载片区连接所述散热区；至少一管脚框架，所述管脚框架包括边角框架，位于所述边角框架内的多个管脚以及连接各管脚的第一连筋、第二连筋，所述第一连筋靠近所述载片区，所述第二连筋位于所述第一连筋远离所述载片区的一侧；所述第一连筋被切断后，各管脚两侧的切筋处分别形成第一凸起，所述第二连筋被切断后，各管脚两侧的切筋处分别形成第二凸起，所述第一凸起和所述第二凸起沿所述管脚的长度方向间隔设置，且所述第一凸起和所述第二凸起之间形成一凹槽，第一凸起、所述第二凸起和所述凹槽形成方波状结构。可选的，所述第一连筋和所述第二连筋之间的管脚宽度为0.7mm~0.9mm。本技术另提供一种半导体引线框架，包括：散热区；载片区，用于安装半导体器件，所述载片区连接所述散热区；管脚，用于电气连接所述载片区中的半导体器件，所述管脚靠近所述载片区的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：本技术的半导体封装装置通过在管脚的两侧分别形成由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，使得管脚与PCB印制电路板焊接时，焊锡通过两凸起锁住在凹槽中，从而使得焊锡能够充分与管脚、PCB印制电路板接触，进而加强管脚和PCB印制电路板的焊接强度，提升管脚和PCB板的焊接性能和可靠性。本技术的半导体引线框架通过设置第一连筋和第二连筋，使得在第一连筋和第二连筋被切割后，能够在管脚两侧的切筋处形成第一凸起、第二凸起和凹槽，藉此，由该半导体引线框架制成的半导体封装装置在与PCB印制电路板焊接时，通过第一凸起和第二凸起将焊锡锁住在凹槽中，从而使得焊锡能够充分与管脚、PCB印制电路板接触，进而加强管脚和PCB印制电路板的焊接强度，提升管脚和PCB板的焊接性能和可靠性。本技术的半导体引线框架通过在管脚的两侧形成两凸起和凹槽，藉此，由该半导体引线框架制成的半导体封装装置在与PCB印制电路板焊接时，通过两凸起将焊锡锁住在凹槽中，从而使得焊锡能够充分与管脚、PCB印制电路板接触，进而加强管脚和PCB印制电路板的焊接强度，提升管脚和PCB板的焊接性能和可靠性。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并于说明书一起用于解释本技术的原理。图1为本技术半导体封装装置的结构示意图。图2为图1中A区的局部放大图。图3为本技术半导体引线框架的结构示意图。图4为本技术的半导体引线框架切筋方法流程图。具体实施方式为了进一步说明本技术的原理和结构，现结合附图对本技术的优选实施例进行详细说明。如图1所示，其为本技术半导体封装装置的结构示意图。该封装装置10包括封装外壳11，包覆在封装外壳11内的半导体器件（未示出）和裸露在封装外壳11外的管脚12。在图1中，该半导体封装装置可以为晶体管的封装装置，例如，三级管封装装置，该晶体管的封装装置具有三个管脚，可分别对应连接三级管的栅极、源极和漏极。但并不受限于此，该半导体封装装置也可应用于其他半导体器件的封装，例如，二极管、集成芯片等。管脚的数量可根据封装半导体器件的型号而变化。在本实施例中，主要以三只管脚的半导体封装装置为例进行说明。如图1所示，封装外壳11外裸露出三只管脚12，每一管脚12的两侧分别形成方波状结构。结合图2所示，其为图1中A区的局部放大图。每一管脚12的两侧分别具有两凸起121、122和形成在两凸起121、122之间的凹槽123，两凸起121、122和凹槽123沿管脚12的长度方向依次交替设置，形成方波状结构。当管脚12插入至PCB印制电路板（PrintedCircuitBoard）时，PCB印制电路板卡在两凸起121、122之间，其中一个凸起121位于PCB印制电路板上表面，另一个凸起122位于PCB印制电路板的下表面，即，PCB印制电路板位于凹槽123的中间。在随后的焊接过程中，焊锡从凸起121的外端面流入至凹槽123中，凸起122将流入凹槽123中的焊锡阻挡在凹槽123中，防止焊锡流失，使焊锡能够充分与电路板、管脚12接触，进而加强管脚12和PCB印制电路板的焊接强度，提升管脚12和PCB板的焊接性能和可靠性。为减小管脚12在PCB印制电路板上占据的面积，削减管脚12的宽度，使其宽度L1减小到0.7mm-0.9mm。管脚12两侧的凸起的高度为0.075mm-0.1mm，因此，管脚在凸起121（或凸起122）处的宽度L2为两凸起的高度和管脚宽度之和，例如，为0.075mm+0.075mm+0.7mm=0.85mm。更优的，为避免管脚12的裸露底材（例如，铜材）与PCB印制电路板直接焊接，在管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装装置，其特征在于，包括：封装外壳；半导体器件，包覆在所述封装外壳内；管脚，用于与所述半导体器件电气连接，所述管脚裸露在所述封装外壳外；所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，其特征在于，包括：封装外壳；半导体器件，包覆在所述封装外壳内；管脚，用于与所述半导体器件电气连接，所述管脚裸露在所述封装外壳外；所述管脚靠近所述封装外壳的两侧分别具有由两凸起和一凹槽形成的方波状结构，所述凸起和所述凹槽沿所述管脚的长度方向依次交替设置，所述管脚与PCB印制电路板进行焊接时，焊锡将汇聚在所述凹槽中。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，在所述管脚插入PCB印制电路板后，所述PCB印制电路板卡在所述两凸起之间，使得其中一个凸起位于所述PCB印制电路板上表面，另一个凸起位于所述PCB印制电路板的下表面。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述管脚的宽度尺寸为0.7mm-0.9mm，所述凸起的高度为0.075mm-0.1mm。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其特征在于，所述管脚的外表面涂覆有锡层。5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其特征在于，所述锡层的覆盖范围为从所述管脚的凹槽开始延伸到靠近所述封装外壳的管脚部分。6.一种半导体引线框架，其特征在于，包括：至少一散热区；...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚亚，余蓥军，杨晓东，都俊兴，周杰，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44