有机发光显示设备制造技术

一种有机发光显示设备，包括：阳极电极、阴极电极、设置在所述阳极电极和所述阴极电极之间的发射层以及设置在所述阴极电极和所述发射层之间的电子传输层，所述电子传输层包括p型掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示设备相关申请的交叉引用2016年7月4日向韩国知识产权局递交的题为“有机发光显示设备”的第10-2016-0084251号韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
实施例涉及有机发光显示设备。
技术介绍
有机发光显示设备可以包括阳极电极、阴极电极以及位于阳极电极和阴极电极之间的有机发射层。在有机发光显示设备中，从阳极电极注入的空穴和从阴极电极注入的电子在有机发射层中结合以形成激子，并且激子通过能量发射而发光。
技术实现思路
实施例针对有机发光显示设备。实施例可以通过提供一种有机发光显示设备来实现，该有机发光显示设备包括：阳极电极、阴极电极、位于阳极电极和阴极电极之间的发射层、以及位于阴极电极和发射层之间的电子传输层，其中电子传输层包括p型掺杂剂。基于电子传输层的总重量，p型掺杂剂可以以1wt％至2wt％的量而被包括在电子传输层中。p型掺杂剂可以包括1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)、NDP9、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰醌二甲烷化合物、碘、V2O5、FeCl3、FeF3或SbCl5。实施例可以通过提供一种有机发光显示设备来实现，该有机发光显示设备包括阳极电极、阴极电极、位于阳极电极和阴极电极之间的发射层、以及位于阴极电极和发射层之间的电子传输层，其中电子传输层包括位于阴极电极和发射层之间的第一电子传输层以及位于阴极电极和第一电子传输层之间的第二电子传输层，其中第一电子传输层和第二电子传输层中的至少一个包括p型掺杂剂。第一电子传输层可以包括p型掺杂剂。基于第一电子传输层的总重量，p型掺杂剂可以以1wt％至2wt％的量而被包括在第一电子传输层中。第二电子传输层可以包括p型掺杂剂。电子传输层可以进一步包括位于第二电子传输层和阴极电极之间的第三电子传输层。基于第二电子传输层的总重量，p型掺杂剂以1wt％至2wt％的量而被包括在第二电子传输层中。p型掺杂剂可以包括1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈(HAT-CN)、NDP9、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷(F4-TCNQ)、四氰醌二甲烷化合物、碘、V2O5、FeCl3、FeF3或SbCl5。附图说明通过结合附图对示例性实施例进行详细描述，对本领域技术人员来说，特征将变得明显，附图中：图1示出根据本公开实施例的有机发光显示设备的平面图。图2示出沿图1的线I-I'截取的截面图。图3示出红色有机发光器件的截面图。图4示出绿色有机发光器件的截面图。图5示出蓝色有机发光器件的截面图。图6示出图3至图5中所示的发射层和电子传输层的HOMO能级和LUMO能级的能级图。图7至图9示出根据本公开另一个实施例的红色有机发光器件、绿色有机发光器件和蓝色有机发光器件的截面图。图10至图12示出根据本公开又一个实施例的红色有机发光器件、绿色有机发光器件和蓝色有机发光器件的截面图。图13示出显示有机发光显示设备中的发光效率相对于灰度的曲线图。具体实施方式现在将在下文结合附图更充分地描述示例实施例；然而，这些实施例可以以不同的形式体现，并且不应当被理解为仅限于这里所记载的实施例。相反，提供这些实施例的目的在于使该公开内容全面完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。在附图中，层和区域的尺寸可以为了图示的清晰而被放大。还可以理解，当提及一层或元件位于另一层或元件“上”时，该层或元件可以直接位于另一层或元件上，或者也可以存在中间层。另外，也可以理解，当提及一层位于两层“之间”时，该层可以是这两个层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的附图标记始终指代相同的元件。下文中将结合附图详细描述本公开的示例性实施例。图1示出根据本公开实施例的有机发光显示设备的平面图。图2示出沿图1中的线I-I'截取的截面图。参见图1和图2，有机发光显示设备可以包括阵列基板ASB、设置在阵列基板ASB上的有机发光器件OLED、和覆盖有机发光器件OLED的盖层CPL。阵列基板ASB可以包括底基板SUB以及设置在底基板SUB上的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和电容器Cst。底基板SUB可以包括使得光可以透过其中的透明绝缘材料。在一实施方式中，底基板SUB可以是刚性基板。例如，底基板SUB可以是玻璃底基板、石英底基板、玻璃陶瓷底基板和结晶玻璃底基板中的一种。在一实施方式中，底基板SUB可以是柔性基板。这里，底基板SUB可以是塑料基板和包括聚合物有机材料的薄膜基板中的一种。例如，底基板SUB可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素(CAP)。在一实施方式中，底基板SUB可以包括纤维增强塑料(FRP)。用于底基板SUB的材料可以对制造有机发光显示设备的过程中的高处理温度具有耐力(或耐热性)。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的一个，例如第一薄膜晶体管T1，可以是开关器件。因此，第一薄膜晶体管T1可以连接至栅线GL和数据线DL。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的另一个，例如第二薄膜晶体管T2，可以是驱动器件。因此，第二薄膜晶体管T2可以连接至电容器Cst和电源线VL。第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中的每一个可以包括半导体层SA、与半导体层SA绝缘的栅电极GE以及连接至半导体层SA的源电极SE和漏电极DE。半导体层SA可以被设置在底基板SUB上。半导体层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、氧化物半导体和有机半导体中的一种。这里，氧化物半导体可以包括Zn、In、Ga、Sn和其任意混合物中的至少一种。例如，氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。在半导体层SA中，与源电极SE和漏电极DE接触的区域可以是其中掺有或注入有杂质的源区和漏区。此外，源区和漏区之间的区域可以是沟道区。在一实施方式中，当半导体层SA包括氧化物半导体时，用于阻挡光入射到半导体层SA的光阻挡层可以被设置在半导体层SA的上部和下部。缓冲层BUL可以被设置在底基板SUB和半导体层SA之间。缓冲层BUL可以包括氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)中的至少一种。例如，缓冲层BUL可以包括：包括氧化硅的第一层和设置在第一层上的第二层，第二层包括氮化硅。在一实施方式中，缓冲层BUL可以包括氮氧化硅(SiON)。缓冲层BUL可以有助于防止杂质从底基板SUB扩散至第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2中每一个的半导体层SA中，由此防止第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2的电特性的劣化。此外，缓冲层BUL可以有助于防止湿气和氧气从外部渗透到有机发光器件OLED内。缓冲层BUL可以将底基板SUB的表面平坦化。覆盖半导体层SA的栅绝缘层GI可以被设置在底基板SUB和半导体层SA上。栅绝缘层GI可以将半导体层SA和栅电极GE彼此绝缘。栅绝缘层GI可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。栅电极GE、电容器Cst的第一电容器电极C1和在一个方向上延伸的栅线GL可以被设置在栅绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以被设置在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示设备，包括：阳极电极；阴极电极；位于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发射层；以及位于所述阴极电极和所述发射层之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括p型掺杂剂。

【技术特征摘要】
2016.07.04 KR 10-2016-00842511.一种有机发光显示设备，包括：阳极电极；阴极电极；位于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发射层；以及位于所述阴极电极和所述发射层之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括p型掺杂剂。2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中基于所述电子传输层的总重量，所述p型掺杂剂以1wt％至2wt％的量而被包括在所述电子传输层中。3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中所述p型掺杂剂包括1,4,5,8,9,11-六氮杂苯并菲-六腈、NDP9、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰醌二甲烷、四氰醌二甲烷化合物、碘、V2O5、FeCl3、FeF3或SbCl5。4.一种有机发光显示设备，包括：阳极电极；阴极电极；位于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发射层；以及位于所述阴极电极和所述发射层之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括：位于所述阴极电极和所述发射层之间的第一电子传输层；以及位于所述阴极电极和所述第一电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：李欣承，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR