提高存储器寿命的方法技术

本发明专利技术提高一种提高存储器寿命的方法，包括：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数；获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数；读取存储器中各个块的擦除次数；依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；若是，则使用备份块替换所述块；若否，则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数；若是，则转移所述块中的数据。根据闪存颗粒在不同擦除次数下的分布值和跳变规律，对相应存储器固件进行调整，极大提高了存储器的数据可靠性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
提高存储器寿命的方法
本专利技术涉及存储设备
，尤其涉及一种提高存储器寿命的方法。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备，而符合eMMC协议的嵌入式存储产品，是目前使用最为广泛的存储器。存储器由多个块构成，通过对块写入或擦除数据实现数据的存储或删除。存储器在使用过程中会经过不断的写入和擦除动作，随着存储器使用时间和使用次数的增加，会出现坏块或潜在的坏块，从而导致数据存储异常。出现上述情况时，一般的做法是：将该存储器中的数据通过电脑转移至本地或其他存储器，然后该存储器作废。但是上述处理方式造成了很大的资源浪费。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提高一种提高存储器寿命的方法，能够对存储器的坏块或潜在坏块进行调整，以提高存储器的寿命。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种提高存储器寿命的方法，包括：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数；获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数；读取存储器中各个块的擦除次数；依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；若是，则使用备份块替换所述块；若否，则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数；若是，则转移所述块中的数据。本专利技术的有益效果在于：通过对存储器样品进行闪存颗粒(即块)的特性研究，得到不同擦除次数下的ECC值和跳变规律，再根据擦除次数与ECC之间的关系，对相应的块进行调整，极大地提高了存储器成品的数据可靠性和使用寿命，理论上可以是存储器成品的寿命达到实际使用物理闪存的极限寿命。附图说明图1为本专利技术实施例的提高存储器寿命的方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例一的提高存储器寿命的方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例一的提高存储器寿命的方法的高低温读写老化测试的流程示意图；图4为本专利技术实施例一的提高存储器寿命的方法的高温静态放置测试的流程示意图。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数，以及ECC跳变点对应的擦除次数，块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；对于一存储器中的块，若该存储快的擦除次数大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数，则直接替换掉所述块；若所述块的擦除次数大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数，则转移该块存储的数据。请参照图1，本专利技术提供：一种提高存储器寿命的方法，包括：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数；获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数；读取存储器中各个块的擦除次数；依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；若是，则使用备份块替换所述块；若否，则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数；若是，则转移所述块中的数据。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：根据闪存颗粒在不同擦除次数下的分布值和跳变规律，对相应存储器固件进行调整，极大提高了存储器的数据可靠性和使用寿命。进一步的，所述“获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数”包括：对不同擦除次数的存储器样品在-20℃-75℃的温度下进行ECC值测试；根据存储器样品的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC最大值对应的擦除次数。从上述描述可知，通过对存储器样品在-20℃-75℃的温度下进行ECC值测试，能够比较准确的获知存储器样品的老化程度。进一步的，所述“获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数”包括：对不同擦除次数的存储器样品在120℃的温度下进行ECC值测试；根据存储器样品的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC跳变点对应的擦除次数。从上述描述可知，通过对存储器样品进行120℃下的静态放置测试，能够准确的得到存储器样品的ECC跳变规律。进一步的，所述“获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数”包括：将第一预设数量的不同擦除次数的存储器样品放置于-20℃-75℃的高低温箱中；每隔第一预设周期从所述-20℃-75℃的高低温箱中选取第二预设数量的存储器样品的块进行ECC值读取，直至到达第一预设时间；所述第一预设数量大于第二预设数量；根据块的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC最大值对应的擦除次数。进一步的，“获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数”包括：将第三预设数量的不同擦除次数的存储器样品放置于120℃的高温箱中；每隔第二预设周期从所述120℃的高温箱中选取第四预设数量的存储器样品的块进行ECC值读取，直至到达第二预设时间；所述第三预设数量大于第四预设数量；所述第一预设时间大于第二预设时间，第一预设周期大于第二预设周期；根据块的擦除次数统计ECC值；依据统计结果绘制ECC值的变化曲线；依据所述绘制曲线得到ECC跳变点对应的擦除次数。从上述描述可知，上述为本专利技术获取储器样品的ECC最大值对应的擦除次数以及ECC跳变点对应的擦除次数的具体方法，优选的，所述第一预设数量为500片左右，第二预设数量为10片左右，第一预设周期为2小时左右，第一预设时间为一周左右，第三预设数量为100片左右，第四预设数量为5-10片，第二周期为1小时，第二预设时间为24小时。进一步的，所述存储器样品包括两种以上的类型。进一步的，所述“获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数”之后，“读取存储器中各个块的擦除次数”之前，还包括：根据存储器样品的类型记录所述ECC最大值对应的擦除次数。进一步的，所述“获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数”之后，“读取存储器中各个块的擦除次数”之前，还包括：根据存储器样品的类型记录所述ECC跳变点对应的擦除次数。进一步的，所述“依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数”具体为：依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于对应类型的存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数。进一步的，所述“判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数”具体为：判断所述块的擦除次数是否大于或等于对应类型的存储器样品的所述ECC跳变点对应的擦除次数。从上述描述可知，对于不同的存储器类型，其ECC分布值和跳变规律可能会有所差异，因此对存储器样品按照其类型记录ECC最大值对应的擦除次数，以及所述ECC跳变点以及所述ECC跳变点对应的擦除次数，后续对存储器进行测试时，按照类型与对应类型的参数进行比对，从而提高判断的准确性。请参照图1-4，本专利技术的实施例一为：一种提高存储器寿命的方法，尤其是一种提高符合eMMC协议的嵌入式存储器寿命的方法，包括：S1：对存储器进行原始坏块和新增坏块扫描，并对存储器进行开卡。S2：选取若干不同类型的开完卡的存储器作为样品，进行高低温读写老化测试，以获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数，将所述ECC最大值对应的擦除次数作为第一标准值；以及进行高温静态放置测试，以获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数，将所述ECC跳变点对应的擦除次数作为第二标准值。具体的，所述高低温读写老化测试包括：S201：将500片的不同擦除次数的存储器样品放置于-20℃-75℃的高低温箱中。S202：每隔2小时从所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高存储器寿命的方法，其特征在于，包括：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数；获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数；读取存储器中各个块的擦除次数；依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；若是，则使用备份块替换所述块；若否，则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数；若是，则转移所述块中的数据。

【技术特征摘要】
1.一种提高存储器寿命的方法，其特征在于，包括：获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数；获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数；读取存储器中各个块的擦除次数；依次判断各个块的擦除次数是否大于或等于所述ECC最大值对应的擦除次数；若是，则使用备份块替换所述块；若否，则判断所述块的擦除次数是否大于或等于所述ECC跳变点对应的擦除次数；若是，则转移所述块中的数据。2.根据权利要求1所述的提高存储器寿命的方法，其特征在于，所述“获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数”包括：对不同擦除次数的存储器样品在-20℃-75℃的温度下进行ECC值测试；根据存储器样品的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC最大值对应的擦除次数。3.根据权利要求1所述的提高存储器寿命的方法，其特征在于，所述“获取存储器样品的ECC跳变点对应的擦除次数”包括：对不同擦除次数的存储器样品在120℃的温度下进行ECC值测试；根据存储器样品的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC跳变点对应的擦除次数。4.根据权利要求1所述的提高存储器寿命的方法，其特征在于，所述“获取存储器样品的ECC最大值对应的擦除次数”包括：将第一预设数量的不同擦除次数的存储器样品放置于-20℃-75℃的高低温箱中；每隔第一预设周期从所述-20℃-75℃的高低温箱中选取第二预设数量的存储器样品的块进行ECC值读取，直至到达第一预设时间；所述第一预设数量大于第二预设数量；根据块的擦除次数统计ECC值；依据统计结果得到ECC最大值对应的擦除次数。5.根据权利要求4所述的提高存储器寿命的方法，其特征在于，“获取存储器样品的ECC跳...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成思，孙日欣，李振华，刘国华，
申请(专利权)人：深圳佰维存储科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44