电刺激器及应用其的刺激方法及电刺激系统技术方案

一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，包括有至少一电刺激器，电刺激器包括有至少一正极电极端及至少一负极电极端，正、负极电极端之间具有一第一间隔距离的绝缘间距，且正、负极电极端距离一欲刺激的神经一第二间隔距离，而电刺激器电性传导一电压，令电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz。由电刺激器的正极电极端及负极电极端产生一电磁场，使电磁场涵盖于欲刺激的神经周围，以对欲刺激的神经进行低强度电磁刺激，藉以提升受电磁刺激的神经区域的阈值，达到有效降低病患的神经疼痛感。

Electrical stimulator and its stimulation and electrical stimulation system

A change of nerve threshold in high frequency electromagnetic field stimulator comprises at least one electrical stimulator, the electrical stimulator comprises at least one positive electrode end and at least one negative electrode terminal, with a first insulating spacing distance between the positive and the negative electrode, and the positive and negative electrode distance to stimulate the nerve end a second distance however, electrical stimulator electrical conduction voltage, the voltage is less than or equal to 10V and the frequency from 200KHz to 800KHz. A field from the positive electrode electrical stimulator end and a negative electrode, the electromagnetic field around the stimulation of the nerve to cover, to be stimulated by low intensity electromagnetic nerve stimulation, so as to promote the region affected by electromagnetic stimulation of the nerve threshold, to effectively reduce the patient's nerve pain.

【技术实现步骤摘要】
电刺激器及应用其的刺激方法及电刺激系统本申请是于2013年8月26日提交的名称为“改变神经阈值的高频电磁场刺激器”的中国专利申请201310375934.9的分案申请。
本专利技术有关一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，特别是指电刺激器传导一电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz的低电压高频讯号，并距离欲刺激的神经一第二间隔距离，将电刺激器产生的电磁场涵盖于欲刺激的神经周围，对欲刺激的神经进行低强度电磁刺激，藉以提升受电磁刺激的神经区域的阈值。
技术介绍
人体经神主要是作为大脑所发出的指令(电流)的传导路径，其中人体经神具有一阈值，而受损经神区域其阈值往往会降低，也因此人体于受损经神区域的部位特别容易感受到不舒适的酸痛感，长久下即形成慢性疼痛病。临床上，一种连续射频刺激(continuousradiofrequency；简称CRF)，也称为电烧，被应用于多种并发症，例如：颈源性头痛、枕神经痛、颈椎损伤、肋间神经痛...等疼痛，而连续射频刺激(CRF)方法，主要是将一电烧针插入患部的相关神经组织附近，利用连续高频电刺激所产生的高温，用以将患部的神经组织烧死，也因为是将患部的神经组织烧死，藉以达到手术后的患部有止痛效果。然而，因人体自我修复功能被激活时，被烧死的神经组织会自行修复，一旦神经组织自行修复，新增生神经组织并不会照着原本的神经组织形状生长，乃会于已烧死的神经组织上任意生长而形成神经瘤，当神经瘤形成时，人体经神会更容易被压迫、伤害，造成患部疼痛会再覆发，甚至患部疼痛会更加严重。临床上，另种脉冲式射频刺激(pulsedradiofrequency；简称PRF)，其主要方法是将一电极针插入患部的相关神经组织附近，利用45V高电压的射频电流，以每秒刺激2次，每次20微秒(ms)，对患部的神经组织进行刺激，利用脉冲间歇方式，抑制高电压的电流在刺激过程温度升高，使得刺激过程热效应可低于摄氏42度，避免受高电压的电流刺激的神经组织受到高温而被破坏或坏死，防止手术后神经瘤形成。美国专利US6246912「Modulatedhighfrequencytissuemodification」其揭示：将一正极的电极轴1及一负极的接地片16分别连接至高频脉冲产生器11，并将正极的电极轴1将插入人体，让电极轴1的电极端2位于神经患部，而负极的接地片16贴设于人体外部，以形成一电路回路。利用高频脉冲产生器11产生几十伏特高电压的射频脉冲电流，经由电极端2对神经患部进行刺激，抑制刺激过程温度不会升高，避免神经组织受到高温而被破坏或坏死。然而，使用者必须精准控制脉冲间歇时间，才可有效控制高电压的刺激电流其温度的升高。
技术实现思路
为了解决上述习知技术的问题与缺陷，本专利技术揭露一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，包括有至少一电刺激器。电刺激器包括有至少一正极电极端及至少一负极电极端，正极电极端与负极电极端之间具有第一间隔距离的绝缘间距，且正极电极端及负极电极端距离一欲刺激的神经一第二间隔距离，又电刺激器电性传导一电压，令电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz，由电刺激器的正极电极端及负极电极端产生一电磁场，使电磁场涵盖于欲刺激的神经周围，以对欲刺激的神经进行电磁刺激。利用低强度、低温度的高频电磁刺激，而可提升受电磁刺激的神经区域的阈值，进而降低受电磁刺激的神经区域其神经传导能力，达到有效降低病患的神经疼痛感。附图说明图1是本专利技术高频电磁场刺激器一应用实施例流程图。图2是本专利技术高频电磁场刺激器一示意图。图3是本专利技术高频电磁场刺激器一第一测试示意图。图4是本专利技术高频电磁场刺激器一第二测试示意图。图5是本专利技术高频电磁场刺激器一第三测试示意图。图6是本专利技术高频电磁场刺激器第一实施例示意图。图7是本专利技术高频电磁场刺激器第二实施例示意图。图8是本专利技术高频电磁场刺激器第三实施例示意图。图9是本专利技术高频电磁场刺激器第四实施例示意图。图10是本专利技术高频电磁场刺激器第二实施例一应用示意图。图11是本专利技术高频电磁场刺激器第二实施例另一应用示意图。图12是本专利技术高频电磁场刺激器一第四测试示意图。图13是本专利技术高频电磁场刺激器第五实施例示意图。其中：1、电刺激器11、绝缘体12、正极电极端13、负极电极端2、神经a：正极电极端的宽度、负极电极端的宽度b：第一间隔距离c：第二间隔距离具体实施方式为方便简捷了解本专利技术的其他特征内容与优点及其所达成的功效能够更为显现，兹将本专利技术配合附图，详细叙述本专利技术的特征以及优点，以下的各实施例进一步详细说明本专利技术的观点，但非以任何观点限制本专利技术的范畴。请先参阅图1、2所示，本专利技术揭露一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，包括有至少一电刺激器。电刺激器1包括有至少一正极电极端12及至少一负极电极端13，且电刺激器1外部设有绝缘体11，所述正极电极端12与负极电极端13分别设于绝缘体11上，而正极电极端与12负极电极端13之间具有绝缘的第一间隔距离b，第一间隔距离b可介于3mm～7mm，又电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13距离一欲刺激的神经2一第二间隔距离c，第二间隔距离c≦10mm；又，电刺激器1电性传导一电压，令电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz，使得电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13产生一电磁场，由电磁场涵盖于欲刺激的神经2周围，以对欲刺激的神经2进行低强度、低温度的高频电磁刺激。所述电刺激器1电性传导的电压最佳可介于正负3V～正负10V且频率介于200KHz～800KHz。本专利技术试举一实施例，所述电刺激器1可电性连接至外部默认一电极装置，由电极装置输出一默认的电压并传导至电刺激器1，令电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz，使电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13可产生具低强度、低温度的高频电磁场。所述正极电极端12与负极电极端13的电极宽度a可介于1mm～3mm。本专利技术的高频电磁场刺激器试举一应用实施例，其步骤包括有：步骤100：设置至少一电刺激器1，电刺激器1包括有至少一正极电极端12及至少一负极电极端13，且正极电极端12与负极电极端13之间具有一第一间隔距离b的绝缘间距。步骤110：将电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13距离欲刺激的神经2一第二间隔距离c。步骤120：对电刺激器1输入一默认的电压，所述电压≦10V且频率介于200KHz～800KHz，由电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13产生一电磁场，使得电磁场可涵盖于欲刺激的神经2周围，以对欲刺激的神经2进行电磁刺激。利用电刺激器1的正极电极端12及负极电极端13产生一电磁场，使电磁场涵盖于欲刺激的神经2周围，以对欲刺激的神经2进行低强度、低温度的高频电磁刺激，在不破坏神经2组织细胞情况下，抑制神经2中产生生物分子，同时可改变提升受电磁刺激的神经2区域的阈值，进而降低受电磁刺激的神经2区域其神经传导能力，达到有效降低病患的神经疼痛感。本专利技术可藉由调整正极电极端12与负极电极端13的电极宽度a、正极电极端12与负极电极端13之间的第一间隔距离b或正极电极端12及负极电极端13与神经2之间的第二间隔距离c，藉以调整电磁场的场形。本专利技术试举一实施例，其中，令一输入电压为5V且频率为500K本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，其特征在于，包括有：至少一个电刺激器，包括有至少一个正极电极端及至少一个负极电极端，该正极电极端与该负极电极端之间具有一个第一间隔距离，该电刺激器电性传导一个电压，由该电刺激器的正极电极端及负极电极端产生一个电磁场，该电磁场涵盖于欲刺激的神经周围，且该电磁场的电场强度为100V/m～1000V/m，以对欲刺激的神经进行电磁刺激进而降低接受电磁刺激的神经区域其神经传导能力。

【技术特征摘要】
1.一种改变神经阈值的高频电磁场刺激器，其特征在于，包括有：至少一个电刺激器，包括有至少一个正极电极端及至少一个负极电极端，该正极电极端与该负极电极端之间具有一个第一间隔距离，该电刺激器电性传导一个电压，由该电刺激器的正极电极端及负极电极端产生一个电磁场，该电磁场涵盖于欲刺激的神经周围，且该电磁场的电场强度为100V/m～1000V/m，以对欲刺激的神经进行电磁刺激进而降低接受电磁刺激的神经区域其神经传导能力。2.如权利要求1所述的改变神经阈值的高频电磁场刺激器，其特征在于，该电压介于正负3V～10V。3.如权利要求1所述的改变神经阈值的高频电磁场刺激器，其特征在于，该正极电极端与负极电极端的宽度介...

【专利技术属性】
技术研发人员：张季衡，林威佐，郑展伊，林启万，温永锐，
申请(专利权)人：精能医学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71