用于包含银纳米线的透明导电层的蚀刻组合物制造技术

本发明专利技术涉及一种包含银纳米线的透明导电层。本发明专利技术还涉及一种适用于蚀刻包括银纳米线的透明导电层以形成图案的蚀刻组合物。本发明专利技术还涉及通过蚀刻包含银纳米线的透明导电薄膜制造的透明导电电极。所述蚀刻组合物可包括氧化剂和配体。所述氧化剂可为能够与银金属反应以形成银化合物的第一化合物；并且所述配体可为能够与银化合物反应以形成银离子的水溶性配位络合物的第二化合物。

【技术实现步骤摘要】
用于包含银纳米线的透明导电层的蚀刻组合物相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2016年6月30日提交的美国临时专利申请No.15/197,941的优先权，其代理案号为TH-16002，专利名称为“用于包含银纳米线的透明导电层的蚀刻组合物”。引用该专利申请的全部内容，并将其并入本文。
本专利技术涉及包含银纳米线的透明导电层。本专利技术还涉及一种适用于蚀刻包含银纳米线的透明导电层以形成图案的蚀刻组合物。本专利技术还涉及通过蚀刻包含银纳米线的透明导电薄膜制造的透明导电电极。
技术介绍
透明导电薄膜可被图案化以生产透明导电电极，所述透明导电电极可用于制造多种电子设备，例如触摸传感器、液晶显示器、电致变色显示器以及发光二极管显示器。此类图案可通过蚀刻实现。目前的蚀刻方法包括物理蚀刻和湿法化学蚀刻。物理方法是基于蚀刻材料的选择性能量吸收和蒸发。物理蚀刻的例子包括激光和等离子蚀刻。湿法蚀刻是基于蚀刻材料与蚀刻剂的选择性反应，形成一种易被移除的可溶性化学物湿法蚀刻的例子与光刻或印刷的方法有关。印刷方法包括丝网印刷和喷墨印刷。蚀刻方法的一般性描述可见于以下技术文件，例如Jaeger"LithographyIntroductiontoMicroelectronicFabrication,"2nded.(2002)UpperSaddleRiver,PrenticeHall(Jaeger“微电子制造的光刻技术导论”第二版(2002)UpperSaddleRive，普林蒂斯霍尔出版公司)；Kohler“EtchinginMicrosystemTechnology,”(1999)JohnWiley&SonLtd(Kohler“微系统技术中的蚀刻”(1999)JohnWiley&Son有限公司)。引用这些出版物中的每一个的全部内容，并将其并入本文。对于沉积在PET薄膜上的透明导电薄膜的蚀刻，参见例如Stockum等人，“用于蚀刻氧化透明导电层的介质”的美国专利申请No.2008/0210660；Allemand等人，“基于纳米线的透明导体及其应用”的美国专利申请No.2014/0338735；和Coenjarts“用于蚀刻基于银纳米线的透明导电薄膜的可印刷蚀刻剂组合物”的美国专利申请No.2014/0021400。引用这些申请中的每一个的全部内容，并将其并入本文。
技术实现思路
本专利技术涉及一种包含银纳米线的透明导电层。本专利技术还涉及一种适用于蚀刻包含银纳米线的透明导电层以形成图案的蚀刻组合物。本专利技术还涉及通过蚀刻包含银纳米线的透明导电薄膜制造的透明导电电极。本专利技术涉及一种适用于蚀刻包含于透明导电纳米复合材料层中的银纳米线的蚀刻组合物。此组合物包括至少一种氧化剂和至少一种配体。所述至少一种氧化剂为可与银反应形成银化合物的第一化合物。所述至少一种配体为可与银化合物反应形成银离子的水溶性配位络合物的第二化合物。银纳米线包括可与氧化剂反应的银。所述至少一种氧化剂包括铁盐(三价铁)、铜盐(二价铜)或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括氯化铁(三价铁)FeCl3、硫酸铁(三价铁)Fe2(SO4)3、氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3、甲磺酸铁(三价铁)Fe(SO3CH3)3、氯化铜(二价铜)CuCl2、KMnO4或其任何组合。所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺、5,5-二甲基乙内酰脲、缓冲溶液或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括氯化铁(三价铁)FeCl3、硫酸铁(三价铁)Fe2(SO4)3、氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3、甲磺酸铁(三价铁)Fe(SO3CH3)3、氯化铜(二价铜)CuCl2、KMnO4或其任何组合；以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺、5,5-二甲基乙内酰脲、缓冲溶液或其任何组合。所述至少一种配体包括缓冲溶液；以及其中，所述缓冲溶液包括酸及其盐。所述至少一种配体包括缓冲溶液；以及其中，所述缓冲溶液包括乙酸和乙酸钠；或者乙酸和乙酸钾；或者乳酸和乳酸钠；或者乳酸和乳酸钾；或者其任何组合。所述至少一种氧化剂包括FeCl3。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述配体包括乙酸。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乳酸。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乙酸和乳酸。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乙酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乙酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括FeCl3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乙酸。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乙酸和乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乙酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3。所述至少一种氧化剂包括氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乙酸所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乙酸和乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乙酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3NH2)3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸和琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括甲磺酸铁(三价铁)Fe(SO3CH3)3。所述至少一种氧化剂包括甲磺酸铁(三价铁)Fe(SO3CH3)3以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3CH3)3以及所述至少一种配体包括乙酸。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3CH3)3以及所述至少一种配体包括乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3CH3)3以及所述至少一种配体包括琥珀酰亚胺。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3CH3)3以及所述至少一种配体包括乙酸和乳酸。所述至少一种氧化剂包括Fe(SO3CH3)3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于蚀刻包含于透明导电纳米复合材料层中的银纳米线的蚀刻组合物，包括：至少一种氧化剂；以及至少一种配体；其中，所述至少一种氧化剂为可与银反应形成银化合物的第一化合物；以及其中，所述至少一种配体为可与银化合物反应形成银离子的水溶性配位络合物的第二化合物。

【技术特征摘要】
2016.06.30 US 15/197,9411.一种适用于蚀刻包含于透明导电纳米复合材料层中的银纳米线的蚀刻组合物，包括：至少一种氧化剂；以及至少一种配体；其中，所述至少一种氧化剂为可与银反应形成银化合物的第一化合物；以及其中，所述至少一种配体为可与银化合物反应形成银离子的水溶性配位络合物的第二化合物。2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括铁盐(三价铁)、铜盐(二价铜)或其任何组合。3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括氯化铁(三价铁)FeCl3、硫酸铁(三价铁)Fe2(SO4)3、氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3、甲磺酸铁Fe(SO3CH3)3、氯化铜(二价铜)CuCl2、KMnO4或其任何组合。4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺、5,5-二甲基乙内酰脲、缓冲溶液或其任何组合。5.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括氯化铁(三价铁)FeCl3、硫酸铁(三价铁)Fe2(SO4)3、氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3、甲磺酸铁Fe(SO3CH3)3、氯化铜(二价铜)CuCl2、KMnO4或其任何组合；以及所述至少一种配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺、5,5-二甲基乙内酰脲、缓冲溶液或其任何组合。6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种配体包括缓冲溶液；以及其中，所述缓冲溶液包括酸及其盐。7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种配体包括缓冲溶液；以及其中，所述缓冲溶液包括乙酸和乙酸钠；或者乙酸和乙酸钾；或者乳酸和乳酸钠；或者乳酸和乳酸钾；或者其任何组合。8.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括FeCl3。9.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括FeCl3；以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。10.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3。11.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括Fe2(SO4)3；以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。12.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括氨基磺酸铁(三价铁)Fe(SO3NH2)3。13.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括氨基磺酸铁(三价铁)，Fe(SO3NH2)3；以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。14.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括甲磺酸铁Fe(SO3CH3)3。15.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括甲磺酸铁Fe(SO3CH3)3；以及所述配体包括乙酸、乳酸、琥珀酰亚胺或其任何组合。16.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括KMnO4；以及所述配体包括乙酸；以及其中，所述蚀刻组合物还包括水。17.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括KMnO4；以及所述配体包括乙酸和乙酸钠；以及其中，所述蚀刻组合物还包括水。18.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述至少一种氧化剂包括KMnO4；以及所述配体包括乙酸和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海量，
申请(专利权)人：宁波科廷光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33