一种射频芯片连接片总成制造技术

本实用新型专利技术公开了射频技术领域的一种射频芯片连接片总成，该总成包括PET‑铝箔复合膜和射频芯片，PET‑铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，射频芯片与芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接；该工艺包括制作PET‑铝箔复合膜、激光切割、剥去无用铝箔等过程。本实用新型专利技术采用激光切割铝箔工艺，不产生废水，工艺简单，制做成本低，芯片连接片上没有PET膜，确保芯片与天线嵌合体(INLAY)表面安装平整，无PET膜凸起，整体厚度小。

A radio-frequency chip assembly

The utility model discloses a RF chip technology in the field of RF connection piece assembly, the assembly comprises a PET aluminum foil composite film and RF chip, PET aluminum foil composite film comprises a chip pile connection of aluminum foil and PET film, RF chip and chip bonding with aluminum foil and fixed pile electrical connection; the process includes making PET aluminum foil composite film, laser cutting, stripping useless aluminum foil process. The utility model adopts the technology of laser cutting the aluminum foil, does not generate waste water, has the advantages of simple technology, low manufacturing cost, and no PET film on the chip connecting piece, ensures that the surface of the chip and antenna chimera (INLAY) is installed smoothly, without PET film protrusion, and the overall thickness is small.

【技术实现步骤摘要】
一种射频芯片连接片总成
本技术涉及射频
，具体的说，是涉及一种射频芯片连接片总成。
技术介绍
传统的芯片连接片采用PET复合铝箔膜。这种结构的芯片连接片在制作过程中，通过化学刻蚀工艺，无用的铝箔被化学流体腐蚀掉，留下的铝箔图形成为芯片桩脚的电气连接片。这种化学刻蚀加工方法有如下缺陷：利用化学流体腐蚀铝箔，产生大量废水污染环境；制做过程复杂，导致制做成本高；由于铝箔的底层PET膜的厚度大于40微米，芯片连接片总成压合在射频天线上后，PET底膜的厚度高出天线40微米以上，导致射频天线-芯片嵌合体(INLAY)表面有一个40微米高的凸起，影响制成品(如射频标签)的表面平整度和外观。上述缺陷，值得改进。
技术实现思路
为了克服现有的技术的不足，本技术提供一种射频芯片连接片总成及其制备工艺。本技术技术方案如下所述：一种射频芯片连接片总成，其特征在于，包括PET-铝箔复合膜和射频芯片，所述PET-铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，所述芯片桩脚连接铝箔和所述PET底膜之间通过复合胶水连接，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片桩脚连接铝箔的厚度为9-15微米。根据上述方案的本技术，其特征在于，所述射频芯片连接总成与所述射频天线铝箔连接后，所述射频芯片对准所述射频天线铝箔上的谐振腔，并且所述芯片桩脚连接铝箔与所述射频天线铝箔之间通过导电胶固定连接，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔之间分离。进一步的，所述射频天线铝箔固定在射频天线铝箔底纸/膜上。一种射频芯片连接片总成的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1：制作PET-铝箔复合膜；S2：在所述PET-铝箔复合膜上激光切出与芯片桩脚连接片相对应的图形，使得芯片桩脚连接片铝箔与无用铝箔之间形成激光切割缝；S3：沿着所述激光切割缝剥去所述无用铝箔，成为芯片连接片卷材；S4：在所述芯片桩脚连接铝箔上安装射频芯片，成为射频芯片连接片总成。根据上述方案的本技术，其特征在于，在步骤S1中，在PET底膜上涂布复合胶水，然后在所述复合胶水上复合一层铝箔。进一步的，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述铝箔的厚度为9-15微米。根据上述方案的本技术，其特征在于，在步骤S4中，将所述芯片连接片卷材安装在芯片倒封装机上；控制所述射频芯片对准所述芯片桩脚连接片铝箔的中心位置；依托导电胶将所述射频芯片固定在所述芯片桩脚连接片铝箔上，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接片铝箔电气连接后，形成所述射频芯片连接片总成。根据上述方案的本技术，其特征在于，还包括步骤S5：所述芯片连接片总成安装在射频天线铝箔上，具体的，S51：在射频天线铝箔底纸/膜上的射频天线铝箔上开谐振腔；S52：在靠近所述谐振腔的所述射频天线铝箔的端口上方涂导电胶；S53：将所述射频芯片连接片总成中的所述射频芯片对准所述谐振腔的位置；S54：将热压头向下对准所述芯片桩脚连接铝箔，将所述芯片桩脚连接铝箔与所述导电胶压合在一起；S55：将所述热压头抬起，所述导电胶与所述芯片桩脚连接铝箔贴合在一起；S56：所述芯片连接片卷材收卷，在所述芯片连接片卷材的拉力作用下，所述复合胶水开裂，所述PET底膜与所述芯片桩脚连接铝箔分离，所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔对接安装完成；S57：所述PET底膜前行，进行下一个所述芯片连接片总成与所述射频天线铝箔的对接安装。根据上述方案的本技术，其有益效果在于，本技术方便制做纵向芯片连接片、横向芯片连接片以及3D芯片连接片。本技术采用激光切割铝箔工艺，没有化学刻蚀液，不产生废水；激光切割工艺简单，制做成本低；本技术在射频天线铝箔上安装射频芯片的同时收卷PET底膜，芯片连接片上没有PET膜，确保芯片与天线嵌合体(INLAY)表面安装平整，无PET膜凸起，整体厚度小。附图说明图1为本技术芯片连接片总称安装在射频天线上的示意图。图2为本技术PET-铝箔复合膜材料的结构示意图。图3为本技术实施例一中激光切割铝箔的示意图。图4为本技术实施例一中排除无用铝箔后的示意图。图5为图4的侧视图。图6为本技术实施例一中安装射频芯片后的示意图。图7为图6的侧视图。图8为本技术实施例二中激光切割铝箔的示意图。图9为本技术实施例二中排除无用铝箔后的示意图。图10为图9的侧视图。图11为本技术实施例二中安装射频芯片后的示意图。图12为图11的侧视图。图13为本技术实施例三中激光切割铝箔的示意图。图14为本技术实施例三中排除无用铝箔后的示意图。图15为图14的侧视图。图16为本技术实施例三中安装射频芯片后的示意图。图17为图16的侧视图。在图中，1、铝箔；11、激光割缝后的无用铝箔；12、芯片桩脚连接铝箔；2、复合胶水；3、PET底膜；4、激光切割缝；5、射频芯片；6、射频天线铝箔；7、射频天线铝箔底纸/膜；8、导电胶；9、热压头。具体实施方式下面结合附图以及实施方式对本技术进行进一步的描述：如图1所示，一种射频芯片连接片总成，包括PET-铝箔复合膜和射频芯片5安装在铝箔天线上的应用示意图。如图2所示，PET-铝箔复合膜材料包括芯片桩脚连接铝箔1和PET底膜3，铝箔1和PET底膜3之间通过复合胶水2连接，复合胶水2在80℃～90℃时失去粘结力，便于铝箔与PET膜分离。PET底膜3的厚度不小于40微米，铝箔1的厚度为9-5微米。如图3-17所示，一种射频芯片连接片总成的制备工艺，包括以下步骤：1、制作PET-铝箔复合膜材料。具体的，在PET底膜3上涂布复合胶水2，然后在复合胶水2上复合一层铝箔1，PET底膜3的厚度不小于40微米，铝箔1的厚度为9-15微米。2、在PET-铝箔复合膜的铝箔层1上激光切出与芯片桩脚连接片相对应的图形，激光切割缝4将铝箔1分成了有用铝箔12和无用铝箔11。3、剥去无用铝箔11，留下的有用铝箔12成为芯片桩脚连接片卷材。4、在芯片桩脚连接铝箔12上安装射频芯片5，成为射频芯片连接片总成。具体的，将芯片连接片卷材安装在芯片倒封装机上；控制射频芯片5对准芯片桩脚连接片铝箔12的中心位置；依托导电胶将射频芯片5固定在芯片桩脚连接片铝箔12上，射频芯片5与芯片桩脚连接片铝箔12电气连接后，形成射频芯片连接片总成。5、芯片连接片总成安装在射频天线铝箔6上的步骤，具体的：(1)将射频天线铝箔底纸(膜)7上的射频天线铝箔6置于上方；(2)在谐射频天线铝箔6振腔的端口处涂导电胶8；(3)将射频芯片连接片总成中的射频芯片5对准射频天线6的谐振腔的位置；(4)将热压头9向下对准芯片桩脚连接铝箔12，将芯片桩脚连接铝箔12与导电胶8压合在一起；(5)将热压头9抬起，导电胶8与芯片桩脚连接铝箔12在高温的热压头9压力下贴合在一起；芯片通过芯片桩脚链接铝箔12与射频天线6实现电气链接。(6)芯片连接片卷材收卷，在芯片连接片卷材的拉力作用下，复合胶水2开裂，PET底膜3与芯片桩脚连接铝箔12分离，芯片连接片总成与射频天线铝箔6对接安装完成；(7)PET底膜3前行，进行下一个芯片连接片总成与射频天线铝箔6的对接安装。本技术方便本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频芯片连接片总成，其特征在于，包括PET‑铝箔复合膜和射频芯片，所述PET‑铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，所述芯片桩脚连接铝箔和所述PET底膜之间通过复合胶水连接，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接。

【技术特征摘要】
1.一种射频芯片连接片总成，其特征在于，包括PET-铝箔复合膜和射频芯片，所述PET-铝箔复合膜包括芯片桩脚连接铝箔和PET底膜，所述芯片桩脚连接铝箔和所述PET底膜之间通过复合胶水连接，所述射频芯片与所述芯片桩脚连接铝箔固定并电气连接。2.根据权利要求1所述的射频芯片连接片总成，其特征在于，所述PET底膜的厚度不小于40微米，所述芯片桩脚连接铝箔的厚度为9-15...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦林，
申请(专利权)人：深圳市骄冠科技实业有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44