The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to a high density of 3 DFN2020 framework, including the framework of rectangular sheet structure, the frame is provided with a plurality of DFN2020 and 3 package structure to adapt to the chip mounting portion, wherein the chip mounting portion includes a chip placement area and pin mounting groove, two pin installation each slot is arranged at the chip mounting portion, a two pin mounting groove connection pin slot connection plate, the pin groove extending and connected to the chip installation department is arranged between the reinforcing connecting ribs, wherein the chip placement area is arranged around the chip area to support the connecting rib between the chip area, even support bars and chip mounting portion is connected to the connecting rib reinforcing. The framework connects the two pin installation grooves by setting up the pin groove connecting plate, increasing the overall strength of the frame, making the chip firmly soldered, and the lead deformation amount is small, and the product quality is reliable.
【技术实现步骤摘要】
一种DFN2020-3高密度框架
本技术涉及半导体制造
,特别是一种DFN2020-3高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,是现有电子产品常用的一种器件,由于单个半导体产品的尺寸特性和其使用时的特点,常采用引线框架来辅助半导体芯片的生产。引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量,构成散热通道,它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。由于引线框架的材料为铜质材料,因此为了节省引线框架的基体材料成本,在框架上的芯片安装部的镂空结构设计得越来越多,如芯片封装形式为DFN2020-3的芯片安装部,由于该芯片安装部封装后的尺寸为:2.0*2.0mm,尺寸较大,在芯片安装部内设置的镂空结构能起到节约材料成本的效果,但会造成框架的强度不够,在芯片的生产过程中会因框架变形引起芯片连接不牢、焊线强度不够的问题,引线最终的产品质量。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对现有DFN2020-3框架由于单个芯片安装部的尺寸较大,在芯片安装部内设计得镂空结构过多,造成框架的强度不够,芯片连接不牢、引线产品质量的技术问题,提供一种DFN2020-3高密度框架,该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接,增加了框架的整体强度,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN2 ...
【技术保护点】
一种DFN2020‑3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,其特征在于,在框架上设有多个与DFN2020‑3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,且设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。
【技术特征摘要】
1.一种DFN2020-3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,其特征在于,在框架上设有多个与DFN2020-3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,且设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。2.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,所述引脚槽连接板和芯片安置区之间留有极性分隔间隙。3.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,在每个芯片安装部的芯片安置区周围设有至少4个加强连筋,均分为2组对称设置于芯片安置区的两侧边。4.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,在相邻的芯片安装部之间的切割道宽度尺寸小于0.20mm。5.根据权利要求4所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,所述切割道分别为横向...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀,樊增勇,崔金忠,李东,张明聪,许兵,李宁,
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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