一种DFN2020‑3高密度框架制造技术

技术编号:16977673 阅读:11 留言:0更新日期:2018-01-07 11:59
本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种DFN2020‑3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,在框架上设有多个与DFN2020‑3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,还设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接,增加了框架的整体强度,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠。

A DFN2020 3 high density framework

The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to a high density of 3 DFN2020 framework, including the framework of rectangular sheet structure, the frame is provided with a plurality of DFN2020 and 3 package structure to adapt to the chip mounting portion, wherein the chip mounting portion includes a chip placement area and pin mounting groove, two pin installation each slot is arranged at the chip mounting portion, a two pin mounting groove connection pin slot connection plate, the pin groove extending and connected to the chip installation department is arranged between the reinforcing connecting ribs, wherein the chip placement area is arranged around the chip area to support the connecting rib between the chip area, even support bars and chip mounting portion is connected to the connecting rib reinforcing. The framework connects the two pin installation grooves by setting up the pin groove connecting plate, increasing the overall strength of the frame, making the chip firmly soldered, and the lead deformation amount is small, and the product quality is reliable.

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2020-3高密度框架
本技术涉及半导体制造
,特别是一种DFN2020-3高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,是现有电子产品常用的一种器件,由于单个半导体产品的尺寸特性和其使用时的特点,常采用引线框架来辅助半导体芯片的生产。引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体,作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路,并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量,构成散热通道,它是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。由于引线框架的材料为铜质材料,因此为了节省引线框架的基体材料成本,在框架上的芯片安装部的镂空结构设计得越来越多,如芯片封装形式为DFN2020-3的芯片安装部,由于该芯片安装部封装后的尺寸为:2.0*2.0mm,尺寸较大,在芯片安装部内设置的镂空结构能起到节约材料成本的效果,但会造成框架的强度不够,在芯片的生产过程中会因框架变形引起芯片连接不牢、焊线强度不够的问题,引线最终的产品质量。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对现有DFN2020-3框架由于单个芯片安装部的尺寸较大,在芯片安装部内设计得镂空结构过多,造成框架的强度不够,芯片连接不牢、引线产品质量的技术问题,提供一种DFN2020-3高密度框架,该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接,增加了框架的整体强度,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN2020-3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,在框架上设有多个与DFN2020-3封装结构相适应的的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,还设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。优化设计方案为,将引脚槽连接板设置在引脚安装槽的下方,即更靠近框架底板的位置,以不影响引脚线的焊接操作。该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接起来,并将引脚槽连接板延伸到芯片安装部之间的加强连筋上,增加了框架的整体强度,避免因为框架强度不够,在生产过程中因为框架变形而引起的芯片连接不牢,焊线强度不够的问题,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠;而进一步将芯片区支撑连筋与加强连筋连接,更让框架的结构得到增强,保证产品质量。作为本技术的优选方案,引脚槽连接板和芯片安置区之间留有极性分隔间隙。引脚槽连接板和芯片安置区之间设的极性分隔间隙,将芯片安置区和引脚安装槽的极性分隔开,满足使用需求。作为本技术的优选方案,在每个芯片安装部的芯片安置区周围设有至少4个加强连筋,2个为一组对称设置于芯片安置区的两侧边。加强连筋的设计将芯片安置区的结构稳定,保证芯片安置和引脚线焊接过程中的稳定性,为得到符合质量要求的产品提供基础。作为本技术的优选方案,所述芯片安装部为矩形结构,所有的芯片安装部的边均与框架的长边或短边平行布置。所有芯片安装部规整布置在框架上,利于布置更多的芯片安装部,提高框架基体的材料利用率。作为本技术的优选方案,在相邻的芯片安装部之间的切割道宽度尺寸小于0.20mm。该框架的切割道尺寸由现有的0.30mm减小到小于0.20mm,可在相同的框架尺寸上布置更多的芯片安装部,进而提高材料利用率。作为本技术的优选方案,所述切割道分别为横向连接筋和竖向连接筋,所述横向连接筋和竖向连接筋的宽度小于0.13mm。更为优化的尺寸为0.10mm,相对于现有的0.15mm的连筋尺寸进行减小,更小的连筋尺寸也减小了刀片分割芯片安装部产生的磨损和发热,避免了框架与塑封料因为发热过大产生的间隙分层,保证了产品的质量和其可靠的性能。作为本技术的优选方案,在芯片安装部的四个角上均设有十字连接筋,所述十字连接筋设置在竖向连接筋和横向连接筋交叉的位置。利用十字连接筋连接竖向连接筋和横向连接筋的交叉位置,能实现更快捷的连接和切割分离操作,提高生产效率,也有利于减小竖向连接筋和横向连接筋的宽度尺寸,提高芯片安装部的布置率。作为本技术的优选方案,在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框护架,所述边框护架为半腐蚀结构,在边框护架上间隔设有镂空槽。在布置芯片的区域外设置一圈边框护架,进一步增强整个框架的结构稳定性,减少因震动造成的芯片和引脚线安装的错位问题,而边框护架为半腐蚀结构,即其厚度被腐蚀掉一部分,便于切割分离操作;在边框护架上间隔设置的镂空槽,也为后续的切割分离操作减小难度。作为本技术的优选方案,靠近边框的芯片安装部与边框护架连接,该芯片安装部的芯片区支撑连筋延伸至边框护架上。边缘部位的芯片安装部通过芯片区支撑连筋与边框护架相连,进一步增强靠近边框部位的芯片安装部的稳定性。作为本技术的优选方案,在边框护架和边框之间还设有一圈边框切割道,包括横向边框切割道和竖向边框切割道,在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔设置空槽,便于边框的切割分离操作。作为本技术的优选方案,在横向边框切割道和竖向边框切割道上均设有用于相邻芯片安装部切割的定位槽。即横向边框切割道包括多个间隔设置的横向切割掏空槽,在横向切割掏空槽内设有加强筋进行加强,还包括与竖向连接筋对应设置的半腐定位块,所述半腐定位块上设有竖向切割定位槽;所述竖向边框切割道包括多个间隔设置的切割道掏空槽,还包括与横向连接筋对应设置的横向切割定位槽,在相邻的横向切割定位槽之间连有竖向半腐连筋,增强竖向边框切割道的强度。综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:1、该框架通过设置引脚槽连接板将两个引脚安装槽连接,增加了框架的整体强度,使芯片焊接牢固、引线变形量小,产品质量可靠;而进一步将芯片区支撑连筋与加强连筋连接,更让框架的结构得到增强,保证产品质量;2、引脚槽连接板和芯片安置区之间设的极性分隔间隙,将芯片安置区和引脚安装槽的极性分隔开,满足使用需求;3、该框架的切割道尺寸由现有的0.30mm减小到小于0.20mm,可在相同的框架尺寸上布置更多的芯片安装部,进而提高材料利用率;相对于现有的0.15mm的连筋尺寸进行减小,更小的连筋尺寸也减小了刀片分割芯片安装部产生的磨损和发热,避免了框架与塑封料因为发热过大产生的间隙分层,保证了产品的质量和其可靠的性能;4、利用十字连接筋连接竖向连接筋和横向连接筋的交叉位置,能实现更快捷的连接和切割分离操作,提高生产效率,也有利于减小竖向连接筋和横向连接筋的宽度尺寸,提高芯片安装部的布置率;5、在布置芯片的区域外设置一圈边框护架,进一步增强整个框架的结构稳定性,减少因震动造成的芯片和引脚线安装的错位问题;边缘部位的芯片安装部通过芯片区支撑连筋与边框护架相连,进一步增强靠近边框部位的芯片安装部的稳定性。附图说明图1是本技术DFN2020-3高密度框架的结构示意图。图2为靠近边框的多个芯片本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/201720738416.html" title="一种DFN2020‑3高密度框架原文来自X技术">DFN2020‑3高密度框架</a>

【技术保护点】
一种DFN2020‑3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,其特征在于,在框架上设有多个与DFN2020‑3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,且设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2020-3高密度框架,包括矩形片状结构的框架,其特征在于,在框架上设有多个与DFN2020-3封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚安装槽,在每个芯片安装部内设有两个引脚安装槽,且设有将两个引脚安装槽连接的引脚槽连接板,所述引脚安装槽延伸并连接至芯片安装部之间设置的加强连筋上,所述芯片安置区周围设有芯片区支撑连筋,所述芯片区支撑连筋与芯片安装部之间设置的加强连筋相连。2.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,所述引脚槽连接板和芯片安置区之间留有极性分隔间隙。3.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,在每个芯片安装部的芯片安置区周围设有至少4个加强连筋,均分为2组对称设置于芯片安置区的两侧边。4.根据权利要求1所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,在相邻的芯片安装部之间的切割道宽度尺寸小于0.20mm。5.根据权利要求4所述的DFN2020-3高密度框架,其特征在于,所述切割道分别为横向...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀樊增勇崔金忠李东张明聪许兵李宁
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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