一种多晶硅还原炉的接地保护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉的接地保护装置，该装置包括总接触器和接地接触器，总接触器与接地接触器逻辑互锁，并且高压启动电源通过总接触器和打压接触器分别对各组负载中的硅棒进行击穿启动，启动后，每个调功电源分别对一组负载进行后续加热；停炉后，还原炉内连接每对硅棒的电极通过打压接触器与接地接触器连接，实现接地。因此，与现有技术的接地保护设备相比，本实用新型专利技术多晶硅还原炉的接地保护装置，能够减少高压隔离开关的使用数量，降低隔离开关故障引起的事故，同时节约设备投入成本。

A grounding protection device for a polysilicon reduction furnace

The utility model discloses a polysilicon reduction furnace grounding protection device, the device includes a general contactor and grounding contactor, total contactor and grounding contactor interlocking logic, and the total voltage starting contactor and contactor pressure of each group respectively in the load of silicon rod breakdown started after the start of each power the power of a group were heating load; after the shutdown, the reduction furnace electrode connecting each of the silicon rod by suppressing the contactor connected with the grounding contactor, ground. Therefore, compared with the existing grounding protection devices, the grounding protection device of the polysilicon reduction furnace can reduce the number of high-voltage isolating switches, reduce the accidents caused by the isolation switches, and save the cost of equipment input.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉的接地保护装置
本技术涉及一种多晶硅还原炉
，特别涉及一种多晶硅还原炉的接地保护装置。
技术介绍
多晶硅还原炉的接地保护就是多晶硅安全生产的具体保障。现有技术中，通常采用高压隔离开关接地的方式连接至炉体硅棒进行接地，每对棒都需对应极的高压隔离开关，以致高压隔离开关数量非常多。如图1所示现有技术的多晶硅还原炉24对棒还原炉的接地配置，其接地保护设备包括6台五极的高压隔离开关QS1～QS6。而若是36对棒还原炉，其接地保护设备包括6台三极和6台四极的高压隔离开关，或者包括6台两极和6台五极的高压隔离开关；若是48对棒还原炉，其接地保护设备6台四极和6台五极的高压隔离开关。因此，现有技术中，多晶硅还原炉采用的接地方式，其设备投入成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于：克服现有技术中所存在的设备投入成本较高，安装不方便，成本高的不足，提供一种多晶硅还原炉的接地保护装置。为了实现上述技术目的，本技术提供一种多晶硅还原炉的接地保护装置，所述多晶硅还原炉系统内具有N个高压启动电源、M个调功电源、M个具有N+1个极的打压接触器和M组负载，每组负载均具有N对硅棒，其中，所述接地保护装置包括总接触器和接地接触器，并且，所述总接触器和所述接地接触器的极数均具有N+1极；其中，N个所述高压启动电源串联在一起，并通过所述总接触器和所述打压接触器分别对M负载中的N对硅棒进行击穿启动；每个所述调功电源，用于分别对一组负载进行后续加热；停炉后，还原炉内连接每对硅棒的电极通过所述打压接触器与所述接地接触器连接，实现接地。根据一种具体的实施方式，本技术的多晶硅还原炉的接地保护装置中，所述总接触器与所述接地接触器的逻辑互锁。进一步地，所述总接触器的极和所述接地接触器的极均由多个接触器的极组合而成。进一步地，所述总接触器的极与所述接地接触器的极一对一连接。与现有技术相比，本技术的有益效果：与现有技术的接地保护设备相比，本技术多晶硅还原炉的接地保护装置，能够减少高压隔离开关的使用数量，降低器件故障引发的安全事故，减少接地器件间的接线，同时节约设备投入成本。附图说明：图1是现有技术采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；图2是本技术采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；图3是本技术采用的36对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；图4是本技术采用的48对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图。具体实施方式下面结合具体实施方式对本技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本技术的范围。如图2所示的本技术采用的24对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；其中，多晶硅还原炉的内部包括4个高压启动电源、5条高压母线、6个调功电源、6个打压接触器KM1～KM6和6组A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载，A1组有A11～A14四对硅棒，A2组有A21～A24四对硅棒，B1组有B11～B14四对硅棒，B2组有B21～B24四对硅棒，C1组有C11～C14四对硅棒，C2组有C21～C24四对硅棒。本技术的接地保护装置包括总接触器KM0和接地接触器KMPE。在24对棒多晶硅还原炉中，4个高压启动电源经5条高压母线，先通过总接触器KM0再通过打压接触器KM1～KM6，而分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载中的4对硅棒进行启动。在A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载的硅棒启动完成后，A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载所分别对应的调功电源，通过真空断路器QF1～QF6，分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载进行后续加热。并且，总接触器KM0与打压接触器KM1～KM6之间的高压母线分别通过接地接触器KMPE接地，当硅棒生长完成后，总接触器KM0保持断开，真空断路器QF1～QF6断开，打压接触器KM1～KM6吸合，通过接地接触器KMPE，使多晶硅还原炉的内部所有电极接地，为生产人员安全拆卸硅棒和重新安装硅芯提供了强有力的保障。其中，总接触器KM0与接地接触器KMPE逻辑互锁，即任意时刻，总接触器KM0与接地接触器KMPE的状态相反。在本实施例中，打压接触器KM1～KM6、总接触器KM0和接地接触器KMPE均具有5极。如图3所示的本技术采用的36对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；虽然图中省略了调功电源和相应的真空断路器。但是，本领域技术人员仍能从图中获知，该多晶硅还原炉的内部包括6个高压启动电源、7条高压母线、7个调功电源和6组A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载，A1组有A11～A16六对硅棒，A2组有A21～A26六对硅棒，B1组有B11～B16六对硅棒，B2组有B21～B26六对硅棒，C1组有C11～C16六对硅棒，C2组有C21～C26六对硅棒。本技术的接地保护装置包括接触器KM01、接触器KM02、接触器KMPE1和接触器KMPE2，并且接触器KM01和接触器KM02构成总接触器，接触器KMPE1和接触器KMPE2构成接地接触器。在36对棒多晶硅还原炉中，6个高压启动电源经7条高压母线，先通过接触器KM01和KM02再通过打压接触器KM11和KM12，KM21和KM22，KM31和KM32，KM41和KM42，KM51和KM52，KM61和KM62，而分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载中的6对硅棒进行启动。在A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载的硅棒启动完成后，相应的调功电源分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载进行后续加热。在本实施例中，接触器KM01与接触器KMPE1具有三极，接触器KM02和接触器KMPE2具有四极，并且，每个调功电源分别通过一个三极的并联接触器和一个真空断路器，对相应的一组负载进行后续加热。此外，接触器KM01与接触器KMPE1还可以是两极，接触器KM02和接触器KMPE2还可以是五极。如图4所示的本技术采用的48对棒多晶硅还原炉的接地保护示意图；虽然图中省略了调功电源和相应的真空断路器。但是，本领域技术人员仍能从图中获知，该多晶硅还原炉的内部包括8个高压启动电源、9条高压母线、6个调功电源、6个真空断路器QF1～QF6和6组A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载，A1组有A11～A18八对硅棒，A2组有A21～A28八对硅棒，B1组有B11～B18八对硅棒，B2组有B21～B28八对硅棒，C1组有C11～C18八对硅棒，C2组有C21～C28八对硅棒。本技术的接地保护装置包括接触器KM01、接触器KM02、接触器KMPE1和接触器KMPE2，并且接触器KM01和接触器KM02构成总接触器，接触器KMPE1和接触器KMPE2构成接地接触器。在48对棒多晶硅还原炉中，8个高压启动电源经9条高压母线，先通过接触器KM01和KM02再通过打压接触器KM11和KM12，KM21和KM22，KM31和KM32，KM41和KM42，KM51和KM52，KM61和KM62，而分别对A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载中的8对硅棒进行启动。在A1、A2、B1、B2、C1和C2六组负载的硅棒启本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉的接地保护装置，所述多晶硅还原炉系统内具有N个高压启动电源、M个调功电源、M个具有N+1个极的打压接触器和M组负载，每组负载均具有N对硅棒，其特征在于，所述接地保护装置包括总接触器和接地接触器，并且，所述总接触器和所述接地接触器的极数均具有N+1极；其中，N个所述高压启动电源串联在一起，并通过所述总接触器和所述打压接触器分别对M负载中的N对硅棒进行击穿启动；每个所述调功电源，用于分别对一组负载进行后续加热；停炉后，还原炉内连接每对硅棒的电极通过所述打压接触器与所述接地接触器连接，实现接地。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉的接地保护装置，所述多晶硅还原炉系统内具有N个高压启动电源、M个调功电源、M个具有N+1个极的打压接触器和M组负载，每组负载均具有N对硅棒，其特征在于，所述接地保护装置包括总接触器和接地接触器，并且，所述总接触器和所述接地接触器的极数均具有N+1极；其中，N个所述高压启动电源串联在一起，并通过所述总接触器和所述打压接触器分别对M负载中的N对硅棒进行击穿启动；每个所述调功电源，用于分别对一组负载进行后续加...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖晓刚，
申请(专利权)人：四川英杰电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51