一种低热阻大功率贴片整流桥制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，所述引脚为平脚，所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。本实用新型专利技术引脚采用平脚设计，引脚与塑封体焊接面为同一水平面，所述整流桥具有超小超薄封装外形，从而使整流桥贴片封装，实现SMT作业，替代人工插件，减少人工成本；同时，降低产品安装高度，满足相关产品超薄、超小发展趋势。此外，通过框架和管体外形的设计，使的产品具有更低的热阻，适应更大的功率要求。

A low thermal resistance and high power patch rectifier bridge

The utility model relates to a semiconductor device, in particular to a low thermal resistance of high power rectifying bridge, including 4 of the GPP chip, the GPP chip is connected on the frame under the framework of the extreme, extreme negative connection, the GPP chip of the upper frame and lower frame, which is coated on the plastic body, positive DC, DC negative, positive and negative exchange exchange 4 pin out of the plastic body, the pin is flat, the welding surface of the pins and the package body at the same level. The utility model adopts flat foot pin pin and plastic body design, welding surface for the same level, the bridge rectifier with ultra small thin package, so that the rectifier chip packaging, SMT operation, to replace the manual plug-in, reduce labor costs; at the same time, reduce product installation height, meet the ultra-thin products, the ultra small development trend. In addition, through the design of the frame and tube shape, the products have lower thermal resistance and adapt to greater power requirements.

【技术实现步骤摘要】
一种低热阻大功率贴片整流桥
本技术涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率贴片整流桥。
技术介绍
现有整流桥产品采用插件设计，难以使用SMT设备自动上板，需人工插件，厂家使用人工成本高；同时插件设计安装高度高，无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。
技术实现思路
本技术的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率贴片整流桥。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，所述引脚为平脚贴片设计，所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。进一步地，所述上框架、下框架为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯，折弯部位包封在所述塑封体内。具体地，框架制作时进行预折弯，然后再工场进行芯片组装。所述整流桥测试前，只需要进行切断而不需要再进行弯角整形，对产品性能影响小。进一步地，所述整流桥整体厚度介于1.40mm～1.60mm。进一步地，所述引脚宽度介于1.80mm～2.20mm。所述引脚厚度介于0.20mm～0.30mm。进一步地，所述整流桥平面形态呈矩形，边长介于10.80mm～11.20mm。进一步地，所述整流桥底部采用大面积焊盘设计。进一步地，所述塑封体选用压塑环氧树脂，其成分主要为环氧树脂和二氧化硅，对比传统浇灌工艺，具有更好的散热性。压塑环氧树脂结合底部大面积焊盘设计进一步改进散热，获得更低的热阻，可承受更大功率。本技术的有益效果是：本技术引脚采用平脚设计，引脚焊接面与塑封体在同一水平面，使得整流桥具有超小超薄封装外形，便于SMT作业，替代人工插件，减少人工成本；同时，降低了产品安装高度，满足相关产品超薄、超小发展趋势要求。此外，通过框架和管体外形的设计，使的产品具有更低的热阻，客户可以应用到更大的功率。同时，本技术提供的整流桥具有散热好、低热阻的优点。对于同样的器件大小，本技术提供的整流桥可承受更大功率。附图说明图1是本技术实施例1贴片整流桥剖视图；图2是本技术实施例1贴片整流桥主视图；图3是本技术实施例1贴片整流桥侧视图；图4是本技术实施例1贴片整流桥俯视图；图5是本技术实施例1贴片整流桥仰视图；图6是本技术实施例1贴片整流桥上框架结构图；图7是本技术实施例1贴片整流桥下框架结构图；图中标记：101-上框架，102-下框架，2-GPP芯片，3-塑封体，4-焊料，5-引脚电镀层。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1实施例1提供一种3A～6A低热阻大功率贴片整流桥，如图1所示，包括上框架101、下框架102、4颗GPP芯片(84～100mil)2、塑封体3、焊料4和引脚电镀层5。所述GPP芯片的P结、N结分别通过焊料4连接上框架101和下框架102。所述GPP芯片2、焊料4、上框架101以及下框架102连接在一起，且包覆于所述塑封体3内,连接体另一侧水平伸出所述塑封体，并电镀上引脚电镀层5。所述引脚为平脚，所述引脚的焊接面与所述塑封体在同一水平面。所述框架(包括上框架101和下框架102)下片的约10％外露于所述塑封体3。如图2所示，为所述贴片整流桥整体主视图。所述贴片整流桥具有超小超薄封装外形。如图3所示，所述整流桥整体厚度(A)介于1.40mm～1.60mm。所述引脚厚度(C)介于0.20mm～0.30mm。所述引脚采用平脚设计，焊接面与塑封体在同一水平面，可以使用SMT自动安装于PCB板表面，通过回流焊焊接上板，无需插孔焊接。如图4、5所示，所述整流桥平面形态呈正方形，边长(D、E)介于10.80mm～11.20mm。所述引脚宽度(B)介于1.80mm～2.20mm。所述引脚长度(b)介于1.30mm～1.70mm。图6-7依次为所述上框架、下框架结构平面图。所述塑封体3为压塑环氧树脂。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，其特征在于：所述引脚为平脚，所述引脚的焊接面与所述塑封体底部在同一水平面。

【技术特征摘要】
1.一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，其特征在于：所述引脚为平脚，所述引脚的焊接面与所述塑封体底部在同一水平面。2.根据权利要求1所述的低热阻大功率贴片整流桥，其特征在于：所述上框架、下框架为内折弯结构。3.根据权利要求2所述的低热阻大功率贴片整流桥，其特征在于，所述塑封体选用环氧树脂。4.根据权利要求3所述的低热阻大功率贴片整流桥，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱志述，谭志伟，周杰，梁鲁川，
申请(专利权)人：乐山无线电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51