The utility model relates to a semiconductor manufacturing technology, in particular to a high density DFN1608 framework, including the rectangular frame plate structure, multiple structure and DFN1608 package design on the frame to adapt to the chip mounting portion, wherein the chip mounting portion includes a chip placement area and pin welding area, polarity of the partition board is arranged between the the chip placement area and pin welding area, a separation gap in polarity on the partition board, the chip and pin welding area resettlement area separated in polar partition plate close to the pin welding zone on the side of the groove are separated from the separating gap extension. The frame sets a special polar partition board and sets the gap between the polar separates to achieve the function of polar separation to ensure the performance of the product.
【技术实现步骤摘要】
一种DFN1608高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术,特别是一种DFN1608高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。因此,无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的需求都是非常巨大的。在半导体的制造过程中,通常是将半导体集成到引线框架上,让引线框架作为集成电路的芯片载体,形成电气回路,起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为DFN1608的芯片安装部,其封装后的单个芯片安装部尺寸要求为:1.6*0.8mm,要达到充分利用框架基体材料以及增强框架适应更多不同尺寸芯片的目的,需要对框架上单个芯片安装部的芯片安置区进行扩大、将引脚焊接区进行缩小,但从芯片产品质量方面来考虑,又会产生不利的影响,这就需要对框架上芯片安装部和框架的具体结构进行优化设计,以满足使用需求。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对现有技术中为了提高封装形式为DFN1608的芯片安装部对芯片的适应性及框架基体的利用率,采用将芯片安装部的芯片安置区进行扩大、将引脚焊接区进行缩小的技术方案,但造成芯片产品的质量无法保证的技术问题,提供一种DFN1608高密度框架,该框架设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,达到极性分隔的作用,保证产品性能。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之 ...
【技术保护点】
一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。2.根据权利要求1所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,所述分隔凹槽的宽度与引脚的布置位置相对应,使所有引脚经过极性分隔板时均位于分隔凹槽内。3.根据权利要求2所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,所述芯片安置区与引脚焊接区所占面积之比大于2.5:1。4.根据权利要求1所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道,包括横向边框切割道和竖向边框切割道,在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。5.根据权利要求4所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,在竖向边框切割道上间隔设置的空槽为竖边凹槽,且在竖向边框切割道上还设有横向切割定位...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀,樊增勇,崔金忠,李东,张明聪,许兵,李宁,
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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