一种DFN1608高密度框架制造技术

技术编号:16948491 阅读:7 留言:0更新日期:2018-01-04 00:33
本实用新型专利技术涉及半导体制造技术,具体涉及一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。该框架设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,达到极性分隔的作用,保证产品性能。

A DFN1608 high density frame

The utility model relates to a semiconductor manufacturing technology, in particular to a high density DFN1608 framework, including the rectangular frame plate structure, multiple structure and DFN1608 package design on the frame to adapt to the chip mounting portion, wherein the chip mounting portion includes a chip placement area and pin welding area, polarity of the partition board is arranged between the the chip placement area and pin welding area, a separation gap in polarity on the partition board, the chip and pin welding area resettlement area separated in polar partition plate close to the pin welding zone on the side of the groove are separated from the separating gap extension. The frame sets a special polar partition board and sets the gap between the polar separates to achieve the function of polar separation to ensure the performance of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种DFN1608高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术,特别是一种DFN1608高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。因此,无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的需求都是非常巨大的。在半导体的制造过程中,通常是将半导体集成到引线框架上,让引线框架作为集成电路的芯片载体,形成电气回路,起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为DFN1608的芯片安装部,其封装后的单个芯片安装部尺寸要求为:1.6*0.8mm,要达到充分利用框架基体材料以及增强框架适应更多不同尺寸芯片的目的,需要对框架上单个芯片安装部的芯片安置区进行扩大、将引脚焊接区进行缩小,但从芯片产品质量方面来考虑,又会产生不利的影响,这就需要对框架上芯片安装部和框架的具体结构进行优化设计,以满足使用需求。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对现有技术中为了提高封装形式为DFN1608的芯片安装部对芯片的适应性及框架基体的利用率,采用将芯片安装部的芯片安置区进行扩大、将引脚焊接区进行缩小的技术方案,但造成芯片产品的质量无法保证的技术问题,提供一种DFN1608高密度框架,该框架设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,达到极性分隔的作用,保证产品性能。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。该框架在芯片安置区和引脚焊接区之间设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,达到极性分隔的作用,进而利于芯片安装和引脚焊接、保证产品性能,并在极性分隔板上设置分隔凹槽,分隔凹槽延伸至分隔间隙,这样在引脚从芯片安置区引像引脚焊接区时,可将引脚置于分隔凹槽内,对引脚线进行限位,利于引脚焊接,保证产品质量。作为本技术的优选方案,所述分隔凹槽宽度与引脚的布置位置相对应,使所有引脚经过极性分隔板时均位于分隔凹槽内。在引脚焊接时,将其布置与分隔凹槽内,并合理设置分隔凹槽的宽度与引脚数量和布置方式相适应,利于稳定引脚、减少极性分隔板对引脚的干扰,保证引脚焊接质量。作为本技术的优选方案,所述芯片安置区与引脚焊接区所占面积之比大于2.5:1。芯片安装部与引脚焊接区所占面积比大于2.5:1,即能得到大尺寸的矽座,适应更大尺寸的芯片,提高芯片安装部的兼容性,进而提高框架的利用率,避免重复开模、节约成本。作为本技术的优选方案,在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道,包括横向边框切割道和竖向边框切割道,在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔设置空槽,便于边框的切割分离操作。作为本技术的优选方案,在竖向边框切割道上间隔设置的空槽为竖边凹槽,且在竖向边框切割道上还设有横向切割定位槽,所述横向切割定位槽与相邻芯片安装部之间的切割位置对应设置。作为本技术的优选方案,在横向边框切割道上间隔设置的空槽为横边凹槽,且在横向边框切割道上还设有竖向切割定位槽,所述竖向切割定位槽与相邻芯片安装部之间的切割位置对应设置。在竖向边框切割道和横向边框切割道上分别设置切割定位槽,便于芯片安装部的定位切割,提高操作效率和避免产品损坏。作为本技术的优选方案,在竖向边框切割道上的相邻横向切割定位槽之间连有连筋,该连筋为竖向半腐连筋,在横向边框切割道的相邻竖向切割定位槽之间也连有连筋,该连筋为横向半腐连筋。竖向半腐连筋和横向半腐连筋,即该连筋的厚度被腐蚀掉一半,在起到加强切割道结构的同时,更利于后续边框的切割操作。作为本技术的优选方案,所述芯片安装部为矩形,所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置,相邻芯片安装部长边之间的连筋为竖向连接筋,短边之间的连筋为横向连接筋。将所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置,规整的布置方式有利于增加框架基体的利用率;而在相邻芯片安装部之间设置竖向连接筋和横向连接筋,增加框架强度和各个芯片安装部的稳定性。作为本技术的优选方案,所述竖向连接筋和横向连接筋均为半腐蚀结构。作为本技术的优选方案,在芯片安装部的四个角上均设有十字连接筋,所述十字连接筋设置在竖向连接筋和横向连接筋交叉的位置。利用十字连筋筋连接竖向连接筋和横向连接筋的交叉位置,能实现更快捷的连接和切割分离操作,提高生产效率,也有利于减小竖向连接筋和横向连接筋的宽度尺寸,提高芯片安装部的布置率。综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:1、该框架设置专门的极性分隔板,并在极性分隔板上设置分隔间隙,达到极性分隔的作用,保证产品性能;并在极性分隔板上设置分隔凹槽,分隔凹槽延伸至分隔间隙,这样在引脚从芯片安置区引像引脚焊接区时,可将引脚置于分隔凹槽内,对引脚线进行限位,利于引脚焊接,保证产品质量;2、芯片安装部与引脚焊接区所占面积比大于2.5:1,即能得到大尺寸的矽座,适应更大尺寸的芯片,提高芯片安装部的兼容性,进而提高框架的利用率,避免重复开模、节约成本;3、在竖向边框切割道和横向边框切割道上分别设置切割定位槽,便于芯片安装部的定位切割,提高操作效率和避免产品损坏;4、利用十字连筋筋连接竖向连接筋和横向连接筋的交叉位置,能实现更快捷的连接和切割分离操作,提高生产效率,也有利于减小竖向连接筋和横向连接筋的宽度尺寸,提高芯片安装部的布置率。附图说明图1是本技术DFN1608高密度框架的结构示意图。图2为图1中靠近边框的多个芯片安装部在框架上的分布图。图3为单个芯片安装部的结构示意图。图4为实施例中安装芯片和引脚线后的芯片安装部的示意图。图中标记:1-框架,101-芯片单元,2-单元分隔槽,3-芯片安装部,301-芯片安置区,302-极性分隔板,303-分隔凹槽,304-引脚焊接区,305-支撑连筋,4-横向连接筋,5-竖向连接筋,501-十字连接筋,6-竖向边框切割道,601-横向切割定位槽,602-竖边凹槽,603-竖向半腐连筋,7-横向边框切割道,701-竖向切割定位槽,702-横边凹槽,703-横向半腐连筋,8-芯片,9-引脚线。具体实施方式下面结合附图,对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示,本实施例的DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架1,在框架1上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部3,所述芯片安装部3包括芯片安置区301和引脚焊接区304,所述芯片安置区301和引脚焊接区304之间为极性分隔板302,在极性分隔板302上设有分隔间隙,将芯片安置区301和引脚焊接区304的极性分隔开本文档来自技高网...
一种DFN1608高密度框架

【技术保护点】
一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。

【技术特征摘要】
1.一种DFN1608高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN1608封装结构相适应的芯片安装部,所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区,所述芯片安置区和引脚焊接区之间为极性分隔板,在极性分隔板上设有分隔间隙,将芯片安置区和引脚焊接区分隔开,在靠近引脚焊接区侧的极性分隔板上从分隔间隙延伸有分隔凹槽。2.根据权利要求1所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,所述分隔凹槽的宽度与引脚的布置位置相对应,使所有引脚经过极性分隔板时均位于分隔凹槽内。3.根据权利要求2所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,所述芯片安置区与引脚焊接区所占面积之比大于2.5:1。4.根据权利要求1所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道,包括横向边框切割道和竖向边框切割道,在横向边框切割道和竖向边框切割道上间隔挖有多个空槽。5.根据权利要求4所述的DFN1608高密度框架,其特征在于,在竖向边框切割道上间隔设置的空槽为竖边凹槽,且在竖向边框切割道上还设有横向切割定位...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀樊增勇崔金忠李东张明聪许兵李宁
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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