半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。

Manufacturing methods of semiconductor devices

Contains the method of manufacturing a semiconductor device, semiconductor wafer preparation, prepared on glass film forming is formed on the surface of a semiconductor wafer having mesa grooves; and a glass covering film forming step in the suspension to lead-free glass particles suspended in a solvent, the first plate electrode and the second electrode plate by dipping in the suspension in the liquid state after the set, at the same time, between the first electrode and the second electrode plate of the semiconductor wafer to the glass film forming face to one side of the first electrode plate, by electrophoretic deposition on the glass film forming film formed on the surface of the glass cover.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，众所周知有一种包含在半导体晶片(Wafer)的表面形成玻璃覆盖膜的玻璃覆盖膜形成工序的半导体装置的制造方法(例如，特开昭63-22457号公报、特开昭60-94729号公报、特开昭57-143832号公报)。在该半导体装置的制造方法中，是通过电泳沉积法(EPD：ElectrophoreticDeposition)，使不含铅的无铅玻璃微粒子在半导体晶片的台面(mesa)沟槽中沉积，然后，对在该沟槽中沉积的无铅玻璃微粒子进行烧制后，使其玻璃化，从而来形成半导体装置的钝化(passivation)膜。在上述以往的半导体装置的制造方法中，在依靠电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，使用的是将无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液。而且，添加于该悬浮液中的电解质溶液的特性并不一定是固定的。由于该电解质溶液特性的偏差，导致通过电泳沉积法使不含铅的无铅玻璃微粒子相对于半导体晶片的台面沟槽的附着性不稳定，从而无法将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上(无铅玻璃微粒子沉积物在厚度达到规定的厚度前不附着)。并且，例如由于该无铅玻璃微粒子沉积物的厚度的偏差，会导致对该沉积物进行烧制后玻璃化的钝化膜的膜厚也会偏差，因此就会导致从半导体晶片上切割分离后的半导体装置的钝化膜的绝缘性(反向特性)产生偏差从而降低该半导体装置的可靠性。如上述般，在以往的半导体装置的制造方法中依靠电泳沉积法的玻璃覆盖膜形成工序中，由于添加于悬浮液中的电解质溶液特性的偏差，导致通过电泳沉积法使不含铅的无铅玻璃微粒子相对于半导体晶片的台面沟槽的附着性不稳定，从而无法将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上。因此，本专利技术的目的是：提供一种能够将沉积于台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上的半导体装置的制造方法。
技术实现思路
本专利技术的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，通过对所述表面活性剂、所述水、以及所述电解质溶液中的至少任意一个进行调整，从而将所述悬浮液的所述导电系数控制在所述第二范围内。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述有机溶剂为异丙醇(isopropylalcohol)或醋酸乙酯(ethylacetate)。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，通过对所述混合液中所述硝酸的配比进行调整，从而将所述电解质溶液的所述导电系数控制在所述第三范围内。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述溶媒为含有异丙醇与醋酸乙酯的混合溶媒。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，通过对所述混合液中所述醋酸乙酯的配比进行调整，从而将所述溶媒的介电常数控制在所述第一范围内。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述无铅玻璃微粒子中含有SiO2、Al2O3、CaO、MgO、ZnO、B2O3、以及BaO中的至少任意一种成分。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述表面活性剂为聚乙二醇(Polyethyleneglycol)。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述半导体晶片准备工序包含：准备在主面上具备平行pn结的半导体晶片的工序；通过从所述半导体晶片的一方的表面形成深度超过所述pn结的沟槽，从而在所述沟槽的内面形成所述pn结露出部的工序；以及在所述沟槽的内面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。在所述半导体装置的制造方法中，其特征在于：其中，所述半导体晶片准备工序包含：在所述半导体晶片的表面形成pn结露出部的工序；以及所述半导体晶片的表面形成基底绝缘膜并使其覆盖所述pn结露出部的工序。专利技术效果本专利技术的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。即，在本专利技术的一种形态所涉及的半导体装置的制造方法中，先是将含有无铅玻璃微粒子的溶媒的介电常数控制在第一范围内，接着在介电常数被控制在第一范围内的溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，通过使用导电系数被控制在第二范围内的悬浮液的电泳沉积法，使该悬浮液中的无铅玻璃微粒子沉积在半导体晶片的台面沟槽中。通过这样，就能够将被沉积在半导体晶片上形成的台面沟槽中的无铅玻璃微粒子沉积物的厚度高精度地控制在规定的厚度上。特别是，由于无铅玻璃微粒子沉积物的厚度被控制在了规定的厚度上，因此对该沉积物进行烧制后的玻璃化的钝化膜的膜厚也就被控制在了规定的膜厚上，因此就能够减少从半导体晶片上切割分离后的半导体装置的钝化膜的绝缘性(反向特性)的偏差从而提升该半导体装置的可靠性。简单附图说明图1是第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图2是紧接着图1的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图3是紧接着图2的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图4是紧接着图3的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图5是紧接着图4的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序展示图。图6是紧接着图5的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的工序本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.05 JP PCT/JP2016/0534591.一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，通过对所述表面活性剂、所述水、以及所述电解质溶液中的至少任意一个进行调整，从而将所述悬浮液的所述导电系数控制在所述第二范围内。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：其中，所述有机溶剂为异丙醇或醋酸乙酯。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原淳，伊东浩二，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP