Silicon carbide semiconductor device (100) comprises a manufacturing method in a silicon carbide wafer (10) surface formed on the side surface electrode (30) process; from the back side of the silicon carbide wafer (10) thin, thus a silicon carbide wafer (10) in the process of sheet metal; silicon carbide wafer sheet after (10) the back surface of a metal layer (21) of the process; in force make silicon carbide wafer (10) and a metal layer (21) flat state, the metal layer (21) laser irradiation to the metal layer (21) formed with the back side of a silicon carbide wafer (10) in the reaction of carbon carbide layer after the procedure (20); and the carbide layer (20) formed on the back of the back side of the electrode (40) process.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置
本专利技术涉及一种碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置。
技术介绍
以往,为了使碳化硅半导体元件变得更薄,一直在尝试将碳化硅晶片(Wafer)做得更薄。在将碳化硅晶片做得更薄时,例如可以使用研削的手法。另一方面,将碳化硅晶片变薄有时会发生翘曲。作为解决此类翘曲问题的手法,例如WO2012/049792号公报(第【0038】段)中,提出了如下的方案。(1)在进行薄板化后在背面将Ni(镍)膜成膜,并且通过对该Ni膜进行激光退火(Laserannealing)从而形成硅化物(Silicide)层。(2)通过像这样使基板(晶片)变薄虽然会发生很大的翘曲,但通过将薄板化后在研削面形成的加工变质层的至少一部分去除(表面处理)来调节基板(晶片)的翘曲量。本专利技术提供一种不同于以往的WO2012/049792号公报,在不去除加工变质层的情况下以简便的手法消除或是减小翘曲的碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置。
技术实现思路
根据本专利技术的碳化硅半导体装置的制造方法,包括:在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序;从背面侧使所述碳化硅晶片变薄,从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序;在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序;在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下,对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应 ...
【技术保护点】
一种碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序;从背面侧使所述碳化硅晶片变薄,从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序;在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序;在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下,对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物层的工序;以及在所述碳化物层的背面侧形成背面电极的工序。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在碳化硅晶片的表面侧形成表面电极的工序;从背面侧使所述碳化硅晶片变薄,从而将所述碳化硅晶片薄板化的工序;在薄板化后的所述碳化硅晶片的所述背面设置金属层的工序;在施加外力使所述碳化硅晶片以及所述金属层平坦化的状态下,对所述金属层进行激光照射从而在所述金属层的背面侧形成与所述碳化硅晶片中的碳反应后的碳化物层的工序;以及在所述碳化物层的背面侧形成背面电极的工序。2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于:其中,在进行激光照射时使照射的位置的一部分与已被激光照射过的位置重复,通过所述被激光照射的位置的重复,形成碳化物密度高的高密度部,通过所述被激光照射的位置的不重复,形成碳化物密度低的低密度部。3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于:其中,在进行激光照射时使照射的位置的一部分与已被激光照射过的位置重复,通过所述被激光照射的位置的重复,形成碳化物密度低的低密度部,通过所述被激光照射的位置的不重复,形成碳化物密度高的高密度部。4.根据权利要求1至3中任意一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于:其中,所述激光沿第一方向照射,当沿所述第一方向的某激光照射结束后,从间隔开的另外的位置上开始沿所述第一方向进行另外的激光照射。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法,其特征在于:其中,所述外力是来自于真空吸附部的吸附力或是来自于通过所述激光透过的部件所形成的按压部的按压力。6.根据权利要求1至5中任意一项...
【专利技术属性】
技术研发人员:福田祐介,渡部善之,
申请(专利权)人:新电元工业株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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