半导体装置封装制造方法及图纸

一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装相关申请案的交叉参考本申请案主张2016年6月15日申请的第62/350,622号美国临时申请案的权益和优先权，所述美国临时申请案的整个内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种半导体装置封装及其制造方法。确切地说，本专利技术涉及包含改进的导电基底的半导体装置封装结构及其制造方法。
技术介绍
在其中一或多个半导体装置安置于引线框的裸片脚座上/中的一些嵌入式半导体装置封装中，将大量组件和/或输入/输出(I/O)(例如，导电线/通孔/迹线)集成到半导体装置封装中且同时防止或缓解寄生电容可为挑战性的。
技术实现思路
在一或多个实施例中，根据本专利技术的第一方面，一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第一导电基底的所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包含第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包含第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。在一或多个实施例中，根据本专利技术的第二方面，一种半导体装置封装包含导电基底和绝缘层。所述导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述导电基底具有邻近于所述导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述导电基底的所述第二表面的第二部分。所述导电基底的所述第一部分具有第一宽度且所述导电基底的所述第二部分具有第二宽度。第一宽度比第二宽度大。所述绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面。在一或多个实施例中，根据本专利技术的第三方面，一种半导体装置封装包含导电基底、第一绝缘层和第二绝缘层。所述导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述导电基底的所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包含第一绝缘材料且覆盖所述导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包含第二绝缘材料且覆盖所述导电基底的所述第二表面。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。附图说明图1是根据本专利技术的第一方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图2是根据本专利技术的第二方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图3是根据本专利技术的一些方面的导电基底的一些实施例的俯视图。图4A、图4B、图4C、图4D、图4E、图4F、图4G和图4H说明制造图1中描绘的半导体装置封装的方法的一些实施例。图5A、图5B和图5C说明制造图2中描绘的半导体装置封装的方法的一些实施例。图6是根据本专利技术的第三方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图7是根据本专利技术的第四方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图8是根据本专利技术的一些实施例的导电基底的俯视图。图9A、图9B、图9C、图9D、图9E、图9F、图9G、图9H、图9I和图9J说明制造图7中描绘的半导体装置封装的方法的一些实施例。图10A、图10B、图10C、图10D和图10E说明制造图7中描绘的半导体装置封装的方法的一些实施例。图11A、图11B、图11C、图11D、图11E、图11F、图11G、图11H、图11I和图11J说明制造图6描绘的半导体装置封装的方法的一些实施例。图12是根据本专利技术的第五方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图13是根据本专利技术的第六方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图14是根据本专利技术的一些方面的导电基底的一些实施例的俯视图。图15是根据本专利技术的一些方面的导电基底的一些实施例的横截面视图。图16是根据本专利技术的一些方面的导电基底的一些实施例的横截面视图。图17是根据本专利技术的第七方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图18是根据本专利技术的第八方面的半导体装置封装的一些实施例的横截面视图。图19A和图19B是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图20A和图20B是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图21A和图21B是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图22A和图22B是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。图23A、图23B、图23C、图23D、图23E、图23F、图23G、图23H和图23I说明制造根据第九方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图24A、图24B、图24C、图24D、图24E、图24F、图24G、图24H、图24I和图24J说明制造根据第十方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图25A、图25B、图25C、图25D、图25E、图25F、图25G、图25H、图25I和图25J说明制造根据第十一方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图26A、图26B、图26C、图26D、图26E、图26F、图26G、图26H、图26I和图26J说明制造根据第十二方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图27A、图27B、图27C、图27D、图27E、图27F、图27G、图27H、图27I、图27J、图27K、图27L和图27M说明制造根据第十三方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图28A、图28B、图28C、图28D、图28E、图28F、图28G、图28H、图28I、图28J、图28K、图28L和图28M说明制造根据第十四方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图29A、图29B、图29C、图29D、图29E、图29F、图29G、图29H和图29I说明制造根据第十五方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。图30A、图30B、图30C、图30D、图30E、图30F、图30G、图30H和图30I说明制造根据第十六方面的半导体装置封装的方法的一些实施例。贯穿图式和具体实施方式使用共同参考数字以指示相同或类似元件。本专利技术的实施例将从结合附图进行的以下详细描述更显而易见。具体实施方式本专利技术中所描述的是用于提供具有减小的封装大小的装置的技术的实施例。举例来说，本专利技术描述包含改进的导电基底结构的半导体装置封装结构的实施例，所述改进的导电基底结构用于当一或多个半导体装置安置于引线框的裸片脚座中时缓解或消除寄生电容。除非另外规定，否则例如“上面”、“下面”、“向上”、“左侧”、“右侧”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧部”、“高于”、“下部”、“上部”、“上方”、“下方”等空间描述是相对于图式中所示的取向指示的。应理解，本文中所使用的空间描述仅是出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本专利技术的实施例的优点是不因此布置而有偏差。图1是根据本专利技术的第一方面的半导体装置封装1的一些实施例的横截面视图。半导体装置封装1包含导电基底101和102、半导体裸片20和22、导电粘合剂层48、绝缘层50、70和72、经图案化导电层80、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置封装，其包括：第一导电基底，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面，其中所述横向表面包含邻近于所述第一导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第一导电基底的所述第二表面的第二部分；第一绝缘层，其包括第一绝缘材料，所述第一绝缘层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分；以及第二绝缘层，其包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分，其中所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

【技术特征摘要】
2016.06.15 US 62/350,622;2017.06.13 US 15/621,9701.一种半导体装置封装，其包括：第一导电基底，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面，其中所述横向表面包含邻近于所述第一导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第一导电基底的所述第二表面的第二部分；第一绝缘层，其包括第一绝缘材料，所述第一绝缘层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分；以及第二绝缘层，其包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分，其中所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第一导电基底的所述第一表面上的第一裸片，且其中所述第一绝缘层进一步覆盖所述第一裸片和所述第一导电基底的所述第一表面的至少一部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第一绝缘层上且电连接到所述第一裸片的经图案化导电层。4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于电介质层中且电连接到所述第一裸片和所述经图案化导电层的多个第一互连结构。5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括：第二导电基底，其具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第二导电基底的所述第一表面与所述第二导电基底的所述第二表面之间延伸的横向表面，其中所述第二导电基底的所述横向表面包含邻近于所述第二导电基底的所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二导电基底的所述第二表面的第二部分；第二裸片，其安置于所述第二导电基底上；以及第三绝缘层，其包括所述第二绝缘层且覆盖所述第二导电基底的所述横向表面的所述第二部分。6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第二导电基底的所述第二表面上的表面修整层。7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括裸片，其中所述第一导电基底在所述第一导电基底的所述第一表面中界定腔，其中所述腔具有底部表面且其中所述裸片安置于所述腔的所述底部表面上，且其中所述第一绝缘层进一步覆盖所述第一裸片和所述第一导电基底的所述第一表面的至少一部分。8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第一绝缘层上且电连接到所述裸片的经图案化导电层。9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第一导电基底的所述第二表面上的表面修整层。10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置于所述第一导电基底的所述第二表面的第二部分上的表面修整层，其中所述第一导电基底的所述第二表面的第一部分由所述第一绝缘层覆盖。11.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一绝缘层进一步覆盖所述导电基底的所述第二表面的第一部分。12.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分从所述第一导电基底突出，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彗华，邱俊豪，谢慧英，陈国华，邱基综，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71