【技术实现步骤摘要】
集成电路S0T新型封装结构
本技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种集成电路S0T新型封装结构。
技术介绍
随着半导体封装产业的不断发展,在产品的性能、尺寸、成本可靠性等方面要求也不断提高,SOT是一种表面贴装的封装形式,一般引脚小于等于5个的小外形晶体管,比如大功率小型化贴片封装二极管就是其中一种产品,性能越高,尺寸越薄越小,成本越低也是趋势,但市场上的贴片封装二极管的整体厚度仍然较厚,引脚也要弯曲成型,成型过程中会产生应力,降低了产品的可靠性,有改进空间。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超薄型、高可靠性的集成电路S0T新型封装结构。本技术是这样实现的:集成电路S0T新型封装结构,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。其中,所述塑封体的厚度为1.2mm。其中,所述上料片、下料片为铜片。其中,所述引脚一和引脚二露出塑封体的部分还镀有锡层。其中,所述下料片上设有防止焊料溢出的防溢槽。其中,所述防溢槽的截面为V型,深度为0.1mm,宽度为0.3mm。本技术的有益效果为:所述集成电路S0T新型封装结构包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。由于采用直引脚不再对引脚进行弯曲处理,消除了该工序中对芯片产生的应力影响,提高产品可靠性,另外采用双料片结构,效率高,成本低,引脚一和引脚二与塑封体的下表面平行且平齐,可以大幅降低塑封体的厚度 ...
【技术保护点】
集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。
【技术特征摘要】
1.集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。2.根据权利要求1所述的集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,所述塑封体的厚度为1.2mm。3.根据权利要求1所述的集成电路S0T新...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈林,郑天凤,朱仕镇,韩壮勇,朱文锋,吴富友,刘志华,刘群英,朱海涛,张团结,王鹏飞,曹丙平,周贝贝,
申请(专利权)人:深圳市三联盛科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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