集成电路S0T新型封装结构制造技术

技术编号:16903104 阅读:12 留言:0更新日期:2017-12-28 14:54
本实用新型专利技术涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种集成电路S0T新型封装结构,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。由于采用直引脚不再对引脚进行弯曲处理,消除了该工序中对芯片产生的应力影响,提高产品可靠性,另外采用双料片结构,效率高,成本低,引脚一和引脚二与塑封体的下表面平行且平齐,可以大幅降低塑封体的厚度,可以减薄至1.2mm,引脚大面积外露,散热效果好,塑封体减薄后,散热效果也有所提高。

【技术实现步骤摘要】
集成电路S0T新型封装结构
本技术涉及半导体封装
,尤其涉及一种集成电路S0T新型封装结构。
技术介绍
随着半导体封装产业的不断发展,在产品的性能、尺寸、成本可靠性等方面要求也不断提高,SOT是一种表面贴装的封装形式,一般引脚小于等于5个的小外形晶体管,比如大功率小型化贴片封装二极管就是其中一种产品,性能越高,尺寸越薄越小,成本越低也是趋势,但市场上的贴片封装二极管的整体厚度仍然较厚,引脚也要弯曲成型,成型过程中会产生应力,降低了产品的可靠性,有改进空间。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超薄型、高可靠性的集成电路S0T新型封装结构。本技术是这样实现的:集成电路S0T新型封装结构,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。其中,所述塑封体的厚度为1.2mm。其中,所述上料片、下料片为铜片。其中,所述引脚一和引脚二露出塑封体的部分还镀有锡层。其中,所述下料片上设有防止焊料溢出的防溢槽。其中,所述防溢槽的截面为V型,深度为0.1mm,宽度为0.3mm。本技术的有益效果为:所述集成电路S0T新型封装结构包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。由于采用直引脚不再对引脚进行弯曲处理,消除了该工序中对芯片产生的应力影响,提高产品可靠性,另外采用双料片结构,效率高,成本低,引脚一和引脚二与塑封体的下表面平行且平齐,可以大幅降低塑封体的厚度,可以减薄至1.2mm,引脚大面积外露,散热效果好,塑封体减薄后,散热效果也有所提高。附图说明图1是本技术所述集成电路S0T新型封装结构实施例的结构示意图;图2是本技术所述集成电路S0T新型封装结构实施例的剖面示意图。其中,1、塑封体;2、芯片;3、上料片;4、下料片;41、防溢槽;5、引脚一;6、引脚二。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。作为本技术所述集成电路S0T新型封装结构实施例,如图1和图2所示,包括塑封体1、芯片2、上料片3、下料片4、引脚一5和引脚二6,所述引脚一5与上料片3为一体结构,所述引脚二5与下料片4为一体结构,所述芯片2通过锡层焊接在上料片3和下料片4之间,所述引脚一5和引脚二6为直引脚且与塑封体1的下表面平行且平齐。所述集成电路S0T新型封装结构的塑封体1中的引脚一5和引脚二6为直引脚且与塑封体1的下表面平行且平齐。由于采用直引脚不再对引脚进行弯曲处理,消除了该工序中对芯片产生的应力影响,提高产品可靠性,另外采用双料片结构,效率高,成本低,引脚一5和引脚二6与塑封体1的下表面平行且平齐,可以大幅降低塑封体1的厚度,可以减薄至1.2mm,引脚大面积外露,散热效果好,塑封体1减薄后,散热效果也有所提高。在本实施例中,所述上料片3、下料片4为铜片,散热性能良好;所述引脚一5和引脚二6露出塑封体1的部分还镀有锡层,方便用户焊接到线路板上。在本实施例中,所述下料片4上设有防止焊料溢出的防溢槽41,可以避免因焊料外流,导致性能下降,可靠性降低,所述防溢槽41的截面为V型,尺寸越大效果越好,鉴于产品的尺寸,深度优选值为0.1mm,宽度优选值为0.3mm,就可以较好地防止焊料外流。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
集成电路S0T新型封装结构

【技术保护点】
集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。

【技术特征摘要】
1.集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,包括塑封体、芯片、上料片、下料片、引脚一和引脚二,所述引脚一与上料片为一体结构,所述引脚二与下料片为一体结构,所述芯片通过锡层焊接在上料片和下料片之间,所述引脚一和引脚二为直引脚且与塑封体的下表面平行且平齐。2.根据权利要求1所述的集成电路S0T新型封装结构,其特征在于,所述塑封体的厚度为1.2mm。3.根据权利要求1所述的集成电路S0T新...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈林郑天凤朱仕镇韩壮勇朱文锋吴富友刘志华刘群英朱海涛张团结王鹏飞曹丙平周贝贝
申请(专利权)人:深圳市三联盛科技股份有限公司
类型:新型
国别省市:广东,44

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