一种用于大功率器件的集成电路引线框架制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种用于大功率器件的集成电路引线框架
本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种用于大功率器件的集成电路引线框架。
技术介绍
随着半导体封装产业的不断发展，在产品的性能、尺寸、成本可靠性等方面要求也不断提高，当性能越高，尺寸越薄越小，成本越低，产品的可靠性就越难实现。为了实现良好的电性能和散热性能，很多产品仍然较多地使用引线框架为载体的封装形式，并采用半塑封的方式进行封装，这种类别的产品在性能、尺寸价格方面都有很好的优势，但塑封体与引线框架的热膨胀系数差很大，结合性差，在封装的后序工艺中去胶去纬、电镀等湿制程产生的水汽有机会侵入引线框架和塑封体的结合面，可靠性却遇到很大的挑战，湿度敏感等级低，容易产生分层，甚至拉脱焊线，形成电性失效。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高塑封体和引线框架的结合性、高可靠性的用于大功率器件的集成电路引线框架。本技术是这样实现的：一种用于大功率器件的集成电路引线框架，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，所述引线框单元包括芯片座和引脚，所述芯片座在塑封时背面裸露在外形成散热片，所述引线框单元上还设有凹坑。其中，所述凹坑的深度为0.3-0.8mm，直径为1-3mm。其中，所述芯片座和引脚上设有半腐蚀区。其中，所述芯片座上设有用于防止导电胶的过度溢出的阻胶槽。其中，所述阻胶槽截面为V型，深度为0.1mm，宽度为0.2-0.5mm。本技术的有益效果为：由于芯片座在塑封时背面裸露在外形成散热片，为了增加塑封体与引线框单元的结合力，不能简单地在引线框架单元上开孔或开槽，容易溢胶，增加塑封难度，在引线框单元上设置凹坑，凹坑的...
【技术保护点】
一种用于大功率器件的集成电路引线框架，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，其特征在于，所述引线框单元包括芯片座和引脚，所述芯片座在塑封时背面裸露在外形成散热片，所述引线框单元上还设有凹坑。
【技术特征摘要】
1.一种用于大功率器件的集成电路引线框架，包括多个引线框单元，所述引线框单元通过连接筋相互连接，其特征在于，所述引线框单元包括芯片座和引脚，所述芯片座在塑封时背面裸露在外形成散热片，所述引线框单元上还设有凹坑。2.根据权利要求1所述用于大功率器件的集成电路引线框架，其特征在于，所述凹坑的深度为0.3-0.8mm，直径为1-3mm。3.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈林，郑天凤，朱仕镇，韩壮勇，朱文锋，吴富友，刘志华，刘群英，朱海涛，张团结，王鹏飞，曹丙平，周贝贝，
申请(专利权)人：深圳市三联盛科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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