一种DFN2020‑6多芯片高密度框架制造技术

技术编号:16903088 阅读:96 留言:0更新日期:2017-12-28 14:53
本实用新型专利技术涉及一种半导体制造技术,具体涉及DFN2020‑6多芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部,在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区,3个芯片安置区的连线呈三角形,即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上;所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。该框架在每个芯片安装部上设置3个芯片安置区,且分别分布于三角形的三个角上,利于节省布置空间,并将其中一个芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构,能利用该半腐蚀结构和芯片安置区放置2个小芯片,这样整个芯片安装部上可以4个芯片,提高芯片布置率,节约生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2020-6多芯片高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术,特别是一种DFN2020-6多芯片高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用,如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看,半导体的重要性都是非常巨大的。在半导体的制造过程中,通常是将半导体集成到引线框架上,让引线框架作为集成电路的芯片载体,形成电气回路,起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为:DFN2020-6多芯(DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2020表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽2.0mm的正方形结构,6表示有6个引脚,多芯表示在单个芯片安装部内可安装多个芯片)。由于需要在每个芯片安装部布置更多的芯片,这就对单个芯片安装部的尺寸要求更高了,为了提高框架基体材料的利用率,需要对芯片安装部上芯片安置区及芯片安装部在框架上的布置形式进行研究,以达到较高的综合效益。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于:针对需要在单个芯片安装部内布置多个芯片安置区的框架,由于芯片安置区数量的增加使得芯片安装部的尺寸变大,进而在框架上布置的芯片安装部数量有限,材料利用率低、生产成本高的问题,提供一种DFN2020-6多芯片高密度框架,该框架在每个芯片安装部上设置3个芯片安置区,且分别分布于三角形的三个角上,利于节省布置空间,并将其中一个芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构,能利用该半腐蚀结构和芯片安置区放置2个小芯片,这样整个芯片安装部上可以4个芯片,提高芯片布置率,节约生产成本。为了实现上述目的,本技术采用的技术方案为:一种DFN2020-6多芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部,在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区,3个芯片安置区的连线呈三角形,即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上;3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位,另一为第一芯片安置区,所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片,所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。该框架在芯片安装部上设置3个芯片安置区,且分别分布于三角形的三个角上,利于节省布置空间;而三个芯片安置区中2个为大芯片安置位,另一个第一芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构,能利用该半腐蚀结构和第一芯片安置区放置2个小芯片,这样整个芯片安装部上可以4个芯片,提高芯片布置率,且能节约单个芯片安装部的尺寸,达到在相同框架尺寸上布置更多的芯片安装部的目的,提高框架材料利用率、节约生产成本。作为本技术的优选方案,所述芯片安装部为矩形结构,其中第一芯片安置区设置在靠近芯片安装部边缘的位置,在第一芯片安置区所在的芯片安装部的侧边处还设有2个引脚槽,在芯片安装部的另一相对侧边布置另外3个引脚槽。在芯片安装部的一个侧边上,第一芯片安置区同2个引脚槽组成一组,与另外3个引脚槽设置于芯片安装部的两个对称侧边,使得芯片安装部剩余的两边不用布置槽型结构,相邻的芯片安装部之间的距离可以缩小,利于提高芯片安装部的布置率。作为本技术的优选方案,所述第一芯片安置区内的两个小芯片分别引出1根引线,并焊接于离其最近的引脚槽内,而两个大芯片安置位内的芯片分别引出2根引线,靠近边缘的2根引线分别焊接于边侧的引脚槽内,中部的两根引线共同焊接于中部引脚槽内。将引线引入最近的引脚槽内焊接,避免交叉干扰。作为本技术的优选方案,相邻的芯片安装部之间为切割道,在切割道上间隔设有多个镂空通孔。在切割道上字镂空的通孔,便于芯片安装部的分离切割,并且能抵消一定的框架变形,增加整体框架的抗损坏能力。作为本技术的优选方案,所述框架的边框和布置芯片安装部的区域通过一圈边框孔分隔开,所述边框孔为间隔设置的矩形通孔。在框架的边框和布置芯片安装部的区域通过边框孔隔开,便于边框的分离操作,提高分离操作效率。作为本技术的优选方案,在边框孔的中部设有中部连筋,所述中部连筋为半腐蚀结构。采用中部连筋进行加强的边框孔,保证可靠性;而将中部连筋设置成半腐蚀结构,也不增加分隔的难度。作为本技术的优选方案,所述框架上设有单元分隔槽,所述单元分隔槽设置在框架中部,将框架均分为2个芯片安装单元。框架本身提高利用率,降低成本,将传统的每条框架不止4个芯片安装单元优化为每条2个的设计,每条框架上相同的面积上可以有更多的芯片安装单元,提高材料利用率、降低框架的成本。作为本技术的优选方案,所述框架长度为250±0.1mm,宽度为70±0.05mm,在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。框架有2个芯片安装单元,每个芯片安装单元设置27排、52列芯片安装部,即在整个框架上布置2808芯片安装部,在安装芯片方面,可根据需要在每个芯片安装部内布置1个、2个、3个或4个芯片,使得框架利用率更高。综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:1、该框架在每个芯片安装部上设置3个芯片安置区,且分别分布于三角形的三个角上,利于节省布置空间,并将其中一个芯片安置区的槽型边框周围设置成半腐蚀结构,能利用该半腐蚀结构和芯片安置区放置2个小芯片,这样整个芯片安装部上可以4个芯片,提高芯片布置率,节约生产成本;2、在芯片安装部的一个侧边上,第一芯片安置区同2个引脚槽组成一组,与另外3个引脚槽设置于芯片安装部的两个对称侧边,使得芯片安装部剩余的两边不用布置槽型结构,相邻的芯片安装部之间的距离可以缩小,利于提高芯片安装部的布置率;3、在切割道上字镂空的通孔,便于芯片安装部的分离切割,并且能抵消一定的框架变形,增加整体框架的抗损坏能力;而在框架的边框和布置芯片安装部的区域通过边框孔隔开,便于边框的分离操作,提高分离操作效率;4、框架有2个芯片安装单元,每个芯片安装单元设置27排、52列芯片安装部,即在整个框架上布置2808芯片安装部,在安装芯片方面,可根据需要在每个芯片安装部内布置1个、2个、3个或4个芯片,使得框架利用率更高。附图说明图1是本技术DFN2020-6多芯片高密度框架的结构示意图。图2为图1中靠近边框的多个芯片安装部在框架上的分布图。图3为单个芯片安装部的结构示意图。图4为实施例中芯片安装后的引线分布示意图。图中标记:1-框架,101-芯片安装单元,2-单元分隔槽,3-芯片安装部,301-引脚槽,302-第一芯片布置区,303-右芯片布置区,304-左芯片布置区,4-切割道,401-镂空通孔,5-边框孔,501-中部连筋,6-大芯片,7-小芯片,8-引线。具体实施方式下面结合附图,对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示,本实施例的DFN2020-6多芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架1,在框架1上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部3,在每个芯片安装部3上设有3个芯片安置区,3个芯片安置区的连线呈三角形,即3个芯片安置区分别位于三本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种DFN2020‑6多芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部,在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区,3个芯片安置区的连线呈三角形,即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上;3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位,另一为第一芯片安置区,所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片,所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2020-6多芯片高密度框架,包括板状结构的矩形框架,其特征在于,在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部,在每个芯片安装部上设有3个芯片安置区,3个芯片安置区的连线呈三角形,即3个芯片安置区分别位于三角形的三个角上;3个芯片安置区中其中2个为安置大芯片的大芯片安置位,另一为第一芯片安置区,所述第一芯片安置区用于放置2个小芯片,所述第一芯片安置区槽型边框周围的区域为半腐蚀结构。2.根据权利要求1所述的DFN2020-6多芯片高密度框架,其特征在于,所述芯片安装部为矩形结构,其中第一芯片安置区设置在靠近芯片安装部边缘的位置,在第一芯片安置区所在的芯片安装部的侧边处还设有2个引脚槽,在芯片安装部的另一相对侧边布置另外3个引脚槽。3.根据权利要求2所述的DFN2020-6多芯片高密度框架,其特征在于,所述第一芯片安置区内的两个小芯片分别引出1根引线,并焊接于离其最近的引脚槽内,而两个大芯片安置位内的芯片分别引出2根引线...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗天秀樊增勇崔金忠李东许兵李宁李超
申请(专利权)人:成都先进功率半导体股份有限公司
类型:新型
国别省市:四川,51

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