一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构及其加工方法技术

本发明专利技术涉及一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构，包括陶瓷整板，所述陶瓷整板上包括多个石英晶体基座，所述石英晶体基座的正面设有环形金属化涂层，环内设有点胶平台A及B和支撑平台，背面设有四个电极，所述基座上开通有第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔；采用两层陶瓷基板，相邻四个所述石英晶体基座交汇点处设有贯通孔，下部贯通孔的内壁设有金属涂层；所述陶瓷整板正面及背面均设有裂板线，所述裂板线呈矩阵排列，并穿过所述贯通孔的圆心；还涉及一种上述陶瓷整板的加工方法，包括冲孔、划裂板线、金属化孔等步骤，采用上述加工方法加工出的单个谐振器的表面效果较好，生产效率较高。

A whole plate SMD quartz crystal resonator substrate structure and its processing method

The invention relates to a whole plate of SMD quartz crystal resonator structure comprises a ceramic substrate, the whole board, the entire ceramic plate includes a plurality of quartz crystal base, the front side of the quartz crystal base is provided with an annular metal coating ring is internally provided with a dispensing platform A and B and the support platform, the back surface is provided with a four electrode. The base has opened the first through holes, second holes, third holes and fourth holes; the two layer ceramic substrate, and four adjacent the quartz crystal base junction is provided with a through hole, the lower part of the through hole is arranged on the internal wall of the metal coating; the whole ceramic plate are equipped with front and back crack in line, the line plate arranged in a matrix, and passes through the through hole of the center; processing method also relates to the whole ceramic plate, including punching, scratching plate line, hole metallization steps, using the above processing The surface effect of the single resonator processed by the method is better, and the production efficiency is high.

【技术实现步骤摘要】
一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构及其加工方法
本专利技术涉及一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构及其加工方法，属于谐振器结构

技术介绍
SMD石英晶体谐振器是常用的电子器件，随着数字化技术的发展其用量日益增大。但目前SMD石英晶体谐振器从器件结构本身和加工工艺方面均存在着在提高加工效率和加工质量的方面的技术障碍。传统的单颗谐振器加工步骤为：1、按石英晶体谐振器陶瓷基板生产工艺完成陶瓷整板的加工，再进行分割挑选，形成单颗SMD石英晶体谐振器陶瓷基座；2、晶片经清洗、镀膜、点胶固定在基座内，形成单颗SMD石英晶体谐振件；3、加工单颗金属片(陶瓷片)，盖在谐振件上密封，形成单颗SMD石英晶体谐振器。上述生产工艺步骤1中完成的陶瓷整板的加工如图9-11所示，陶瓷整板上设有若干个矩阵排列的石英晶体基座，各基座间相连接，相邻各基座连接的顶角处设有贯通孔17，所述贯通孔17内壁设有金属涂层10，所述基座的正面上设有金属环或环形金属化涂层，环内左侧设有点胶平台A12和B13，右侧设有支撑平台，所述基座的背面设有四个电极，分别为第一电极5、第二电极6、第三电极7及第四电极8，所述基座上还设有第二通孔2和第四通孔4，所述第二电极6和第四电极8分别通过第二通孔2和第四通孔4与环形金属化涂层导通连接，所述第一电极5和第三电极7通过贯通孔内的金属涂层10与点胶平台B13和A12导通连接；若将上述单颗生产工艺步骤1中生产的陶瓷整板用于整板加工工艺中时，在后续切断相邻基座电极间的导通连接后，如图11中切割线21所示，致使第一电极和第三电极不能与点胶平台B和A导通连接，无法实现刻蚀微调。由于传统SMD石英晶体谐振器一般采用单颗制作，其生产效率极低，专利技术专利申请号为201510746226，专利技术名称为一种新型SMD石英晶体谐振器及其整板封装工艺中公开使用陶瓷整板作为基板的一种加工方法，解决生产效率低的问题，陶瓷整板上设有若干个矩阵排列的石英晶体基座，各基座间相连接，相邻各基座连接的顶角处设有贯通孔17，所述基座背面设有四个电极，相邻基座间的电极通过电极连线19相互连接，如图1-2所示。首先，在各基座上加工石英晶体谐振件，然后与整板盖板激光封焊，形成整板石英晶体谐振器，最后整板裂片形成单个谐振器。裂片原理为：在陶瓷整板烧结之前，利用切刀划切陶瓷整板的正面，在烧结之后，陶瓷整板的正面形成裂板线；在陶瓷整板背面没有裂板线，在加工完成整板谐振器后再利用激光切割陶瓷板背面。由于烧结后正面的裂板线会发生微变形，所以陶瓷板背面的激光切割线无论定位精度多高，都难以和陶瓷板正面的裂板线18对齐，导致裂片形成的单个谐振器的边缘易出现毛刺、斜边、损伤等问题。若在陶瓷整板烧结之前，利用上下严格对齐的切刀同时对陶瓷整板的底面和正面进行划切，形成两道对称的裂板线，由于裂板线断开各基座间的电极连线连接，后期加工石英晶体谐振件无法实现电镀。若在完成石英晶体谐振件的加工后，再切割正背面裂板线，则由于陶瓷整板已经烧结完成，硬度很大，不能使用普通的切刀切槽，必须使用激光画线，激光画线难以保证上下两面的对称性，依然存在裂片后的谐振器出现毛刺、斜边、损伤等问题。
技术实现思路
本专利技术针对上述现有技术中存在的不足，提供一种表面光滑、生产效率高的整板SMD石英晶体谐振器基板结构。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构，包括陶瓷整板，所述陶瓷整板上包括呈矩阵排列的多个石英晶体基座，每个所述石英晶体基座的正面设有环形金属化涂层，环内左侧设有用于晶片点胶的点胶平台A及B,环内右侧设有用于支撑晶片的支撑平台，背面设有四个电极，所述环形金属化涂层、点胶平台A及B以及四个电极之间导通连接，所述基座上开通有灌注导电材料的通孔，所述通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，四个所述电极分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述环形金属化涂层通过第二通孔、第四通孔灌注的导电材料分别与对角设置的第二电极和第四电极导通连接；所述陶瓷整板包括上层陶瓷基板和下层陶瓷基板，相邻四个所述石英晶体基座交汇点处设有贯通孔，所述贯通孔包括设置在上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔，所述下部贯通孔的内壁设有金属涂层，相邻基座间的电极通过金属线及贯通孔内壁的金属涂层导通连接；所述上层陶瓷基板及下层陶瓷基板上均设有裂板线，所述裂板线呈矩阵排列，并穿过所述贯通孔的圆心。SMD石英晶体谐振器基板结构的有益效果是：该陶瓷整板，直接用于谐振器生产过程，不需要单颗移载在工装上，占用空间小，生产效率高，生产成本低，陶瓷整板的正面及背面均设有裂板线，在背面划裂板线后，由于贯通孔内壁上的金属涂层不能完全去除，各基座间的电极依然能够通过金属线及贯通孔内壁上的金属涂层导通连接，在最后裂板形成单个谐振器之前，需要先切断连接电极与金属涂层的金属线，切断之后，第一电极和第三电极通过第一通孔和第三通孔依然能够与点胶平台导通，第二电极及第四电极通过第二通孔及第四通孔与所述环形金属化涂层导通，裂板后形成的单个谐振器依然可以微调刻蚀，这样整板谐振器加工工艺中，陶瓷基板两面可同时划裂板线，两面均划切裂板线便于后续的裂板工艺，裂板后形成的单个谐振器表面效果好。进一步，所述裂板线的深度小于下层陶瓷基板厚度的一半。进一步，所述点胶平台A、点胶平台B分别通过第三通孔、第一通孔灌注的导电材料与对角设置的第一电极、第三电极导通连接。进一步，所述点胶平台A通过金属连线连接至所述第三通孔。进一步，所述陶瓷基板采用氧化铝材料。进一步，所述点胶平台A及B、金属连线及电极均采用金属钨。本专利技术还涉及一种上述整板SMD石英晶体谐振器基板结构的加工方法，技术方案如下：一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构的加工方法，1)、制备或提供陶瓷基板，采用两层陶瓷基板，分别为上层陶瓷基板和下层陶瓷基板；2)、冲孔，在陶瓷基板上冲通孔和贯通孔，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板上分别冲呈矩阵排列的贯通孔，形成若干个呈矩阵排列的石英晶体基座，所述贯通孔包括设置上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔；3)、对下部贯通孔进行金属化处理，使其内壁附着金属涂层，上部贯通孔的内壁没有金属涂层；4)、金属化印刷，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板进行金属化印刷，包括环形金属化涂层、电极、点胶平台A及B的金属层和支撑平台的印刷，使电极与点胶平台A及B及环形金属化涂层之间导通连接；5)、压层，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板之间印刷接着剂，使上层陶瓷基板和下层陶瓷基板叠压在一起，形成陶瓷整板；6)、划裂板线，在陶瓷整板的正面和背面均切割呈矩阵排列的裂板线，所述裂板线通过贯通孔的圆心；7)烧结陶瓷整板；8)在第二层金属层上电镀镍层和金层，在第二层金属钨上电镀镍，然后电镀金。本专利技术中加工方法的有益效果是：生产过程直接采用陶瓷整板传递，不需要单颗移载在工装上，占用空间小，生产效率较高，陶瓷整板的正面和背面均设有裂板线，在背面划裂板线后，由于贯通孔内壁上的金属涂层不能完全去除，各基座间的电极依然能够通过金属线及贯通孔内壁上的金属涂层导通连接，解决了整板谐振器加工工艺中，不能在陶瓷基板两面同时划裂板线的问题，两面均划切裂板线便本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构，包括陶瓷整板，所述陶瓷整板上包括呈矩阵排列的多个石英晶体基座，每个所述石英晶体基座的正面设有环形金属化涂层，环内左侧设有用于晶片点胶的点胶平台A及B,环内右侧设有用于支撑晶片的支撑平台，基座背面设有四个电极，所述环形金属化涂层、点胶平台A及B以及四个电极之间导通连接，其特征在于：所述基座上开通有灌注导电材料的通孔，所述通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，四个所述电极分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述环形金属化涂层通过第二通孔、第四通孔灌注的导电材料分别与对角设置的第二电极和第四电极导通连接；所述陶瓷整板包括上层陶瓷基板和下层陶瓷基板，相邻四个所述石英晶体基座交汇点处设有贯通孔，所述贯通孔包括设置在上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔，所述下部贯通孔的内壁设有金属涂层，相邻基座间的电极通过金属线及贯通孔内壁的金属涂层导通连接；所述上层陶瓷基板及下层陶瓷基板上均设有裂板线，所述裂板线呈矩阵排列，并穿过所述贯通孔的圆心。

【技术特征摘要】
1.一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构，包括陶瓷整板，所述陶瓷整板上包括呈矩阵排列的多个石英晶体基座，每个所述石英晶体基座的正面设有环形金属化涂层，环内左侧设有用于晶片点胶的点胶平台A及B,环内右侧设有用于支撑晶片的支撑平台，基座背面设有四个电极，所述环形金属化涂层、点胶平台A及B以及四个电极之间导通连接，其特征在于：所述基座上开通有灌注导电材料的通孔，所述通孔包括第一通孔、第二通孔、第三通孔和第四通孔，四个所述电极分别为第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述环形金属化涂层通过第二通孔、第四通孔灌注的导电材料分别与对角设置的第二电极和第四电极导通连接；所述陶瓷整板包括上层陶瓷基板和下层陶瓷基板，相邻四个所述石英晶体基座交汇点处设有贯通孔，所述贯通孔包括设置在上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔，所述下部贯通孔的内壁设有金属涂层，相邻基座间的电极通过金属线及贯通孔内壁的金属涂层导通连接；所述上层陶瓷基板及下层陶瓷基板上均设有裂板线，所述裂板线呈矩阵排列，并穿过所述贯通孔的圆心。2.根据权利要求1所述的整板SMD石英晶体谐振器基板结构，其特征在于，所述点胶平台A、点胶平台B分别通过第三通孔、第一通孔灌注的导电材料与对角设置的第一电极、第三电极导通连接。3.根据权利要求2所述的整板SMD石英晶体谐振器基板结构，其特征在于，所述点胶平台A通过金属连线连接至所述第三通孔。4.一种整板SMD石英晶体谐振器基板结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、制备或提供陶瓷基板，采用两层陶瓷基板，分别为上层陶瓷基板和下层陶瓷基板；2)、冲孔，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板上冲通孔和贯通孔，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板上分别冲呈矩阵排列的贯通孔，所述贯通孔包括设置上层陶瓷基板上的上部贯通孔和设置在下层陶瓷基板上的下部贯通孔；3)、对下部贯通孔进行金属化处理，使其内壁附着金属涂层；4)、金属化印刷，在上层陶瓷基板和下层陶瓷基板进行金属化...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄屹，李斌，
申请(专利权)人：烟台明德亨电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37