The invention is a small size and high reliability QFN (square flat, pin less) type packaging interlayer interconnection structure and manufacturing method. The structure includes small hole side connection area, bonding area, heat sink and chip welding area and sealing frame. The manufacturing method comprises the steps of: a) 0.5mm pitch hole punching; b) 0.5mm graphics and 0.3mm fine pitch pitch diameter holes side metal printing; c) 0.3mm diameter holes without deformation of laminated and sintered; d) 0.3mm diameter hole welding ceramic interconnect; E) 0.3mm diameter hole interconnect products electroplating. Advantages: the structure of high strength, good chemical stability, excellent performance, high temperature electric wiring high density sintering technology based on ceramic package using 0.5mm pitch side holes of metal printing to achieve terminations and bonding area interconnection, solve the housing tightness, small deformation and pile of solder, plating liquid is difficult to enter the pores and other issues.
【技术实现步骤摘要】
小尺寸方形扁平无引脚型封装层间互连结构及制造方法
本专利技术涉及的是一种小尺寸高可靠QFN(方形扁平无引脚)型封装层间互连结构及制造方法。属于半导体制造
技术介绍
随着通信、航空航天、汽车和电子消费品等所采用的电子设备不断向小型化、数字化方向的发展,对电子元器件高可靠性要求越来越强,越来越多的应用要求将数字电路、模拟电路、光电等集成到同一器件上,封装电路内部走线密度大增,承担微波、电传输通道作用的引出端节距从1.0mm、0.8mm降低到0.5mm,甚至更小。CQFN型陶瓷封装外壳比塑封外壳具有结构强度高、化学稳定性好、电绝缘性能高,导热性能优良,可靠性高,已成为表面贴装薄型封装的首选,备受国内外高可靠器件应用的青睐。通孔填充工艺常用于多层共烧陶瓷工艺用于层间互连,由于氧化铝陶瓷的热膨胀系数在6.9×10-6K-1,金属钨的热膨胀系数在4.45×10-6K-1,热膨胀系数的而差异导致通孔填充难以满足间距为0.5mm的产品气密性要求,用陶瓷小孔金属化可以实现小尺寸,窄间距产品的上下层电连接,但存在金属化不到底致断路、叠层成型过程小孔变形、小孔易被焊接过程的焊料堆积、镀液难以进入小孔致电性能和耐盐雾性能降低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种小尺寸方形扁平无引脚型封装层间互连结构及制造方法,旨在解决现有技术中所存在的上述不足。本专利技术的技术解决方案:一种小尺寸高可靠方形扁平无引脚(QFN)型封装层间互连结构,其结构包括封接框1、小孔侧面互连区2、键合区3、热沉4和芯片焊接区5,其中小孔侧面互连区2、键合区3、热沉4和芯片焊接区5设在封接框1内,封 ...
【技术保护点】
一种小尺寸高可靠QFN型封装层间互连结构,其特征是包括封接框、小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区,其中小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区设在封接框内,封接框内左侧是小孔侧面互连区,封接框内右侧是芯片焊接区,芯片焊接区底接热沉,热沉接键合区。
【技术特征摘要】
1.一种小尺寸高可靠QFN型封装层间互连结构,其特征是包括封接框、小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区,其中小孔侧面互连区、键合区、热沉和芯片焊接区设在封接框内,封接框内左侧是小孔侧面互连区,封接框内右侧是芯片焊接区,芯片焊接区底接热沉,热沉接键合区。2.如权利要求1所述的一种小尺寸高可靠QFN型封装层间互连结构的制造方法,其特征在于,包括以下工艺步骤:a)0.5mm节距小孔冲制;b)0.5mm节距细间距图形及0.3mm直径小孔侧面金属化印刷;c)0.3mm直径小孔无变形叠层及烧结成型;d)0.3mm直径互连小孔陶瓷件焊接;e)0.3mm直径互连小孔产品电镀。3.根据权利要求2所述的所述的一种小尺寸高可靠QFN型封装层间互连结构的制造方法,其特征在于,所述的0.5mm节距细间距图形及0.3mm直径小孔侧面金属化印刷,通过控制浆料粘度在50~700KCP,在低转速下,粘度较高,当受刮刀剪切作用时,粘度下降;选用丝径12~32μm,开口率40~70%,厚度30~100μm的丝网和掩膜片;将印刷速度、离网间距和刮刀高度等印刷参数设置在1~...
【专利技术属性】
技术研发人员:莫仲,龚锦林,唐利峰,陈寰贝,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十五研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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