一种DFN2018‑6高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种DFN2018‑6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大，使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接，无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽，减少引脚槽数量，进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽，使芯片安装部之间的距离缩小，增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2018-6高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN2018-6高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，让引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为DFN2018-6（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2018表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽1.8mm，6表示有6个引脚），由于该类芯片安装部的引脚数量较多，需在芯片安装部周围多个方向布置引脚槽，使得芯片与芯片之间的距离增加，降低了框架基体材料的利用率、增加生产成本。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对现有DFN2018-6封装形式的框架的芯片安装部的引脚数量较多，需要在芯片安装部周围多方位布置引脚槽，造成框架上芯片与芯片之间的距离增加，框架基体材料利用率不高的问题，提供一种DFN2018-6高密度框架，该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大，使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接，无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽，减少引脚槽数量，进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽，使芯片安装部之间的距离缩小，增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种DFN2018-6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。该框架在芯片安装部上设置的引脚槽，通过将其靠近芯片安装位置的槽宽度增大，使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接，无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽，减少引脚槽数量，进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽，使芯片安装部之间的距离缩小，增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本。作为本技术的优选方案，所述芯片安装部包括芯片支撑区和芯片散热区，在芯片支撑区两侧对称设有两个芯片散热区，所述芯片支撑区为半腐蚀结构。在芯片支撑区两侧设置芯片散热区，增加芯片散热性，保证产品生产质量，而将芯片支撑区设置为半腐蚀结构，增加芯片与框架的结合性。作为本技术的优选方案，所有芯片安装部的长边与框架的长边或短边平行布置，所有引脚槽均设置于芯片安装部的一侧并延伸至边缘，芯片安装部的另一对称侧设有与切割道连通的连通槽。芯片安装部上与引脚槽对称侧设置与切割道连通的连通槽，便于芯片安装部的切割操作，减少切割时刀片对芯片产品的损伤。作为本技术的优选方案，在芯片安装部之间为切割部，所述切割部为横竖交错的切割道连筋，所述切割道连筋的宽度为0.1±0.05mm。相对于现有的连筋宽度减小，进一步提高材料利用率；同时切割道连筋宽度尺寸减小，使刀片切割时产生的热量更少,产生更少的热应力,避免相邻的产品管脚的金属和塑封料之间产生分层,增强产品的潮湿敏感性和提高产品的可靠性。作为本技术的优选方案，所述切割道连筋为半腐蚀结构。切割道连筋设成半腐蚀结构，即将切割道连筋的厚度削薄，进一步减小切割难度。作为本技术的优选方案，在芯片安装部周围的四个角上还设有十字连筋，用于连接横竖交错设置的切割道连筋。采用十字连筋连接横竖交错位置的切割道连筋，便于连接操作，提高分割操作效率和分割准确性，保证产品质量。作为本技术的优选方案，所述框架的边框部分的开孔处增加半腐蚀设计。以增加塑封料和框架之间的结合力，使得在切割分离时更容易去除边框，边框上的残余塑封料也不会调入产品内,避免对后续工序产生不良影响。作为本技术的优选方案，所述边框上也设有半腐蚀结构，为在边框面上设置的多个工字型半腐蚀区，多个所述工字型半腐蚀区在边框上间隔设置。工字型半腐区的设置，减小了边框厚度，便于切割分离，同时也不影响框架的强度。作为本技术的优选方案，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。框架本身提高利用率,降低成本，将传统的每条框架不止4个芯片安装单元优化为每条2个的设计,每条框架上相同的面积上可以有更多的芯片安装单元，提高材料利用率、降低框架的成本。作为本技术的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、58列芯片安装部。框架有2个芯片安装单元，每个芯片安装单元设置27排、58列芯片安装部，即在整个框架上布置3132芯片安装部，比现有的框架利用率更高。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1、该框架将靠近芯片安装位置的引脚槽槽宽增大，使单个引脚槽可容纳2根引脚线的焊接，无需在芯片安装部周围设置6个引脚槽，减少引脚槽数量，进而可以在芯片安装部一个方向上布置完所有的引脚槽，使芯片安装部之间的距离缩小，增加芯片布置数量、提高材料利用率和节约成本；2、芯片安装部上与引脚槽对称侧设置与切割道连通的连通槽，便于芯片安装部的切割操作，减少切割时刀片对芯片产品的损伤；3、相对于现有的连筋宽度减小，进一步提高材料利用率；同时切割道连筋宽度尺寸减小，使刀片切割时产生的热量更少,产生更少的热应力,避免相邻的产品管脚的金属和塑封料之间产生分层,增强产品的潮湿敏感性和提高产品的可靠性；而将切割道连筋设成半腐蚀结构，即将切割道连筋的厚度削薄，进一步减小切割难度；4、在框架的边框部分的开孔处增加半腐蚀设计，以增加塑封料和框架之间的结合力，使得在切割分离时更容易去除边框，边框上的残余塑封料也不会调入产品内,避免对后续工序产生不良影响；边框上工字型半腐区的设置，减小了边框厚度，便于切割分离，同时也不影响框架的强度；5、将框架分隔为2个芯片安装单元，每个芯片安装单元设置27排、58列芯片安装部，即在整个框架上布置3132芯片安装部，比现有的框架利用率更高。附图说明图1是本技术DFN2018-6高密度框架的结构示意图。图2为图1中靠近边框的多个芯片安装部在框架上的分布图。图3单个芯片安装部的结构示意图。图4图3中A-A视图。图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，102-边框，1021-工字型半腐蚀区，2-单元分隔槽，3-芯片安装部，301-芯片第一散热区，302-连通槽，303-芯片支撑区，304-芯片第二散热区，305-引脚槽，4-切割部，401-切割道连筋，402-十字连筋。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示，本实施例的DFN2018-6高密度框架，包括板状结构的矩形框架1，在框架1上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部3，每个芯片安本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN2018‑6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2018‑6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2018-6高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2018-6封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部设有4个引脚槽，所有引脚槽均延伸至芯片安装部边缘，每个所述引脚槽靠近芯片安装位置的槽宽相对于另一侧更大，且靠近芯片安装位置的引脚槽周围设置成半腐蚀结构，使每个引脚槽能安装2根引脚。2.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部包括芯片支撑区和芯片散热区，在芯片支撑区两侧对称设有两个芯片散热区，所述芯片支撑区为半腐蚀结构。3.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，所有芯片安装部的长边与框架的长边或短边平行布置，所有引脚槽均设置于芯片安装部的一侧并延伸至边缘，芯片安装部的另一对称侧设有与切割道连通的连通槽。4.根据权利要求1所述的DFN2018-6高密度框架，其特征在于，在芯片安装部之间为切割部，所述切割部为横竖交错的切割道连筋，所述切割道连筋的宽度为0.1±0....

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，崔金忠，李东，许兵，李宁，李超，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51