导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极技术

本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极和电子装置。

Conducting structures, their manufacturing methods, and electrodes including conductive structures

The specification relates to a conductive structure, a manufacturing method, and an electrode and an electronic device including the conductive structure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电结构体、其制造方法以及包括导电结构体的电极
本申请要求于2015年3月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0043565和于2016年2月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0019151的优先权和权益，这两项申请的全部内容通过引用并入本文中。本说明书涉及一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极。
技术介绍
通常，液晶显示器是根据图像信息分别将数据信号提供至排列为矩阵形式的像素，并且调节像素的透光率以显示所需图像的显示器。因此，在液晶显示器中，设置有像素被排列为矩阵形式的液晶面板，以及用于驱动像素的驱动器。同时，液晶显示器是近来已经在多媒体社会中使用的最重要的显示器，并且已经广泛地用于便携式电话、电脑显示器、笔记本电脑和电视机。液晶显示器有TN模式，其中，具有扭曲向列液晶的液晶层设置在两个正交偏振片之间，然后在垂直于基板的方向上施加电场。在TN模式中，在显示黑色时，由于液晶在与基板垂直的方向上取向，因此，在倾斜角中，发生由液晶分子引起的双折射，并且发生漏光。为了解决TN模式中的视角问题，引入共面转换(in-planeswitching)(IPS)模式，其中，在一个基板上形成两个电极并且由这两个电极之间产生的横向电场来调节液晶的指向矢(director)。换言之，IPS模式被称为共面转换液晶显示器或横向电场液晶显示器，电极设置在配置有液晶的单元的相同平面中，然后，液晶不沿垂直方向而取向，而是沿平行于电极的侧表面而取向。然而，在IPS模式的情况下，存在由于像素电极和公用电极的高反射率而难以表现出较高的图像质量的问题。
技术实现思路
技术问题本说明书旨在提供一种导电结构体、其制造方法以及包括所述导电结构体的电极。技术方案本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。本说明书的另一示例性实施方案提供一种所述导电结构体的制造方法，该制造方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。本说明书的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电极。本说明书的再一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。有益效果本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。本说明书的另一示例性实施方案提供一种所述导电结构体的制造方法，该制造方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。本说明书的又一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电极。本说明书的再一示例性实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子装置。附图说明图1至图3示出了根据本说明书的一个示例性实施方案的导电结构体的层压结构；图4示出了当对根据本说明书的示例性实施方案的导电结构体进行图案化时的层压结构；图5是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，实施例4中的导电结构体的总反射率的图；图6是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，实施例5中的导电结构体的总反射率的图；图7是示出作为本说明书的一个示例性实施方案，比较例3中的导电结构体的总反射率的图。<附图标记说明>100：基板200：金属层210：金属图案层300：减光反射层310：减光反射图案层具体实施方式在本说明书中，应当理解的是，当一个构件被称为在另一构件“之上”时，它可以直接地在另一构件之上，或者也可以存在中间构件。在整个说明书中，除非另外明确说明，否则词语“包括”应当理解为包括所描述的元件，但是不排除任意其它元件。在本说明书中，显示装置统指TV、电脑显示器等，并且包括形成图像的显示元件和支撑该显示元件的壳体。作为显示元件，可以例示等离子显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。在显示元件中，可以设置用于显示图像的RGB像素图案和附加滤光器。同时，关于显示装置，随着智能手机、平板PC、IPTV等的普及的加速，对在没有单独的输入设备(如键盘或遥控器)的情况下将人手变为直接输入设备的触摸功能的需求逐渐增加。此外，已经需要能够书写的多点触摸功能和特定点识别。目前，大多数商业化的触摸屏面板(TSP)以透明导电ITO薄膜为基础，但是在应用大面积触摸屏面板时，存在如下问题：由于由ITO透明电极本身相对较高的表面电阻(最小为150Ω/□，由NittoDenkoCorporation制造的ELECRYSTA产品)引起的RC延迟，使得触摸识别速度降低，需要引入用于克服这种问题的附加补偿芯片。本专利技术人研究了用金属精细图案替代透明ITO薄膜的技术。结果，本专利技术人发现，在使用具有较高导电性的金属薄膜作为触摸屏面板使用的电极的情况下，当得到具有特定形状的精细电极图案时，在可视性方面，由于较高的反射率，会产生图案被人眼很好地观察到并且会出现由于对外部光的较高的反射率而引起的眩光、雾度值等问题。此外，在制造过程中，本专利技术人发现，在许多情况下，目标值昂贵或者过程复杂。另外，在使用金属细线作为透明电极的情况下，最大的问题会是反射的颜色。由于金属的独特光泽，会产生诸如由外部光源引起的眩目的可视性问题，因此，需要在金属表面上形成能够减少反射的附加层。此外，由于以预定的线宽和间距制备的金属细线具有光被传递至大部分区域同时具有较低的电阻的特性，因此，金属细线已经作为下一代透明电极和触摸传感器而被积极地研究。因此，本说明书提供一种导电结构体，该导电结构体可以与使用常规ITO类透明导电薄膜层的触摸屏面板不同，并且应用于具有改善的金属精细图案电极的遮蔽性(concealment)以及对外部光的反射和衍射特性的触摸屏面板。另外，在常规显示装置中，为了防止光的反射、漏光现象等，已经应用黑色矩阵。作为黑色矩阵，可以使用氧化铬、聚合物树脂等，并且由于环境问题，氧化铬趋于减少。近来，引入了滤色器和薄膜晶体管一起形成在阵列基板上的TFT阵列上的滤色器(COT或COA)结构，因此，已经开发出不使用上述黑色矩阵的结构。通过引入不使用黑色矩阵的结构，可以得到诸如显示装置的透光率改善、亮度改善、背光效率改善等的效果。然而，在不使用黑色矩阵的结构的情况下，显示装置中包括的金属电极会暴露的区域增加，因此存在由金属电极的颜色和反射性能引起的问题。特别地，近来，由于显示装置已经大尺寸化并且分辨率提高，因此，已经需要能够降低由上述显示装置中包括的金属电极而引起的反射和颜色性能的技术。因此，本申请提供一种技术，该技术能够在用其它材料、结构等替代黑色矩阵或者不使用黑色矩阵的结构中降低显示装置中会包括的金属电极的反射率，并且中和地减轻颜色性能。同时，本专利技术人发现，当金属层上形成有包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物的减光反射层时，在用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.27 KR 10-2015-0043565;2016.02.18 KR 10-2011.一种导电结构体，包括：基板；设置在所述基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一个表面上的减光反射层，其中，所述减光反射层包含Mo和Ti的氧化物或者Mo和Ti的氮氧化物。2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层包含MoTiaOxNy，0<a≤2，0<x≤3，0≤y≤2，x+y>0，a、x和y分别指Ti、O和N的原子数的比例。3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的O和N的元素含量满足下面的式1，并且所述减光反射层的O的元素含量为20原子％以上且为60原子％以下：[式1]4.根据权利要求3所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的Mo的元素含量为25原子％以上且为40原子％以下。5.根据权利要求3所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的Ti的元素含量为10原子％以上且为25原子％以下。6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层设置在所述金属层和所述基板之间，在所述基板的与所述减光反射层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35％以下。7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述基板、所述金属层和所述减光反射层被顺序地设置，在所述减光反射层的与所述金属层接触的表面的相对表面方向上测量的总反射率为35％以下。8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层设置在所述金属层的上表面和下表面上。9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层包含Cu、Ag、Ar、Cr、Co、Al、Mo、Ti、Fe、V、Ni和它们的合金中的一种或多种金属。10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述减光反射层的厚度为10nm以上且为400nm以下。11.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一翻，李承宪，章盛晧，吴东炫，黄智泳，金起焕，徐汉珉，朴赞亨，朴宣赢，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR