【技术实现步骤摘要】
带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路
本技术涉及到高功率恒流LED驱动电路,具体地说涉及到一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路。
技术介绍
随着国家对节能环保的重视与提倡,LED半导体行业发展的如火如荼,随之也出现了各种各样的LED驱动电路,目前市面上的驱动电流最大仅能达到1A,无法满足大功率、大电流的LED驱动要求,且电路结构复杂,输出电流受外部干扰大、易波动,降低了LED的发光效率及使用寿命。
技术实现思路
本技术在于提供一种可用于各种车辆车内照明的带迟滞PFET控制的恒流LED驱动电路。为了实现上述目的,本技术是通过下述技术方案实现的:一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接,且P沟道MOS管的漏极分别与瞬变电压抑制二极管的负极、滤波电感的一端连接,所述的瞬变电压抑制二极管的正极接地,所述的滤波电感的另一端设有纹波抑制电容,且滤波电感与纹波抑制电容的 ...
【技术保护点】
一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,其特征在于:所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接,且P沟道MOS管的漏极分别与瞬变电压抑制二极管的负极、滤波电感的一端连接,所述的瞬变电压抑制二极管的正极接地,所述的滤波电感的另一端设有纹波抑制电容,且滤波电感与纹波抑制电容的正极、负载的正极连接,所述的纹波抑制电容的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS及外部采样电阻的一端连接,所述外部采样电阻的另一端接地。
【技术特征摘要】
1.一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,其特征在于:所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开...
【专利技术属性】
技术研发人员:郝新建,宋小二,袁野,夏树策,范玉良,周晓琳,吴同建,宋钢柱,刘南南,王彦江,
申请(专利权)人:河南平原光电有限公司,
类型:新型
国别省市:河南,41
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