带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路制造技术

技术编号:16698423 阅读:40 留言:0更新日期:2017-12-02 10:15
一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流电源、负载,其特征在于:所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接。本电路具有控制简单、效率高、纹波误差小、反馈电压低、传播延时小、宽范围工作电压、可靠的短路或过流故障保护等优点。

【技术实现步骤摘要】
带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路
本技术涉及到高功率恒流LED驱动电路,具体地说涉及到一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路。
技术介绍
随着国家对节能环保的重视与提倡,LED半导体行业发展的如火如荼,随之也出现了各种各样的LED驱动电路,目前市面上的驱动电流最大仅能达到1A,无法满足大功率、大电流的LED驱动要求,且电路结构复杂,输出电流受外部干扰大、易波动,降低了LED的发光效率及使用寿命。
技术实现思路
本技术在于提供一种可用于各种车辆车内照明的带迟滞PFET控制的恒流LED驱动电路。为了实现上述目的,本技术是通过下述技术方案实现的:一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接,且P沟道MOS管的漏极分别与瞬变电压抑制二极管的负极、滤波电感的一端连接,所述的瞬变电压抑制二极管的正极接地,所述的滤波电感的另一端设有纹波抑制电容,且滤波电感与纹波抑制电容的正极、负载的正极连接,所述的纹波抑制电容的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS及外部采样电阻的一端连接,所述外部采样电阻的另一端接地。进一步地,所述的负载为多个发光二极管串联连接。进一步地,所述的开关控制器为用于高功率LED驱动的滞后PFET的开关控制器。本技术与现有技术相比,其有益点在于:本电路具有控制简单、效率高、纹波误差小、反馈电压低、传播延时小、宽范围工作电压、可靠的短路或过流故障保护等优点。附图说明图1为本技术的电气框图。图2为本技术的电路原理图。具体实施方式如图1和图2所示的一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻R3、调节滞后电阻R2、P沟道MOS管Q1,滤波电容C1,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻R2与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容C1和限流电阻R3的一端连接,所述的滤波电容C1的另一端接地,限流电阻R3的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管Q1的栅极连接,且P沟道MOS管Q1的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管Q1的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接,且P沟道MOS管Q1的漏极分别与瞬变电压抑制二极管D1的负极、滤波电感L1的一端连接,所述的瞬变电压抑制二极管D1的正极接地,所述的滤波电感L1的另一端设有纹波抑制电容C2,且滤波电感L1与纹波抑制电容C2的正极连接,所述的纹波抑制电容C2的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS以及外部采样电阻RSNS的一端连接,所述外部采样电阻RSNS的另一端接地。作为一种优化,所述的负载为多个发光二极管串联连接。作为一种优化,所述的开关控制器为用于高功率LED驱动的滞后PFET的开关控制器。使用时,标称的LED电流通过SNS端的采样电阻到GND,SNS端产生的电压和内部参考电压相比较。当SNS电压小于参考电压减滞后电压,迟滞比较器输出低电平。驱动输出端HG拉低PFET栅极电压,场效应管打开。当PFET打开,通过PFET和电感的LED电流斜线上升。随着LED电流增大,SNS电压到达上限阈值(参考电压加滞后电压)。此时迟滞比较器输出反转,HG变为高电平导致PFET关闭。当PFET关闭,电流流过反向瞬变电压抑制二极管,通过LED和电感的电流斜线下降。当SNS电压到达下限阈值,开始循环上述过程。本技术的优点为:本电路具有控制简单、效率高、纹波误差小、反馈电压低、传播延时小、宽范围工作电压、可靠的短路或过流故障保护。本文档来自技高网...
带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路

【技术保护点】
一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,其特征在于:所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开关控制器的电流检测引脚CS连接,且P沟道MOS管的漏极分别与瞬变电压抑制二极管的负极、滤波电感的一端连接,所述的瞬变电压抑制二极管的正极接地,所述的滤波电感的另一端设有纹波抑制电容,且滤波电感与纹波抑制电容的正极、负载的正极连接,所述的纹波抑制电容的负极与负载的负极、开关控制器的电流反馈引脚SNS及外部采样电阻的一端连接,所述外部采样电阻的另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种带迟滞PFET控制的高功率恒流LED驱动电路,包括直流源、负载,其特征在于:所述的直流源与负载之间设有恒流驱动单元,所述的恒流驱动单元与负载和直流源串联连接,所述的恒流驱动单元包括开关控制器、限流电阻、调节滞后电阻、P沟道MOS管,滤波电容,所述的开关控制器的GND通过调节滞后电阻与开关控制器的滞后引脚HYS连接,所述的开关控制器的输入引脚VIN与直流电源的正极连接,同时与滤波电容和限流电阻的一端连接,所述的滤波电容的另一端接地,限流电阻的另一端与开关控制器的限流引脚ILIM连接,所述的开关控制器的栅极驱动输出引脚HG与P沟道MOS管的栅极连接,且P沟道MOS管的源极与直流源的正极连接,P沟道MOS管的漏极与开...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝新建宋小二袁野夏树策范玉良周晓琳吴同建宋钢柱刘南南王彦江
申请(专利权)人:河南平原光电有限公司
类型:新型
国别省市:河南,41

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