一种DFN2020‑6双芯片高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种DFN2020‑6双芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设置有2个芯片安置区，所述芯片安装部为矩形，每个芯片安装部设有6个引脚槽，3个引脚槽为一组对称布置于芯片安置区的两侧，并延伸至芯片安装部边缘；其中一个芯片安置区的引脚线焊接于同一侧的引脚槽内，另一芯片安置区的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽内。该框架的芯片安装部引脚布置合理、无干扰，无需在芯片安装部周围多方向布置引脚，减小相邻芯片安装部之间的距离，达到提高框架基体材料的利用率、减少生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2020-6双芯片高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN2020-6双芯片高密度框架。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，让引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。芯片封装形式为：DFN2020-6双芯（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2020表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽2.0mm的正方形结构，6表示有6个引脚，双芯表示在单个芯片安装部内可安装2个芯片）。由于该类芯片安装部的引脚数量较多，需在芯片安装部周围多个方向布置引脚槽，使得芯片与芯片之间的距离增加，降低了框架基体材料的利用率、增加生产成本。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对具有多引脚的芯片安装部因需要在其周围多方位布置引脚槽，造成芯片与芯片之间的布置距离增加、材料利用率低、生产成本高的问题，提供一种DFN2020-6双芯片高密度框架，该框架的芯片安装部引脚布置合理、无干扰，无需在芯片安装部周围多方向布置引脚，减小相邻芯片安装部之间的距离，达到提高框架基体材料的利用率、减少生产成本。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种DFN2020-6双芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设置有2个芯片安置区，所述芯片安装部为矩形，每个芯片安装部设有6个引脚槽，3个引脚槽为一组对称布置于芯片安置区的两侧，并延伸至芯片安装部边缘；其中一个芯片安置区的引脚线焊接于同一侧的引脚槽内，另一芯片安置区的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽内。该框架的每个芯片安装部内设2个芯片安置区，通过将引脚槽布置于芯片安装部的对称两侧，且将其中一个芯片安置区的引脚全部焊接于一侧的引脚槽内，另一个芯片安置区的引脚焊接与另一侧引脚槽内，引脚布置合理、无干扰，无需在芯片安装部周围多方向布置引脚，减小相邻芯片安装部之间的距离，达到提高框架基体材料的利用率、减少生产成本。作为本技术的优选方案，所有芯片安装部朝同一方向布置，使得相邻的芯片安装部边缘的引脚槽相对应，使两个芯片安装部上相接触的引脚槽连通。连通的引脚槽使相邻芯片安装部之间的切割道变薄，便于切割操作，减小封装后产品切割时刀片与框架金属的接触面积，减小切割时框架的发热量，保证产品的质量和可靠性能。作为本技术的优选方案，连通的引脚槽底为半腐蚀区，该半腐蚀区为椭圆形，该椭圆形半腐蚀区以相邻两芯片安装部的切割道为中心对称设置。将相邻芯片安装部连通后的半腐蚀区进一步减小切割道厚度，设为椭圆形结构，即在引脚槽内的半腐蚀区为圆弧形结构，尽量减小半腐蚀区对引脚槽结构的影响，以不影响芯片安装部的整体强度。作为本技术的优选方案，所述芯片安装部内的每个芯片安置区均包括源极和栅极，3根引脚线从源极引出并焊接于同一个引脚槽内，所述栅极引出1根引脚线焊接于另一个同侧的引脚槽内。将每个芯片安置区的引线分槽焊接，不影响极性分布且引线之间无干扰；此外，引脚槽四周都为全金属厚度的相连结构,利于提高框架强度,使焊线更稳定。作为本技术的优选方案，所有芯片安装部的边均与框架的边平行布置，在芯片安装部之间分别设有竖向切割道和横向切割道，所有引脚槽延伸至横向切割道，在竖向切割道上间隔设有镂空槽。所述镂空槽沿竖向切割道的长度方向布置，便于后续切割分离操作，减小刀片发热，有效减小切割分层。作为本技术的优选方案，所述横向切割道上设有横向切割道连筋，用于将相邻的引脚槽连接。采用连筋将相邻的引脚槽连接，增加引脚槽和整个框架强度，增加结构稳定性。作为本技术的优选方案，所述竖向切割道和横向切割道连筋均为半腐蚀结构。竖向切割道和横向切割道连筋设成半腐蚀结构，即将切割道连筋的厚度削薄，进一步减小切割难度。作为本技术的优选方案，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。框架本身提高利用率,降低成本，将传统的每条框架不止4个芯片安装单元优化为每条2个的设计,每条框架上相同的面积上可以有更多的芯片安装单元，提高材料利用率、降低框架的成本。作为本技术的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。框架有2个芯片安装单元，每个芯片安装单元设置27排、58列芯片安装部，即在整个框架上布置2808芯片安装部，比现有的框架利用率更高。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1、该框架的芯片安装部引脚布置合理、无干扰，无需在芯片安装部周围多方向布置引脚，减小相邻芯片安装部之间的距离，达到提高框架基体材料的利用率、减少生产成本；2、连通的引脚槽使相邻芯片安装部之间的切割道变薄，便于切割操作，而将连通的引脚槽底为半腐蚀区，进一步减小切割道厚度，减小封装后产品切割时刀片与框架金属的接触面积，减小切割时框架的发热量，保证产品的质量和可靠性能；3、在竖向切割道上间隔设有镂空槽，便于后续切割分离操作，减小刀片发热，有效减小切割分层；采用连筋将相邻的引脚槽连接，增加引脚槽和整个框架强度，增加结构稳定性；而将竖向切割道和横向切割道连筋设成半腐蚀结构，即将切割道连筋的厚度削薄，进一步减小切割难度；4、框架有2个芯片安装单元，每个芯片安装单元设置27排、58列芯片安装部，即在整个框架上布置2808芯片安装部，比现有的框架利用率更高。附图说明图1是本技术DFN2020-6双芯片高密度框架的结构示意图。图2为多个芯片安装部在框架上的分布图。图3为单个芯片安装部的结构示意图。图4为将芯片安装在芯片安装部上的引线布置图。图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，2-单元分隔槽，3-芯片安装部，301-引脚槽，3011-槽内半腐蚀区，302-芯片安置区，4-竖向切割道，401-镂空槽，5-横向切割道连筋，6-芯片，7-源极引脚，8-栅极引脚。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示，本实施例的DFN2020-6双芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架1，在框架1上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部3，在每个芯片安装部3上设置有2个芯片安置区302，所述芯片安装部3为矩形，每个芯片安装部3设有6个引脚槽301，3个引脚槽301为一组对称布置于芯片安置区302的两侧，并延伸至芯片安装部3边缘；其中一个芯片安置区302的引脚线焊接于同一侧的引脚槽301内，另一芯片安置区302的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽301内。如图3所示，两个芯片安置区302设置于芯片安装部3中部，所述引脚槽301对称分设在芯片安置区302的两侧，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN2020‑6双芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020‑6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设置有2个芯片安置区，所述芯片安装部为矩形，每个芯片安装部设有6个引脚槽， 3个引脚槽为一组对称布置于芯片安置区的两侧，并延伸至芯片安装部边缘；其中一个芯片安置区的引脚线焊接于同一侧的引脚槽内，另一芯片安置区的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽内。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2020-6双芯片高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN2020-6封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设置有2个芯片安置区，所述芯片安装部为矩形，每个芯片安装部设有6个引脚槽，3个引脚槽为一组对称布置于芯片安置区的两侧，并延伸至芯片安装部边缘；其中一个芯片安置区的引脚线焊接于同一侧的引脚槽内，另一芯片安置区的引脚线全部焊接于另一侧的引脚槽内。2.根据权利要求1所述的DFN2020-6双芯片高密度框架，其特征在于，所有芯片安装部朝同一方向布置，使得相邻的芯片安装部边缘的引脚槽相对应，使两个芯片安装部上相接触的引脚槽连通。3.根据权利要求2所述的DFN2020-6双芯片高密度框架，其特征在于，连通的引脚槽底为半腐蚀区，该半腐蚀区为椭圆形，该椭圆形半腐蚀区以相邻两芯片安装部的切割道的中心对称设置。4.根据权利要求1所述的DFN2020-6双芯片高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部内的每个芯片安置区均包括源极和栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，崔金忠，李东，许兵，李宁，李超，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51