一种DFN2020‑8B高密度框架制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种DFN2020‑8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2020‑8B封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有8个引脚槽，所有引脚槽均向芯片安装部的边缘延伸，在引脚槽内增设半腐蚀区，所述半腐蚀区延伸至芯片安装部边缘。该引线框架在引脚槽内设置半腐蚀区，使得相邻的芯片安装部之间的切割部分厚度变薄，利于切割操作，减小发热量，避免框架与塑封料间隙分层，保证产品的质量，减小切割道尺寸，利于在的框架上布置更多的芯片，增加材料利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种DFN2020-8B高密度框架
本技术涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN2020-8B高密度框架。
技术介绍
现有的半导体制造技术中，通常是将多个半导体芯片合并到单个的半导体封装结构中来使用，即引线框架结构。引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，并与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生的热量，构成散热通道，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为DFN2020-8B（DFN是小型电子元器件的芯片封装单元型号,2020表示单个芯片安装部的尺寸为长2.0mm、宽2.0mm，8B表示有8个引脚），要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，只能提高生产工艺，减小芯片安装部之间的距离、增加框架的厚度，但也增加了切割分离时的难度，由于该类芯片封装的引脚数量大，过窄的切割道使得刀片损伤芯片和引脚的概率增加；同时刀片发热量增加，也使框架的发热量增加，框架与塑封料因为发热过大易产生的间隙分层，影响产品的质量和可靠性能。
技术实现思路
本技术的专利技术目的在于：针对现有的DFN2020-8B框架为了提高框架基体利用率减小芯片安装部之间的距离时，增加了切割分离难度，增加了刀片损伤芯片和引脚的概率；同时也会增加刀片和框架的发热量，造成框架与塑封料产生间隙分层、影响产品质量和可靠性的问题，提供一种DFN2020-8B高密度框架，该引线框架在引脚槽内设置半腐蚀区，使得相邻的芯片安装部之间的切割部分厚度变薄，利于切割操作，减小发热量，避免框架与塑封料间隙分层，保证产品的质量，减小切割道尺寸，利于在的框架上布置更多的芯片，增加材料利用率。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种DFN2020-8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上多个与DFN2020-8B封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有8个引脚槽，所有引脚槽均向芯片安装部的边缘延伸，在引脚槽内增设半腐蚀区，所述半腐蚀区延伸至芯片安装部边缘。该引线框架在延伸向芯片安装部边缘的引脚槽内设置半腐蚀区，半腐蚀区，即在引脚槽底部再挖一定深度的槽型，得到更薄的框架部分；这样就使得相邻的芯片安装部之间的连接部厚度变薄，若使相邻的芯片安装部的引脚槽延伸连接，就整个框架上的芯片安装部之间的切割部分变薄，利于切割操作，增加刀片寿命，同时减小刀片的发热量，也相应减小了框架的发热量，避免了框架与塑封料因为发热过大产生的间隙分层，保证了产品的质量和可靠性能；另外，在便于切割操作后，也能根据需要减小切割道的尺寸，在相同的框架基体上布置更多的芯片安装部，增加材料利用率。作为本技术的优选方案，所述芯片安装部为矩形结构，且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置，引脚槽4个一组对称设置于芯片安装部的两方，且引脚槽延伸至芯片安装部边缘。将每个芯片安装部的引脚槽4个为一组对称布置于其两端，使得相邻的芯片安装部之间能将引脚槽连通，进而使引脚槽内的半腐蚀区连通，形成薄型切割道，利于芯片切割操作。作为本技术的优选方案，所述引脚槽和半腐蚀区延伸往芯片安装部的长边方向延伸。所有引脚槽和半腐蚀区都往芯片安装部长边方向延伸，便于芯片安装部布置在框架上后，芯片安装部之间均形成半腐蚀的切割道。作为本技术的优选方案，相邻的芯片安装部同向布置，使相邻芯片安装部的引脚槽连通，并使引脚槽内的半腐蚀区连通。相邻芯片安装部的引脚槽和半腐蚀区连通，这样就让相邻的芯片安装部之间的连接部分变薄，便于切割操作，减小封装后产品切割时刀片与框架金属的接触面积，减小切割时框架的发热量，保证产品的质量和可靠性能。作为本技术的优选方案，相邻芯片安装部的连通后的半腐蚀区为椭圆形结构。将相邻芯片安装部连通后的半腐蚀区设为椭圆形结构，即在引脚槽内的半腐蚀区为圆弧形结构，尽量减小半腐蚀区对引脚槽结构的影响，以不影响芯片安装部的整体强度。作为本技术的优选方案，在芯片安装部的引脚槽之间还设有连筋，所述连筋设置在相邻芯片安装部引脚槽相连的位置。增设连筋加连接引脚槽，增加框架结构稳定性。作为本技术的优选方案，所述连筋为半腐蚀结构。将连筋也设为半腐蚀结构，减小芯片分割的切割难度。作为本技术的优选方案，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。框架本身提高利用率,降低成本，将传统的每条框架不止4个芯片安装单元优化为每条2个的设计,每条框架上相同的面积上可以有更多的芯片安装单元，提高材料利用率、降低框架的成本。作为本技术的优选方案，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是：1、该引线框架在引脚槽内设置半腐蚀区，使得相邻的芯片安装部之间的切割部分厚度变薄，利于切割操作，减小发热量，避免框架与塑封料间隙分层，保证产品的质量，减小切割道尺寸，利于在的框架上布置更多的芯片，增加材料利用率；2、将每个芯片安装部的引脚槽4个为一组对称布置于其两端，使得相邻的芯片安装部之间能将引脚槽连通，进而使引脚槽内的半腐蚀区连通，形成薄型切割道，利于芯片切割操作；3、将相邻芯片安装部连通后的半腐蚀区设为椭圆形结构，即在引脚槽内的半腐蚀区为圆弧形结构，尽量减小半腐蚀区对引脚槽结构的影响，以不影响芯片安装部的整体强度；4、增设连筋加连接引脚槽，增加框架结构稳定性；而将连筋也设为半腐蚀结构，减小芯片分割的切割难度；5、框架本身提高利用率,降低成本，将传统的每条框架不止4个芯片安装单元优化为每条2个的设计,每条框架上相同的面积上可以有更多的芯片安装单元，提高材料利用率、降低框架的成本。附图说明图1是本技术DFN2020-8B高密度框架的结构示意图。图2为图1中多个芯片安装部在框架上的分布图。图3为单个芯片安装部的结构示意图。图4为图3中A-A向视图。图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，2-单元分隔槽，3-芯片安装部，301-芯片安置位,302-引脚槽，303-半腐蚀区，304-连筋。具体实施方式下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1至图4所示，本实施例的DFN2020-8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架1，在框架1上多个与DFN2020-8B封装结构相适应的芯片安装部3，在每个芯片安装部3上设有8个引脚槽302，所有引脚槽302均向芯片安装部3的边缘延伸，在引脚槽302内增设半腐蚀区303，所述半腐蚀区303延伸至芯片安装部3边缘。进一步地，所述芯片安装部3为矩形结构，且所有芯片安装部3的长边与框架1的长边平行布置，引脚槽302布局为：4个一组对称设置于芯片安装部3的两方，且引脚槽302延伸至芯片安装部3边缘。将每个芯片安装部的引脚槽4个为一组对称布置于其两端，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DFN2020‑8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2020‑8B封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有8个引脚槽，所有引脚槽均向芯片安装部的边缘延伸，在引脚槽内增设半腐蚀区，所述半腐蚀区延伸至芯片安装部边缘。

【技术特征摘要】
1.一种DFN2020-8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2020-8B封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有8个引脚槽，所有引脚槽均向芯片安装部的边缘延伸，在引脚槽内增设半腐蚀区，所述半腐蚀区延伸至芯片安装部边缘。2.根据权利要求1所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形结构，且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置，引脚槽4个一组对称设置于芯片安装部的两方，且引脚槽延伸至芯片安装部边缘。3.根据权利要求2所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述引脚槽和半腐蚀区往芯片安装部的长边方向延伸。4.根据权利要求1-3之一所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，相邻的芯片安装部同向布置，使相邻芯片安装部的引脚槽连...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，崔金忠，李东，许兵，李宁，李超，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51