The utility model discloses a HPGe detector of high purity germanium deep hole lithium evaporation equipment, including high purity germanium single crystal is arranged on the bottom plate, at the top of high purity germanium single crystal is provided with a baffle that can move in the baffle is arranged above the surface of the wire winding lithium tungsten electrode, the tungsten electrode the position with high purity germanium single crystal hole corresponding to the position, between the tungsten electrodes with high purity germanium single crystal by a lifting device makes: tungsten electrodes relative motion along the high pure germanium single crystal on the inner hole under the direction of. The utility model realizes relative motion of tungsten wire electrode along the direction of inner hole of high purity germanium through lifting device. Compared with the existing technology, lithium wire is evaporated in the germanium single crystal after entering into the inner hole, and the uniformity of the hole surface is obviously improved.
【技术实现步骤摘要】
高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备
本技术涉及半导体辐射探测器领域,尤其涉及一种高纯锗探测器,具体来说涉及高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备。
技术介绍
在高能γ射线测量过程中,同轴HPGe探测器(高纯锗探测器)是最理想的探测器,既具有优秀的能量分辨率,又具有较高的探测效率。探测器的灵敏体积越大,对γ射线的探测效率越高。随着核工业的发展,对辐射测量领域的要求也越来越高,因而需要更高分辨率和探测效率的探测器。在研制和生产同轴HPGe探测器的过程中,最关键的问题主要有两个。第一,是单晶材料的纯度。经过半个世纪的努力,锗材料的提纯和单晶生长技术已取得成功。第二,是制备工艺。无论是N型或是P型HPGe探测器,都必须制备N+和P+两个接触,如图1是P型同轴HPGe探测器结构图,图2、3为N型同轴HPGe探测器结构图。高纯度锗单晶已然实现,因而制备工艺的优劣决定了HPGe探测器的性能。制备工艺主要在于接触极的制备。P+接触常用硼离子(11B)注入完成,N+接触常采用锂(6Li)扩散方法制成。高纯锗外表面的注入或蒸发都能实现很好的性能,但高纯锗内孔较为困难,往往存在着均匀度差的问题。现有的蒸发设备用于高纯锗探测器锂蒸发时,由于其蒸发的钨电极丝固定,且底板固定,因而钨电极丝上缠绕的锂丝往往放置于锗单晶的正上方,而难以进入锗晶体深孔底部,出现锂蒸发在锗单晶内表面的均匀低的问题。
技术实现思路
针对上述技术的不足,本技术的目的在于提供一种高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备,以提高高纯锗深孔表面锂蒸发的均匀性。本技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:高纯锗探测器的高纯锗深孔锂 ...
【技术保护点】
高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备,其特征在于,包括设置在底板上的高纯锗单晶,在高纯锗单晶的上方设置有可以移动的挡板,在挡板的上方设置有表面缠绕锂丝的钨丝电极,所述钨丝电极的位置与高纯锗单晶内孔位置对应,钨丝电极与高纯锗单晶之间通过一升降装置使得:钨丝电极沿高纯锗单晶内孔方向进行相对运动。
【技术特征摘要】
1.高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备,其特征在于,包括设置在底板上的高纯锗单晶,在高纯锗单晶的上方设置有可以移动的挡板,在挡板的上方设置有表面缠绕锂丝的钨丝电极,所述钨丝电极的位置与高纯锗单晶内孔位置对应,钨丝电极与高纯锗单晶之间通过一升降装置使得:钨丝电极沿高纯锗单晶内孔方向进行相对运动。2.如权利要求1所述的高纯锗探测器的高纯锗深孔锂蒸发设备,其特征在于,所述升降装置与高纯锗单晶直接或间接连接,控制高纯锗单晶上下移动,使得高纯锗单晶内孔与钨丝电极之间进行相对运动。3.如权利要求1所述的高纯锗探测...
【专利技术属性】
技术研发人员:马佳林,徐强,侯瑞瑶,陈永林,游鑫俊,吴集明,
申请(专利权)人:上海新漫传感技术研究发展有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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