【技术实现步骤摘要】
回旋加速器的外围丘扇块设计专利
本专利技术涉及回旋加速器。本专利技术涉及等时性扇形聚焦回旋加速器,所述回旋加速器对从这类回旋加速器中引出的激励带电粒子的引出路径具有增强的控制。具体地,本专利技术允许在不同引出点处引出激励粒子束和具有相同的光特性。技术背景回旋加速器是一种圆形粒子加速器,其中带负电粒子或带正电粒子沿螺旋路径从回旋加速器的中心向外加速直到若干MeV的能量。除非另外指明,术语“回旋加速器”在以下内容中用于指等时性回旋加速器。回旋加速器用于各种领域,例如用于核物理、医疗治疗,诸如质子疗法,或用于放射性药物学。具体地,回旋加速器可以用于生产适合于PET成像(正电子发射X线断层摄影术)的短寿命正电子发射同位素、或生产例如用于SPECT成像(单光子发射计算机断层成像术)的伽马发射同位素(例如,Tc99m)。回旋加速器包括若干元件,包括注入系统、用于使带电粒子加速的射频(RF)加速系统、用于沿着精确路径引导加速粒子的磁系统、用于收集如此加速的粒子的引出系统、和用于在回旋加速器中创造并维持真空的真空系统。通过注入系统以相对低的初始速度将带电离子组成的粒子束在回旋加速器中心处或附近引入间隙中。如图3中所展示的,该粒子束通过RF加速系统按顺序并且重复地加速并且通过磁系统产生的磁场沿着所述间隙内的螺旋路径朝外引导。当粒子束达到其目标能量时,通过提供在引出点PE的引出系统从回旋加速器中引出所述粒子束。该引出系统可以包括例如由薄石墨片组成的剥离器。例如,穿过剥离器的H-离子失去两个电子并且变为正的。因此,磁场中的它们的路径的曲率改变其符号,并且因此从回旋加速器朝目 ...
【技术保护点】
一种用于回旋加速器(1)的磁极(2),所述回旋加速器包括围绕中心轴线Z交替分布的至少3个丘扇块(3)和相同数目的谷扇块(4),每个丘扇块包括:上表面(3U),所述上表面由以下各项限定:‑上外围边缘(3up),所述上外围边缘以第一和第二上远端(3ude)为边界,并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最远的边缘;‑上中心边缘(3uc),所述上中心边缘以第一和第二上近端(3upe)为边界并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最近的边缘;‑第一上侧边缘(3ul),所述第一上侧边缘将所述第一上远端与所述第一上近端相连接;‑第二上侧边缘(3ul),所述第二上侧边缘将所述第二上远端与所述第二上近端相连接;其特征在于,丘扇块的所述上外围边缘包括圆弧,所述圆弧的中心相对于所述中心轴线偏移、并且半径Rh不超过从所述中心轴线到所述上外围边缘的中点的距离Lh的85%(Rh/Lh≤85%),所述中点到所述第一和第二上远端的距离相等。
【技术特征摘要】
2016.05.13 EP 16169490.61.一种用于回旋加速器(1)的磁极(2),所述回旋加速器包括围绕中心轴线Z交替分布的至少3个丘扇块(3)和相同数目的谷扇块(4),每个丘扇块包括:上表面(3U),所述上表面由以下各项限定:-上外围边缘(3up),所述上外围边缘以第一和第二上远端(3ude)为边界,并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最远的边缘;-上中心边缘(3uc),所述上中心边缘以第一和第二上近端(3upe)为边界并且被限定为所述上表面的、位置离所述中心轴线最近的边缘;-第一上侧边缘(3ul),所述第一上侧边缘将所述第一上远端与所述第一上近端相连接;-第二上侧边缘(3ul),所述第二上侧边缘将所述第二上远端与所述第二上近端相连接;其特征在于,丘扇块的所述上外围边缘包括圆弧,所述圆弧的中心相对于所述中心轴线偏移、并且半径Rh不超过从所述中心轴线到所述上外围边缘的中点的距离Lh的85%(Rh/Lh≤85%),所述中点到所述第一和第二上远端的距离相等。2.根据权利要求1所述的磁极,其中,所述圆弧的中心位于对应的丘扇块的上表面内。3.根据权利要求2所述的磁极,其中,所述圆弧的中心位于所述上表面的二等分线上,所述二等分线被限定为将所述中心轴线与所述上外围边缘的中点连结起来的直线。4.根据以上权利要求中任一项所述的磁极,其中,所述圆弧的半径Rh与从所述中心轴线到所述上外围边缘的中点的距离Lh的比率Rh/Lh不超过75%、优选地不超过65%。5.根据以上权利要求中任一项所述的磁极,其中,所述圆弧从所述上外围边缘的所述第一上远端延伸到所述第二上远端。6.根据以上权利要求中任一项所述的磁极,其中,所述每个谷扇块包括底表面,并且每个丘扇块包括:(a)第一和第二侧表面(3L),每个侧表面从所述第一和第二上侧边缘横向地延伸至位于丘扇块的任一侧的对应谷扇块的底表面,从而将所述第一和第二下侧边缘(3ll)限定为使侧表面与相邻底表面相交的边缘,所述第一和第二下侧边缘各自具有位置离所述中心轴线最远的下远端;(b)外围表面(3P),所述外围表面从所述上外围边缘延伸到下外围线(3lp),所述下外围线被限定为以所示第一和第二下侧边缘的下远端(3lde)为边界的段。7.根据权利要求6所述的磁极,其中,所述外围表面形成与所述上外围边缘相邻的斜切面。8.一种用于在包...
【专利技术属性】
技术研发人员:W·克里文,M·阿布斯,
申请(专利权)人:离子束应用股份有限公司,
类型:发明
国别省市:比利时,BE
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