等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的技术课题是提高对等离子体处理装置的多个腔室用的电极供电的效率。一实施方式的等离子体处理装置提供多个腔室。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源连接。多个二次线圈的一端与多个上部电极分别连接。多个二次线圈的另一端与多个下部电极分别连接。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术的实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
在半导体器件等的电子器件的制造中，为了进行蚀刻、成膜等的处理，使用等离子体处理装置。作为等离子体处理装置的一种，已知有电容耦合型的等离子体处理装置。电容耦合型的等离子体处理装置一般包括腔室主体、上部电极和下部电极。上部电极和下部电极配置成使由腔室主体提供的腔室内的空间介于它们之间。在该等离子体处理装置中，对腔室供给气体，在上部电极和下部电极之间形成高频电场。通过该高频电场激发气体，生成等离子体。通过来自该等离子体的离子和/或自由基，进行被加工物的处理。另外，作为电容耦合型的等离子体处理装置的一种，专利文献1中记载有使用单一高频电源，在多个腔室内形成高频电场的等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置包括多个上部电极、多个下部电极、一次线圈和多个二次线圈。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上，多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。一次线圈与高频电源连接。一次线圈和多个二次线圈电磁耦合。多个二次线圈的一端分别与多个上部电极连接。多个二次线圈的另一端分别与多个下部电极连接。多个可变电容器分别连接在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间。上述可变电容器为了减小包含二次线圈的闭合电路的阻抗而设置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-89876号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题在专利文献1所记载的类型的等离子体处理装置、即使用单一高频电源在多个腔室内形成高频电场的等离子体处理装置中，期望提高对多个腔室用的电极供电的效率。解决技术问题的技术方案在一个方式中提供一种电容耦合型的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括至少一个腔室主体、多个上部电极、多个下部电极、高频电源、变压器、多个第1电容器和多个第2电容器。至少一个腔室主体提供相互分离的多个腔室。此外，多个腔室可以由一个腔室主体提供，也可以由多个腔室主体分别提供。至少一个腔室主体接地。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源电连接。多个第1电容器分别连接在多个二次线圈的一端与多个上部电极之间。多个第2电容器分别连接在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间。一次线绕中心轴线延伸。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。在一个方式所涉及的等离子体处理装置中，多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小，因此，二次线圈的电流值与一次线圈的电流值之比、即电流比大。因此，在该等离子体处理装置中，对多个腔室用的电极供电的效率高。在一实施方式中，多个第2电容器的一端分别与多个下部电极中的对应的下部电极连接，多个第2电容器的另一端接地。多个第1电容器和多个第2电容器是固定电容器。在多个二次线圈的另一端与多个下部电极之间，作为电容器仅设置有多个第2电容器。在该实施方式中，通过多个第2电容器，多个下部电极的电位与接地电位直流地分离。在一实施方式中，多个第1电容器和多个第2电容器是固定电容器。多个第2电容器的一端分别与多个下部电极中的对应的下部电极连接，多个第2电容器的另一端相对于接地电位浮置。即，多个第2电容器的另一端不接地。多个二次线圈各自的一端和另一端流过相同电流值的电流。所以，在该实施方式的等离子体处理装置中，在腔室主体中几乎不流过电流。其结果是，能够在多个上部电极中的各个上部电极与对应的下部电极之间封入等离子体。所以，能够稳定地生成等离子体。在另一个方式中，提供电容耦合型的等离子体处理装置。该等离子体处理装置包括至少一个腔室主体、两个上部电极、两个下部电极、高频电源、变压器、两个第1电容器和两个第2电容器。至少一个腔室主体提供相互分离的两个腔室。此外，两个腔室可以由一个腔室主体提供，也可以由两个腔室主体分别提供。至少一个腔室主体接地。两个上部电极分别设置在两个腔室内的空间之上。两个下部电极分别设置在两个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一次线圈与高频电源电连接。多个二次线圈由两个二次线圈构成。两个第1电容器分别连接在两个二次线圈中的一者的一端与两个上部电极中的一者之间和两个二次线圈中的一者的另一端与两个上部电极中的另一者之间。两个第2电容器分别连接在两个二次线圈中的另一者的一端与两个下部电极中的一者之间和两个二次线圈中的另一者的另一端与两个下部电极中的另一者之间。一次线圈绕中心轴线延伸。多个二次线圈能够与一次线圈同轴地配置。两个第2电容器的一端分别与两个下部电极中的对应的下部电极连接。两个第2电容器的另一端相对于接地电位浮置。即，多个第2电容器的另一端不接地。两个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小。在上述另一个方式所涉及的等离子体处理装置中，多个二次线圈各自的自感比一次线圈的自感小，因此，二次线圈的电流值与一次线圈的电流值之比、即电流比大。因此，在该等离子体处理装置中，对多个腔室用的电极供电的效率高。另外，两个上部电极分别与两个二次线圈中的一者的一端和另一端连接，因此对两个上部电极供给大致相等的电力的高频。另外，两个下部电极分别与两个二次线圈中的另一者的一端和另一端连接，因此，对两个下部电极供给大致相等的电力的高频。另外，通过调整从两个二次线圈中的一者输出的高频的电力与从另一者输出的高频的电力之比，能够调整向多个上部电极中的各个上部电极供给的高频的电力与向对应的下部电极供给的高频的电力之比。在一实施方式中，两个第1电容器和两个第2电容器是固定电容器。在一实施方式中，多个二次线圈包括一对二次线圈，该一对二次线圈可以由在其中间接地的单一线圈形成。另外，在一实施方式中，多个二次线圈包括一对二次线圈，该一对二次线圈可以由具有有选择地与大地连接的多个分接抽头的单一线圈形成。在一实施方式中，多个二次线圈各自的绕组可以与一次线圈的绕组交替卷绕。在一实施方式中，等离子体处理装置还包括一个以上的第3电容器。一次线圈包括多个线圈。多个线圈绕中心轴线延伸，沿着中心轴线延伸的方向排列。多个线圈和一个以上的第3电容器交替地串联连接。多个二次线圈的绕组与多个线圈的绕组分别交替地卷绕。在另一实施方式中，多个二次线圈可以在中心轴线延伸的方向上与多个线圈交替排列。在上述实施方式中，通过一个以上的第3电容器，能够降低一次线圈的阻抗。另外，通过一个以上的第3电容器，能够降低构成一次线圈的多个线圈间的电位差。在一实施方式中，一次线圈是单一线圈，多个二次线圈仅包括两个二次线圈。两个二次线圈中的一者在中心轴线延伸的方向上相对于一次线圈的中心配置在一者侧，两个二次线圈中的另一者在中心轴线延伸的方向上相对于一次线圈的中心配置在另一者侧。在一实施方式中，一次线圈和多个二次线圈可以是矩形线圈。另外，可以是多个二次线圈各自构成为能够绕中心轴线旋转。在一实施方式中，可以是多个二次线圈各自构成为能够在与平行于中心轴线的方向正交的方向上移动。另外，在一实施方式中，可以是多个二次线圈各自构成为能够以轴线为中心摆动，该轴线在由一次线圈包围的区域的外侧在平行于中心轴线的方向上延伸。在一实施方式中，多个二次线圈可以配置成，在平行于中心轴线的方向上看时，在由一次线圈包围本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容耦合型的等离子体处理装置，其特征在于，包括：提供相互分离的多个腔室且接地的至少一个腔室主体；分别设置在所述多个腔室内的空间之上的多个上部电极；分别设置在所述多个腔室内的所述空间之下的多个下部电极；高频电源；具有与所述高频电源电连接的一次线圈和多个二次线圈的变压器；分别连接在所述多个二次线圈的一端与所述多个上部电极之间的多个第1电容器；和分别连接在所述多个二次线圈的另一端与所述多个下部电极之间的多个第2电容器，所述一次线圈绕中心轴线延伸，所述多个二次线圈能够与所述一次线圈同轴地配置，所述多个二次线圈各自的自感比所述一次线圈的自感小。

【技术特征摘要】
2016.05.12 JP 2016-0962241.一种电容耦合型的等离子体处理装置，其特征在于，包括：提供相互分离的多个腔室且接地的至少一个腔室主体；分别设置在所述多个腔室内的空间之上的多个上部电极；分别设置在所述多个腔室内的所述空间之下的多个下部电极；高频电源；具有与所述高频电源电连接的一次线圈和多个二次线圈的变压器；分别连接在所述多个二次线圈的一端与所述多个上部电极之间的多个第1电容器；和分别连接在所述多个二次线圈的另一端与所述多个下部电极之间的多个第2电容器，所述一次线圈绕中心轴线延伸，所述多个二次线圈能够与所述一次线圈同轴地配置，所述多个二次线圈各自的自感比所述一次线圈的自感小。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个第2电容器的一端分别与所述多个下部电极中的对应的下部电极连接，所述多个第2电容器的另一端接地，所述多个第1电容器和所述多个第2电容器是固定电容器，在所述多个二次线圈的所述另一端与所述多个下部电极之间，作为电容器仅设置有所述多个第2电容器。3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个第1电容器和所述多个第2电容器是固定电容器，所述多个第2电容器的一端分别与所述多个下部电极中的对应的下部电极连接，所述多个第2电容器的另一端相对于接地电位浮置。4.一种电容耦合型的等离子体处理装置，其特征在于，包括：提供相互分离的两个腔室且接地的至少一个腔室主体；分别设置在所述两个腔室内的空间之上的两个上部电极；分别设置在所述两个腔室内的所述空间之下的两个下部电极；高频电源；具有与所述高频电源电连接的一次线圈和由两个二次线圈构成的多个二次线圈的变压器；分别连接在所述两个二次线圈中的一者的一端与所述两个上部电极中的一者之间和所述两个二次线圈中的所述一者的另一端与所述两个上部电极中的另一者之间的两个第1电容器；和分别连接在所述两个二次线圈中的另一者的一端与所述两个下部电极中的一者之间和所述两个二次线圈中的所述另一者的另一端与所述两个下部电极中的另一者之间的两个第2电容器，所述一次线圈绕中心轴线延伸，所述多个二次线圈能够与所述一次线圈同轴地配置，所述两个第2电容器的一端分别与所述两个下部电极中的对应的下部电极连接，所述两个第2电容器的另一端相对于接地电位浮置，所述两个二次线圈各自的自感比所述一次线圈的自感小。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述两个第1电容器和所述两个第2电容器是固定电容器。6.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述多个二次...

【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP